英特爾自旋電子學技術獲新進展 晶片尺寸可縮小5倍能耗降低至多30倍

2020-11-27 電子發燒友

英特爾自旋電子學技術獲新進展 晶片尺寸可縮小5倍能耗降低至多30倍

鳳凰科技 發表於 2018-12-04 14:10:54

北京時間12月4日消息，英特爾在一項被稱作自旋電子學的技術方面取得了進展，未來晶片尺寸可縮小5倍，能耗可降低至多30倍。

當地時間星期一，英特爾和加州大學伯克利分校研究人員闡述了他們在自旋電子學方面的最新進展，未來晶片尺寸將在當前基礎上縮小5倍，能耗將降低10至30倍。如果這一技術能成功商業化——這還是個大大的問號，它將為晶片產業帶來新活力。

目前的計算機晶片利用微型開關（電晶體）處理數據，自旋電子學能完成相似的任務，但元器件尺寸更小、更節能。

英特爾元件研究機構項目負責人薩思堪斯·馬尼帕特魯尼（Sasikanth Manipatruni）在一份聲明中說，「我們在努力在產業和電晶體研究領域引發新一輪創新。」《自然》雜誌星期一發表了這項研究論文，馬尼帕特魯尼是第一作者。

自旋是量子力學的一種基本屬性，電子像微型磁鐵一樣運動，有北極和南極，磁場方向——向上或向下——可以改變的，從而用來存儲或處理數據。英特爾-加州大學的論文研究如何利用自旋處理數據。

數十年來，晶片依賴於一種被稱作CMOS的技術。隨著元器件尺寸日趨接近單個原子大小，晶片的發展遇到了天花板。

英特爾-加州大學的研究被稱作MESO，利用了被稱作多鐵性材料的物質的自旋性質。

研究人員表示，與CMOS電晶體相比，MESO晶片對能耗的要求要低得多，因為它們不需要電能就能保持信息，提供在空閒時更節能的休眠狀態。

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