據ASML 之前公布資料顯示,一部長度超過10米、高度達兩層樓的EUV光刻機,每臺設備有超過10萬個零件,加上3千條電纜線、4萬個螺栓及2公裡長的軟管等零組件,最大重量達180噸。
整部光刻機是由「照明光學模組」(Illumination & Projection)、「光罩模組」(Reticle)及「晶圓模組」(Wafer)三大部分組成。
為了讓大家更了解EUV 基本運作方式,ASML 日前在官網解釋EUV 三大模組的功能。
「照明光學模組」部分,ASML 解釋這是EUV 最核心的執行模組。這裡紫外光由「光源模組」(Source)生成後,就導入「照明光學模組」。過程還必須進行檢測與控制光的能量、均勻度及形狀。之後再將紫外光穿過光罩,藉由聚光鏡(Project Lens)將影像聚焦成像在晶圓表面的光阻層。
ASML 還解釋了EUV 另一個「光罩模組」的功能。「光罩模組」可分為「光罩傳輸模組」(Reticle Handler)和「光罩平臺模組」(Reticle Stage)兩部分。「光罩傳輸模組」主要負責將光罩由光罩盒一路傳送到「光罩平臺模組」,之後「光罩平臺模組」負責承載並快速來回移動光罩,以方便「照明光學模組」曝光,將電路設計版圖影像(Pattern)刻在晶圓上。
最後在「晶圓模組」部分,ASML 表示分為「晶圓傳送模組」(Wafer Handler)及「晶圓平臺模組」(Wafer Stage)兩大塊。「晶圓傳送模組」負責將晶圓從光阻塗布設備一路傳送至「晶圓平臺模組」,「晶圓平臺」則是微影設備關鍵的定位模組(Positioning Module)裝置,因EUV 系統設計整合機械電子學、光學設計及量測學(包含量測、數據處理及控制)等,使雙晶圓平臺能在同時間移動兩片矽晶圓,其中一邊晶圓於紫外光曝光下,將電路設計圖影像(Pattern)刻在晶圓上,另一邊晶圓同時由機臺量測儀器優化準確度(Alignment)。如此,兩個平臺交替執行微影和量測功能,大大提升製程效率。
(圖片來源:ASML)
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