太陽能電池的發展新趨勢

太陽能電池的發展新趨勢

佚名 發表於 2009-12-28 09:26:20

太陽能電池的發展新趨勢

緊緊圍繞提高光電轉換效率和降低生產成本兩大目標的各種新型太陽能電池的研究工作，一直在各發達國家及一些發展中國家積極進行。所謂新型太陽能電池，是指用新材料、新結構和新工藝製造的太陽能電池。目前晶體矽高效太陽能電池和各類薄膜太陽能電池是全球新型太陽能電池研究開發的兩大熱點和重點。高效單晶矽太陽能電池的光電轉換效率已接近２５％，高效多晶矽太陽能電池的光電轉換效率已超過２０％。薄膜太陽能電池的研究工作主要集中在非晶矽薄膜電池、ＣｄＴｅ系薄膜電池、ＣＩＳ系薄膜電池和多晶矽薄膜電池上。非晶矽薄膜電池的研發，重點是研究解決電池的光致衰降和提高效率問題。經過努力，已有許多新的突破，實驗室的穩定效率已達１５％。ＣｄＴｅ系薄膜電池的實驗室效率已達到１６．４％，ＣＩＳ系薄膜電池實驗室效率已達到１９．２％，並且都已建立了效率超過１０％的中試規模的生產線。多晶矽薄膜電池的研究工作，自１９８７年以來發展迅速，目前實驗室效率已超過１７％，成為引起世界光伏界矚目的新熱點，前景看好。

下面對２１世紀前２０年期間世界太陽能電池的發展趨勢作一簡要預測。

高效率低成本晶體矽太陽能電池的研究開發

晶體矽太陽能電池在２１世紀的前２０年內仍將是居主導地位的光伏器件，在生產和應用總量中佔首位，並將向效率更高、成本更低的方向發展。

自１９５４年實用的太陽能電池問世以來，晶體矽太陽能電池一直在世界光伏市場居統治地位，佔太陽能電池總產量的８０％～９０％。預計這種地位在相當一個時期之內，還將會繼續保持。但將矽材料變成適合於製造電池的矽片，要採用大容量的晶體生長裝置和價格昂貴的切割設備，並且製造溫度高，要消耗相當多的電能，因而目前矽片的生產成本高達１．５美元/Ｗ左右。正在研究試驗用切薄矽片、擴大平面晶體或採用聚光等方法，力爭把矽片的生產成本降低一半左右。預測採用各種新方法和新工藝，在今後５～１０ａ間有望把矽片的生產成本降低到１美元/Ｗ左右，並將在１５ａ間進一步降低到接近０．５美元/Ｗ。這樣，太陽能電池組件的生產成本，就會從目前的約２～２．５美元/Ｗ，降低到１０～１５ａ後的１美元/Ｗ左右。隨著光伏市場的不斷發展擴大，１０ａ後光伏系統的價格將會降到６美元/Ｗ，２０ａ左右可以進一步降低到接近３美元/Ｗ，發電成本約為０．１美元/ｋＷ．ｈ。如果民生電價在今後２０ａ間翻一番的話，那麼民用光伏系統的電價到２０２０年前後就可達到與常規能源的電價相持平，而進入公共電網。

為實現這樣的設想，必須立項目、投資金，積極開展高效率、低成本晶體矽太陽能電池的研究開發工作。

制約晶體矽太陽能電池光電轉換效率進一步提高的主要技術障礙有：①電池表面柵線遮光影響；②電池表面光反射損失；③光傳導損失；④內部複合損失；⑤表面複合損失等。針對這些障礙，近些年來研究開發了許多新技術、新工藝，主要有：①雙層減反射膜，②雷射或機械刻槽埋藏柵線技術；③絨面技術；④背點接觸電極克服技術；⑤高效反射器技術；⑥光吸收技術等。

降低矽材料的生產費用，是降低太陽能電池成本的關鍵。多晶矽電池的材料成本比單晶矽電池的材料成本低，應作為研究開發的重點。主要研發的問題有：①多晶矽材料製備的新技術；②快速摻雜表面處理技術；③提高矽片質量的新技術、新工藝等。

