晶體材料國家重點實驗室在有機晶體生長方法研究方面取得重要進展

2021-01-12 中華人民共和國科學技術部

    有機晶體在襯底上的原位集成是有機光電器件應用的基礎,在幾十年的研究中只能採用溶液法和物理氣相沉積法製備有機單晶。由於受低溶解度和複雜的工藝等限制,通常有機單晶器件只能作材料基本性質和極限性能的展示,並不能大規模應用。

    晶體材料國家重點實驗室劉陽和陶緒堂課題組經過悉心鑽研,開發了一種全新的「微距空氣升華法」原位生長有機晶體。該方法無需真空,速度快,適用材料範圍廣。其重要特徵在於原料與襯底之間的超微距離,因而使晶體生長遵循氣體-熔體-晶體的新機理,可以製備高質量的單晶。該研究以最具代表性的有機半導體材料紅熒烯單晶場效應器件為例,獲得了同類結構器件的最高遷移率記錄。

    該研究工作發明的方法具有成本低、易操作,適用範圍廣的優點,將極大地促進有機半導體晶體的研發。研究成果於近期在國際學術期刊Chemistry of Materials上發表,併入選美國化學學會推薦論文。

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