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三星發現全新半導體材料:內存、快閃記憶體迎來革命-三星,無定形,氮化硼...
三星電子宣布，三星先進技術研究院(SAIT)聯合蔚山國家科學技術院(UNIST)、英國劍橋大學，發現了一種全新的半導體材料「無定形氮化硼」(amorphous boron nitride)，簡稱a-BN，有望推動下一代半導體晶片的加速發展。
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託內存的福 三星或成為世界第一大半導體廠商
【中關村在線新聞資訊】11月24日消息：市場調研公司IC Insights近日發布了一份調查，稱三星將在今年成為世界第一大半導體廠商，超過幾十年來一直霸佔此位的英特爾。 IC Insights表示，三星今年在半導體製造方面投資了260億美元，佔全球總投資額的29%；而在半導體方面的營收也將達到656億美元，佔到市場份額的15%
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三星發現了一種全新半導體材料 有望推動下一代半導體晶片的加速發展
7 月 6 日消息 三星電子周一宣布，發現了一種全新半導體材料 「無定形氮化硼 (amorphous boron nitride)，簡稱 a-BN」，並表示有望推動下一代半導體晶片的加速發展。近年來，三星 SAIT一直在研究二維(2D)材料具有單原子層的晶體材料的研究和開發。
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三星發現新型半導體材料無定形氮化硼
三星電子近日宣布，發現了一種全新半導體材料 「無定形氮化硼 (amorphous boron nitride)，簡稱 a-BN」。 三星高級技術學院SAIT的研究人員與蔚山國立科學技術學院UNIST和劍橋大學合作，發現了一種名為非晶態氮化硼(a-BN)的新材料，它可能成為新一代半導體的材料，加速下一代半導體的問世，這項研究已經在《自然》雜誌上發表。
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三星官宣:半導體技術新突破,發現二維新材料,晶片將更小更快!
7月6日，三星電子官網發文稱，通過發現新的半導體材料，已經向「理想半導體」邁出了一步，未來的半導體晶片將會變得更小更快。三星電子技術學院最近表示，他們與蔚山科技學院合作，成功發現了新材料「非晶氮化硼（a-BN）」。
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前瞻半導體產業全球周報第66期:美國晶片禁令即將生效!三星、SK...
中京電子入股華洋電子 進一步布局半導體封裝材料日前，中京電子發布公告稱，擬增資入股天水華洋電子科技股份有限公司(簡稱「華洋電子」)，以促進公司在半導體封裝材料領域的進一步發展。華洋電子成立於2009年7月，主營業務為半導體與集成電路封裝用引線框架的研發、生產和銷售。
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官宣新材料,三星能否再次定義存儲市場?
新材料名為「無晶態氮化硼」，或將能夠解決石墨烯與矽基半導體工藝的兼容性。近日，三星電子宣布發現了一種全新的半導體材料「無晶態氮化硼（amorphous boron nitride，簡稱a-BN）」，或將「加速下一代半導體的發展」。
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NAND漲價都怪氟化氫,它對半導體製造有什麼用?
有分析人士指出，日本的這一貿易制裁或將嚴重影響韓國、乃至全球半導體供應鏈產能，導致內存、快閃記憶體、OLED屏幕等產品面臨漲價風險，波及包括智慧型手機在內的所有系統廠商。，三星也在旗下的半導體製造工廠中採用了該公司的氟化氫。
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內存漲得比房價還快,背後到底有什麼秘密?