太陽能電池的短路電流、開路電壓和填充因子都達到最大值時，可以得到最高的轉換效率。但由於它們相互影響和制約，並受到材料內在質量的影響，同時提高三者是很困難的，一般情況下只能單獨改善其中的某一項。提高短路電流可從光吸收和光譜響應兩方面努力。在太陽光譜中短波光的能量很大，而常規矽電池的短波響應卻很差。為展寬電池光譜響應的峰區，研製了具有淺結、密柵及「死層」薄特徵的紫光電池。常規矽電池表面雖有減反射膜，但單層的減反射膜仍對波長有選擇性。無反射電池即絨面電池，則由於表面不平整，可多次吸收入射光，並且沒有對波長的選擇性，因而在較寬波長範圍內光能的吸收量增大，進一步提高了短路電流。提高電池的開路電壓能提高電池的轉換效率，而具有背面場的電池，開路電壓、短路電流和填充因子都可得到提高。這些新工藝、新技術已在高效電池中得到應用，並取得了好的效果。當前的目標，是不但要研發新的工藝、新的技術和新的器件結構，而且也要研發向工業生產的轉移問題、降低電池和組件的成本問題。

下面對幾種高效率，低成本矽太陽能電池的研發情況作一簡介。
１．發射極鈍化及背面局部擴散太陽能電池?ＰＥＲＬ　
電池正反兩面部進行氧鈍化，並採用光刻技術將電池表面的氧化矽層製作成倒金宇塔，如圖１所示。兩面的金屬接觸面都進行縮小，其接觸點進行了硼與磷的重摻雜。用此法製備的單晶矽電池效率已達２４．７％，多晶矽電池效率已達１９．８％。

圖１ ＰＥＲＬ太陽能電池

２．埋柵太陽能電池?ＢＣＳＣ　

採用雷射刻槽或機械刻槽。雷射在矽片表面刻出寬度為２０μｍ左右的槽，然後化學鍍銅，以形成電電極，如圖２所示。它的主要特徵是：①隨機絨面，降低了表面反射率；②選擇性發射極，獲得了最佳的光譜響應及最小的接觸電阻。③雷射刻槽埋柵電極（ＬＧＢＧ），達到了最小的遮光率，高電導率的銅電極。這種電池的批量生產效率已達１７％，因此已具有工業化生產的意義。目前我國這種電池的實驗室效率為１９．５５％。

圖２ ＢＣＳＣ太陽能電池

３．高效背表面反射器太陽能電池?ＢＳＲ　
在這類電池中，太陽能電池的背面和背面接觸之間用真空蒸鍍的方法沉積一層高反射率的金屬表面?一般為鋁　，能被電池吸收並轉換為電能光的波長。對矽電池來說，約為１１５０ｎｍ，比它更長的任何輻射波都容易透過半導體材料進入背表面反射器。電池的厚度越薄，背反射器的作用越明顯。所謂背反射器，就是將電池背面做成反射面，它能反射透過電池基體到達背表面的光，從而增加光的利用率?見圖３　。這樣，可增加電池對長波光的吸收，使短路電流增加。並且它還能把到達背面的波長大於電池光譜響應截止波長的紅光反射出去，從而降低電池的吸收係數。測試表明，普通矽電池太陽吸收係數αｓ。為０．７８１±０．０２０，而此電池為０．７４０±０．０２０。這就減輕了其有害影響，因為這部分光不僅不能產生光生載流子，而且產生熱效應，使電池溫度升高，導致效率下降。

圖３ 背面反射器太陽能電池和普通矽太陽能電池的
反射率與光波波長的關係

４．高效背表面場和背表面反射器大陽能電池（ＢＳＦＲ）。
它也稱為漂移場太陽能電池。此電池是在ＢＳＲ電池結構的基礎上再做一層ｐ＋層。這種場有助於光生電子－空穴對的分離和少數載流子的收集。但這種ｐ＋場容易受空間高能粒子輻射的影響而發生衰減，比ＢＳＲ電池抗高能粒子損傷的能力差。其目前的最高效率為１４．８％。

