一種高增益低噪聲的圖像探測器讀出電路設計

當前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著CMOS工藝及電路設計技術的發展,微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過採用專項技術，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開了CMOS圖像傳感器在微光領域應用的序幕。隨著對微光CMOS圖像傳感器研究的進一步深入，在不遠的未來，微光CMOS圖像傳感器的性能將達到夜視應用要求，在微光器件領域佔據重要地位。

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讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測器微弱的電流、電壓或電阻變化轉換成後續信號處理電路可以處理的電信號，它的噪聲水平限制著CMOS圖像傳感器在微光下的應用。微光條件下像素的輸出信號十分微弱，任何過大的電路噪聲、偏移都可以將信號湮沒，因此提高讀出電路輸出信號的SNR是微光設計的關鍵之一。本文採用的新型電容反饋跨阻放大型讀出電路CTIA電路，可以提供很低的探測器輸入阻抗和恆定的探測器偏置電壓，在從很低到很高的背景範圍內，都具有非常低的噪聲，其輸出信號的線性度和均勻性也很好，適合微弱信號的讀出。?

1 電路設計

為完成探測器輸出電流向電壓的精確轉化，所設計的電路由CTIA和相關雙採樣(CDS)組成，CTIA由反向放大器和反饋積分電容構成的一種復位積分器。其增益大小由積分電容確定。圖1為典型CTIA電路結構。

圖1 典型CTIA電路結構

當Reset信號為高時，MOS開關開通，由運算放大器的虛短特性可知，輸入端的電壓與Vref相等，此時積分電容兩端電壓相等，都為Vref。當reset信號變為低電平時，MOS開關關斷，由於輸入端的電壓由Vref控制，因此在積分電容Cf右極板上產生感應電荷並慢慢積累，右極板電壓逐漸增大，積分過程開始。最後電壓通過相關雙採樣電路讀出。

2 關鍵單元電路設計

2.1高增益低噪聲CTIA電路

為了提高讀出電路的增益，使電路能在比較短的積分時間內，讀出PA級的電流，電路中的積分電容要非常小。同時為了提高信噪比，在減小積分電容的同時，電路噪聲也要減小。在新型電路結構中，採用T型網絡電容加nmos開關，電路結構如圖2所示。

由於C1和C2的作用，使得Cf在CTIA反饋迴路中的有效值減少，其有效值為：Cfb=(C2Cf)/(Cf+C1+C2)，這樣Cf可以取相對較大的值，避免了使用小電容，因為小電容在工藝上較難實現，且誤差較大。在本電路中，Cf=20fF，C2=18fF，C1=150fF，則Cfb=2fF。

圖3為該電路的工作時序。

該電路可工作在高增益模式或低增益模式。在高增益模式，當reset為高電平時，gaIn導通，這時有效電容為Cf，當reset為低電平時，gaIn關斷，此時的積分電容為Cf、C1和C2組成的T型網絡電容，這樣保證了電路在復位時大電容，可有效降低噪聲，積分時小電容，可大大提高增益。當gaIn一直為高電平時，電路工作在低增益模式。

2.2相關雙採樣

相關雙採樣電路由兩組電容和開關組成，電路工作過程如下。首先，開始積分，R導通，相關雙採樣電路先讀出像素的復位信號，存儲Vreset電壓到電容Creset中。積分完成，開關S導通，將電壓Vread儲存到電容Csig中。最後，將存儲在兩個電容之上的電壓值相減得到最終的像素輸出電壓值：

Vout=Vouts-Voutr

這種結構可以很好的消除CMOS圖像傳感器中像素的復位噪聲、1/f噪聲以及像素內的固定模式噪聲。

3 噪聲分析

CMOS讀出電路中包括光探測器、MOS管和電容3種元件。光探測器和MOS管是讀出電路的主要噪聲源，這些噪聲包括：一方面光探測器和MOS管的固有噪聲;另一方面由讀出電路結構和工作方式引起的噪聲。

3.1光探測器噪聲

復位噪聲是由復位管引入的一種隨機噪聲。當像素進行復位時，復位管處於飽和區或亞閾值區，具體狀態取決於光電二極體的電壓值。復位管導通時可以等效為一個電阻，而電阻存在的熱噪聲將引入到復位信號形成復位噪聲。其大小與二極體的電容有關，復位噪聲電壓為

光電流散粒噪聲與照度有關，很難消除。與暗電流有關的散粒噪聲可以通過改變摻雜濃度減小暗電流，但這會降低量子效率。在本電路中，In=100fA，Is=20pA，Tint=20μs，Cint=2fF，則Vdarkn=0.28mV，Vsn=4mV。

3.2 讀出電路噪聲

閃爍噪聲也稱為1/f噪聲。在半導體材料中，晶體缺陷和雜質的存在會產生陷阱，陷阱隨機捕獲或釋放載流子形成閃爍噪聲。在讀出電路中，CTIA放大器是閃爍噪聲的主要來源。

CTIA讀出噪聲與輸入端電容Cin=Cpd、反饋電容Cfb，以及負載電容CL的設計均有關，其小信號噪聲模型如圖4所示。