MiniLED IMD-M09成本壓縮到每像素0.015元 對行業將意味著什麼?

2020-12-04 就說視聽

小間距LED大屏的創新,正在全面轉型向mini-led技術。尤其是P0.X時代,mini-led成為市場標配。但是,這一產業升級卻難住了市場佔比7成以上的中小廠商。因為,mini-led技術面對的「巨量轉移」工藝,大多數LED大屏終端企業都是零儲備。

這樣的背景下,小間距LED大屏行業怎樣快速突破mini-led帶來的P0.X時代的考驗呢?必然要依靠真正的「創新技術」。這就是國星光電的IMD技術:近日,國星光電錶示,即將推出MiniLED IMD-M09標準版、預計產品成本壓縮到每像素0.015元,且該公司已經實現1000KK/月的產能,預計2021年Q1將有明顯提升。這必然將驅動小間距LED顯示,迅速進入P0.9產品的普及時代。

擋住大多數屏企的小間距LED升級「三大瓶頸」

巨量轉移技術,要求終端企業從封裝的裂片做起、直接延長了屏幕企業的產業鏈!」行業人士指出,這看似提升了小間距LED屏終端企業的「價值空間」,但是對於大多數企業而言,這意味著高昂的嶄新技術投入和創新門檻。且此前熟練的「表貼」技術工藝將全部被扔進垃圾桶。

所以,能不能突破巨量轉移,就成了卡住mini-led時代,眾多小間距LED屏企業升級大門的第一大瓶頸。國星光電IMD技術體系,採用多合一燈珠體制,將涉及mini-led晶體顆粒處理的技術環節提前封裝,讓終端屏幕企業,依然可以沿用表貼工藝,實現mini-led時代P0.X級別產品的量產,為行業快速升級、導入嶄新技術,提供了最快的路線選擇。

另一方面,高端小間距LED應用,日益對顯示效果、特備是近距離顯示效果提出苛刻需求,並對產品可靠性、防護性要求更高。這是COB封裝技術能夠流行的關鍵所在。但是,按照傳統路線圖,COB封裝小間距LED屏技術,也要從「晶圓裂片」開始。這嚴重限制了中小小間距LED屏企業推出COB系列產品的能力。

國星光電IMD技術可以看成是亞單元級別的COB模塊,在產品顯示性能效果、安全防護水平上,達到COB級別產品的要求;並在墨色一致性上效果更具優勢。IMD體制與表貼傳統工藝結合,為大多數中小LED屏企業提供了「擁有COB類同效果水平」的高等級小間距LED屏「低成本集成」產品,提供了更佳技術路線支撐。

同時,對於P0.X級別的小間距LED大屏的普及,「價格成本」始終是最大的瓶頸。價格過高、用戶有限,mini-led的新技術,就不能最大程度創生更高的社會價值。現在,國星光電最新的MiniLED IMD-M09標準版,0.015元每像素的價格,必然驅動P0.9產品的進一步普及。

更甚者,國星光電指出,國星MiniLED IMD-M09標準版未來價格可會比1010更低。即採用mini-led技術的P0.9間距產品,未來價格會相當於或者低於傳統P1.0產品,且擁有類似COB產品的效果優勢。這充分體現了IMD技術體制,在推動產品普及、降低成本、控制產業工藝流程難度、減少新增工藝流程成本、提升產品體驗性方面的巨大競爭優勢。

擁有COB的性能、採用表貼這種傳統集成工藝、產品具有成本端的下降優勢,這三大特點,恰對應了mini-led技術對於大多數小間距LED屏企業而言的三大瓶頸:這也就是為何說IMD技術,可能是當前技術條件下,最容易推動P0.X產品進入規模化市場的創新的原因所在。

IMD為何這麼牛?抓住了小間距LED應用的精髓

誠然,mini-led和micro-led時代,巨量轉移是繞不過去的關鍵技術,是最核心的、具有技術時代標誌性的工藝技術。

這就像,P10左右的LED屏普遍用直插技術、但是間距指標縮小到P5左右,乃至以下表貼技術就佔有了優勢、未來mini-led和micro-led時代的標誌,就是巨量轉移技術:但是,巨量轉移技術「對應的間距等級到底應該是多少」,目前尚沒有統一結論。

