石墨烯作為一種二維晶體材料,具有許多優異的性能,可應用於光催化、透明電極、超級電容器等領域。目前許多高質量的石墨烯大多通過化學氣相沉積法(Chemical vapordeposition,CVD)製備,且厚度可控。然而這種方法通常需要基體轉換,過程繁瑣,且容易造成缺陷和汙染,影響石墨烯的性能。因此有必要尋找更便捷的方法將石墨烯沉積在絕緣基底上。
石墨烯作為一種二維晶體材料,具有許多優異的性能,可應用於光催化、透明電極、超級電容器等領域。目前許多高質量的石墨烯大多通過化學氣相沉積法(Chemical vapordeposition,CVD)製備,且厚度可控。然而這種方法通常需要基體轉換,過程繁瑣,且容易造成缺陷和汙染,影響石墨烯的性能。因此有必要尋找更便捷的方法將石墨烯沉積在絕緣基底上。
最近劉忠範院士課題組將廣泛使用的玻璃和石墨烯相結合,以乙醇為碳源,通過低壓化學氣相沉積法(Low-pressure CVD, LPCVD)快速製備石墨烯玻璃。與常壓化學氣相沉積法(Atmosphericpressure CVD,APCVD)相比,該方法可大面積快速製備均勻的石墨烯,其原因在於(1)LPCVD可提高傳質速率,使活性碳源氣氛均勻。(2)乙醇的熱分解率較高(>800℃),可為石墨烯的形核、生長提供充足碳源。最終,通過該方法可快速製備出25英寸均勻的石墨烯玻璃。
圖1.(a)LPCVD沉積石墨烯示意圖;(b)不同沉積時間得到的石墨烯;(c)不同沉積時間的石墨烯拉曼圖譜;(d)不同沉積時間的石墨烯對應的透過率和方阻;(e)不同沉積時間的石墨烯接觸角;(f)LPCVD沉積25英寸石墨烯玻璃
圖2. (a)LPCVD生長的石墨烯SEM圖;(b)單層石墨烯法OM圖;(c)單層石墨烯HRTEM圖;(d)單層石墨烯的ARTEM圖;(e)LPCVD製備的石墨烯方阻分布圖;(f)不同碳源生長的石墨烯沉積時間對比;(g)不同碳源生長的石墨烯不同沉積溫度對比
實驗分別研究了不同沉積時間和沉積溫度對石墨烯的影響,並分別以甲烷和乙醇為碳源進行對比。研究發現已甲烷為碳源沉積的石墨烯不均勻,且速度較慢,而以乙醇為碳源時,石墨烯很均勻,且質量較高。其原因在於在碳源濃度較高時,沉積過程中可形成無定形碳,從而降低石墨烯的質量。而乙醇在分解時產生的OH自由基可抑制無定形碳的生長,從而保證高質量的石墨烯沉積。
圖 3. (a)、(b)APCVD與LPCVD生長的石墨烯膜對比;(c)、(d)LPCVD與APCVD不同區域石墨烯的拉曼圖譜;(e)、(f)LPCVD與APCVD不同區域石墨烯的透過率對比
綜上,該工作對快速均勻沉積石墨烯玻璃的影響因素進行深入探討,並對沉積機理進行研究,展示了石墨烯玻璃在液晶轉換窗口和生物傳感器方面的應用,在石墨烯的實際應用方面具有指導意義。該工作發表在著名刊物Advanced Materials上。
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