所謂內存，其實是「存儲器」(Memory)的一種，這是利用半導體技術製成的存儲數據的電子設備，根據性質不同，主要分為兩大類：而目前漲價比較猛的內存主要是指動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，簡稱 DRAM)，屬於易失性存儲器;此外，固態硬碟(Solid State Drive，簡稱 SSD)和 NAND 快閃記憶體還是手機、電腦成本的大頭
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快科技2020年度評獎:內存硬碟篇
2020年即將迎來終點，回望過去今年的存儲產品市場依然是表面風平浪靜，背地裡暗流湧動。風平浪靜指的是內存、SSD及HDD硬碟技術在2020年依然是常規升級，DDR4內存這兩年都是尾聲階段，前兩年推出的DDR4-4800、DDR4-5000內存在今年依然還是性能頂流，性能上主要的進步倒是今年的超頻紀錄破了7GHz的紀錄，比去年的6GHz在高一頭。
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三星與科研團隊共同發現一種半導體新材料非晶氮化硼(a-BN)
三星宣布與合作夥伴一同發現了一種名為非晶氮化硼（a-BN）的新材料。其在三星先進技術研究院(SAIT)的研究人員與蔚山國立科學技術研究院(UNIST)以及劍橋大學合作進行了這一發現。合作者在《自然》雜誌上發表了他們的研究成果，並認為這種材料將 "加速下一代半導體的出現"。
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韓國實現存儲技術新突破,內存容量翻整整1000倍
FeRAM 已成為下一代存儲器半導體，可取代現有的 DRAM 或快閃記憶體，因為它速度更快，功耗更低，在電源關閉後仍然能保留存儲的數據。但是，鐵電存儲器的一個主要缺點是存儲容量有限。為了增加存儲容量，就需要儘可能減小鐵電晶片的尺寸。然而根據鐵電的性質，物理尺寸的減少導致極化現象的消失，而極化現象是鐵電儲存信息所依賴的基本原理。目前，鐵電域的形成，至少需要數千個原子。
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韓國實現存儲技術新突破，內存容量翻整整1000倍
FeRAM 已成為下一代存儲器半導體，可取代現有的 DRAM 或快閃記憶體，因為它速度更快，功耗更低，在電源關閉後仍然能保留存儲的數據。李教授和他的研究小組發現，通過向半導體材料中添加一滴電荷，可以控制4個原子來存儲1位數據。這項開創性的研究推翻了現有的模式，將數千個原子縮減到了4個。如果能夠成功應用，半導體存儲器可以存儲 500 Tbit每平方釐米，比當前可用的快閃記憶體晶片大整整1000 倍。
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單條64GB的DDR5內存箭在弦上:DDR4卻搞起么蛾子了
當然，DDR5內存最終還要等待Intel、AMD的下一代處理器平臺才行，12代酷睿、Zen4將會帶來對DDR5的完整支持。 最後說說內存行情。 晶片設計、晶圓代工、內存快閃記憶體設計生產等，三星的觸角囊括了多個重要的半導體領域。
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打不死的小強,罵不倒的三星
的確，三星集團的業務觸及人們衣食住行的各個方面，但我們最常接觸到的，其實更多的是集團旗下的三星電子，而三星電子最為人熟知的，就是手機。三星電子的主要業務可以大致分為電視、半導體、手機、顯示面板四大部分，而這其中的收入大頭是手機，但最賺錢的卻是半導體業務。半導體業務的利潤佔比一般在三星總利潤的六成以上，去年第二季度最高的時候一度來到了67%左右。
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...華虹半導體第三代90nm快閃記憶體工藝平臺量產;三高微電子專業通過...
【典範】大基金或參與 興森科技擬投30億元建半導體項目；華虹半導體第三代90nm快閃記憶體工藝平臺量產；三高微電子專業通過工程教育認證
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64層3D TLC快閃記憶體 三星860 EVO 2TB SSD圖賞
[來自IT168]三星在2018年初發布了860 PRO/EVO SSD的新品，快閃記憶體顆粒為三星自家的第四代V-NAND，堆棧層數由之前的48層提升到64層，而860 PRO/EVO兩者之間的區別就在快閃記憶體類型上（860 PRO是MLC，860 EVO是TLC），之前我們已經為大家解讀了
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都是存儲器,但RAM、ROM、快閃記憶體、硬碟怎麼分?
曾經有一段時間，我對電腦、手機上的RAM、ROM、內存、快閃記憶體、運行內存、機身內存、存儲空間等都"傻傻分不清楚"，後來花了不少時間，才把這幾者的來龍去脈分清楚。總的來說上面那些算是存儲器，從存儲器的材質來看，大概可以分為三種，分別是磁性的機械硬碟、DVD和藍光類的光碟，而第三種則是今天要講的主人公，半導體存儲器，顧名思義，它是用半導體集成電路工藝製成的存儲數據信息的固態電子器件。
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一家中國公司製造了可以與三星競爭的存儲晶片。下一步是什麼?
一家成立於2016年的公司希望收購三星，SK海力士，美光和英特爾。在中國半導體行業的一個裡程碑中，武漢揚子存儲技術有限公司上周宣布，它已經在內部開發了128層NAND快閃記憶體晶片（128L）。武漢揚子發言人告訴黑臉，該公司預計大規模生產將在2020年底至2021年中期之間開始。
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擊穿日本半導體行業的一支奇兵——韓國三星
雖然時間線已經來到了90年代初，但是如果想要全面了解這個「擊穿」日本半導體行業的企業——三星，仍然需要從20世紀初期的韓國歷史開始說起。日本對朝鮮的殖民統治。扶持鄰國——韓國，擴大亞太地區影響力，同時制約日本半導體行業。1978年，三星集團旗下的三星半導體、三星電子正式獨立。這時候的三星，在半導體行業還不具備影響力，一切都是從「0」開始。