畢竟,以micro-led為代表,像素間距可以是十微米級別的,即P0.0X級別的產品。這些產品應用於近眼顯示、手機或者智能手錶屏幕;同時,也可以有P0.1-p0.3級別的產品,這些產品主要應用於電腦顯示器,或者常規尺寸的TV顯示。而目前,mini-led技術提出的P0.X級別的小間距LED顯示屏,則主要應用於百英寸以上大尺寸TV、以及更大尺寸,數十上百平米顯示面積的工程顯示。

由此可見,mini-led和micro-led技術,對應於從1英寸到千英寸、從10微米間距到1000微米間距一個「技術參數範圍寬廣」、「應用場景截然不同」的巨大市場——而在這麼大的市場範圍內,均採用「巨量轉移」一種工藝技術,則有些忽略不同技術參數檔次產品的「差異性」!

即以百英寸和工程性拼接大屏應用為主,P0.4到P0.9產品間距的mini-led產品,採用巨量轉移技術時,mini-led晶體顆粒在50-200微米。這樣小的LED晶體顆粒,裂片之後,轉移過程中的位移較大。更大的移動空間對於轉移過程的實現提出新的挑戰: micro-led應用於智能手錶等小屏幕等超高PPI的巨量轉移技術,則在這一點上挑戰更小。

IMD技術的核心則是利用「有限規模的轉移、製作四合一,甚至十二合一的集成封裝模塊中間體」,將巨量轉移一次性的成品過程,變成兩步走,大幅度降低了技術難度,並以極高的比例保留了傳統LED屏顯示行業的「工藝流程」。顯然,IMD並不適合於micro-led面對的超高ppi產品,但是對於在傳統表貼到巨量轉移工藝所適應的間距之間的P0.X間距LED屏,IMD卻是一個「不錯的、適應性更強」的方案。

超大間距LED屏採用直插工藝、傳統小間距LED屏採用表貼工藝、大尺寸mini-led顯示屏,即P0.X產品採用IMD技術、micro-led標準下的超精細PPI標準的LED顯示系統採用巨量轉移技術……這種因產品自身技術需求和規格差異,採用截然不同的技術工藝方式方法的邏輯,符合LED顯示產業的一般發展規律。

某種意義上,最尖端的技術不等於市場的選擇。市場更需要「最合適」的技術。國星光電IMD技術,在P0.X市場的適應力超群。2021年隨著MiniLED IMD-M09標準版量產、擴產和降價,必然驅動P0.9級別產品真正走向普及。這一產品,也是目前P0.X級別小間距LED顯示產品全球率先向規模量產衝刺的技術。

從實驗性試產,到規模化、標準化產品量產,這一步的突破具有非常大的市場意義!」行業專家指出,國星光電領先發布MiniLED IMD-M09標準版必然打開小間距LED顯示的一個新時代,也將成為2021年行業爭鋒的關鍵競爭點之一。

MiniLED IMD-M09標準版可以應用於80英寸級別2K顯示產品,或者160英寸級別4K顯示產品,基本滿足會議、教育系統的顯示設備應用需求;並銜接高端小間距LED拼接工程的應用需求,部分滿足高端安防監控工程的應用需求;亦可以應用於電影院線屏幕的超高解析度高亮度顯示系統。這些應用領域都是小間距LED顯示目前主要的應用市場,或正在大力開拓的應用市場。

綜上所述,IMD技術在解決大多數小間距LED屏企業,在P0.X時代mini-led標準下的「量產、普及化」問題上優勢明顯。IMD-M09標準版的問世,將是推動P0.9產品,成為超微間距率先普及產品的關鍵裡程碑。小間距LED顯示,嶄新應用場景與應用時代的大門也將就此打開了!

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