５．高效低阻矽太陽能電池?ＲＥＳＣ　

它是一種用電阻率為０．２Ω·ｃｍ和０．３Ω·ｃｍ的ｐ型區熔矽製成的電池。其特點是在電池的發射區製備一層鈍化層。這種結構的電池，減少了表面密度，抑制了表面複合速度。其擴散結較深，約為０．７μｍ，在保持較高短路電流密度?３９．２ｍＡ/ｃｍ２　的同時，具有相當高的開路電壓?６７０ｍＶ　和較高的填充因子（８２．１％）。該電池在ＡＭ１．５、１００ｍＷ/ｃｍ２、２５℃±２℃的條件下測試，其轉換效率可達２１．６％。

各類新型薄膜太陽能電池的研究開發

薄膜太陽能電池由沉積在玻璃、不鏽鋼、塑料、掏瓷襯底或薄膜上的幾微米或幾十微米厚的半導體膜構成。由於其半導體層很薄，可大為節省電池材料，降低生產成本，因而是最有前景的新型太陽能電池，已成為當今世界光伏技術研究開發工作的重點項目、熱點課題。下面對幾種主要薄膜太陽能電池的研發情況作一簡介。

１．非晶矽薄膜太陽能電池

非晶矽薄膜電池誕生於１９７６年，是用非晶矽半導體林料製備的一種薄膜電池。非晶矽半導體材料的最基本特徵是組成原子的排列為長程無序、短程有序，原子間的鍵合類似晶體矽，形成一種共價無規網狀結構。這種結構，不是無規理想的網絡模型，其中含有一定量的結構缺陷、懸掛鍵、斷鍵和空洞等。非晶矽電池的工作原理與單晶矽電池類似，都是利用半導體的光生伏打效應實現光電轉換。與單晶矽電池不同的是，非晶矽電池光生載流子只有漂移運動而無擴散運動，原因是由於非晶矽結構中的長程無序和無規網絡引起的極強散射作用，使載流子的擴散長度很短。如果在光生載流子的產生處或附近沒有電場存在，則光生載流子受擴散長度的限制，將會很快複合而不能吸收。為能有效地收集光生載流子，將電池設計成為ｐｉｎ型，其中ｐ層是入射光層，ｉ層是本徵吸收層，處在ｐ和ｎ產生的內建電場中。當入射光通過ｐ＋層進入ｉ層後，產生電子－空穴對，光生載流子一旦產生後就由內建電場分開，空穴漂移到ｐ＋邊，電子漂移到ｎ邊，形成光生電流和光生電壓。

非晶矽薄膜電池可以用玻璃、不鏽鋼、特種塑料、陶瓷等為襯底（圖4為非晶矽薄膜電池結構的示意圖）。玻璃襯底的非晶矽電池，光從玻璃面入射，電池的電流從透明導電膜(TCO)和鋁電極引出。不鏽鋼襯底的非晶矽電池與單晶矽電池類似，在透明導電膜上製備梳狀銀電極，電池的電流從銀電極和不鏽鋼引出。雙疊層的結構有兩種：一種是兩層結構使用相同的非晶矽材料；一種是上層使用非晶矽合金，下層使用非晶矽鍺合金，以增加對長波光的吸收；上層使用寬能隙的非晶矽合金做本徵層，以吸收藍光光子；中間層用含鍺約15%的中等帶隙的非晶矽鍺合金，以吸收紅光。三疊層的結構與雙疊層的結構類似。

非晶矽材料是由氣相沉積法形成的。根據離解和沉積方法的不同，可分為輝光放電分解法(GD)、濺射法(SP)、真空蒸發法、光化學氣相沉積法(CVD)和熱絲法（HW）等多種。其中等離子增強化學氣相沉積法（PECVD）是已被普遍採用的方法，其裝置的示意圖如圖5所示。在PECVD沉積非晶矽的方法中，PECVD的原料氣一般採用SiH4和H2，製備疊層電池時用SiH4和GeH4，加入B2H6和PH5可同時實現摻雜。SiH4和GeH4在低溫等離子體的作用下分解產生a-Si或a-SiGe薄膜。此法具有低溫工藝和大面積薄膜的生產等特點，適合於大規模生產。

一般來說，pin集成型以玻璃為襯底的非晶矽電池的製造工序為：清洗並烘乾玻璃襯底——生長TCO膜——雷射切割TCO膜——依次生長pin非晶矽膜——雷射切割a-Si膜——蒸發濺射AI電極——雷射切割AI電極(或掩膜蒸發AI電極)。

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