中科院:5nm實驗室技術實現大飛躍

2020-12-11 騰訊網

現在當今世界，5nm晶片生產工藝可以說是最尖端的科技，國內現在最先進的中芯國際公司也才剛剛突破N 1生產工藝，能夠實現大概7納米生產工藝水平。近日中科院表示張子暘團隊光刻方面取得研究進展，在5nm光刻工藝上研發出來一種新型的5nm晶片的加工方法。當前在5納米晶片加工生產中，主流生產技術是光刻技術和極紫光光刻技術兩種，而張子暘團隊的5nm工藝則是在無掩模光刻技術上的一項研究。傳統中的無掩模光刻技術的成本非常低，但是雷射的精度卻難以掌控，這也是這項技術難以量產應用的原因。

而這次，張子暘團隊進行研究的就是無掩膜光刻技術，這次研究通過雙雷射束交疊技術達到了5納米的光刻精度，能夠實現5納米晶片的生產。這樣的技術不僅讓無掩模光刻機光刻精度大大提升，達到了生產5nm晶片的要求，而且生產效率也有所提高。據中國微米納米技術學會報導，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所張子暘研究員，與國家納米科學中心劉前研究員合作，在其發表的論文講述了該團隊開發的新型 5 nm 超高精度雷射光刻加工方法。

當然，這個還是一個實驗室的技術，想成功應用到生產當中去，可能還需要不短的路要走，但是畢竟5nm光刻新技術已經實現突破，接下來只要在設備製造和生產商再次獲得突破，那麼未來可能5nm直刻技術就能夠很好的應用到生產中去。而且現在張子暘團隊在5納米晶片生產研發獲得突破，採用的設備應該全部是自研設備，如果未來這項技術能夠獲得量產的話，那麼我國晶片製造產業可能將會實現飛躍發展。甚至未來有可能一改世界晶片製造設備生產的格局，可能讓ASML就會難受。

從現在來看，國內在晶片製造領域內也在做兩方面的準備和研究。一個是雷射直刻技術，一個就是在研發更先進的EUV光刻機。如果這兩個晶片光刻方面的頂尖設備和頂尖生產技術，科研院所以及企業能夠獲得更快的突破，那麼未來我國生產5納米晶片，甚至是更先進的3納米，2納米的晶片都將成為可能，那麼未來我國的晶片產業發展將會發展的更好。

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    5nm光刻技術獲突破的新聞，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所張子暘研究員，與國家納米科學中心劉前研究員合作，在《納米外報》上發表了一篇研究論文，述了該團隊開發的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法。中科院突破5nm光刻技術的新聞，恰逢華為遭遇美國技術封鎖、尋求出路的時刻。這一突破讓國人看到了希望。消息一出，社交媒體上一片沸騰。但隨後這條新聞被刪除。
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    今年7月，中國科學院官網上發布了一則研究進展，中科院蘇州所聯合國家納米中心在《納米快報》（Nano Letters）上發表了題為《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap
  • 中科院的5nm光刻技術,和ASML的5nm光刻機是兩碼事
    但這麼重要的設備，國內水平較為落後，目前還在90nm節點，只能用於90nm晶片的製造，屬於低端產品，而ASML最強，可用於5nm晶片的生產，中間隔了10年以上的技術。但重要的是當晶片進入到7nm時，必須要用到EUV光刻機，即紫外線光刻機，波長為19.3nm的光源，這種光刻機只有ASML能夠製造，而中國芯要實現7nm或以下技術，就得看ASML的臉色，要看對方賣不賣EUV光刻機給你。
  • 媒體稱中科院實現5nm晶片光刻機,傳到美國那裡就是「笑話」
    雷射直寫光刻機由於不需要掩模板，所以非常有利於實驗室環境。 可是該文章中並沒有提到5nm是用於晶片製造，而是研究團隊利用雷射直寫技術，實現了納米狹縫電極陣列結構的規模生產
  • 中科院5nm光刻技術研發成功,但有人卻不看好,這是為什麼?
    看到這個消息，不同的人有不同的反應，有的人認為這個技術上的突破只是處於實驗階段，沒有實際性的應用意義，離量產還有很長的路要走，甚至認為這種路線不可能用於工業生產，只能用於實驗室。但我認為中科院5納米光刻機技術的研發成功，對我國光刻機的研發具有重要的意義。中科院所研發的這種5納米光刻技術跟傳統的光刻技術有很大的差別，傳統的光刻機技術是通過縮短波長來達到提高光刻精度的目的。但是根據摩爾定律，光刻機每縮小一個波長其技術難度都大大增加，目前全球最先進的光刻機可以實現7納米光刻，通過工藝上的改進之後，可以實現5納米甚至3納米的光刻。
  • 中科院5nm光刻技術，突破ASML壟斷？看研發者是怎麼說的
    眾所周知，今年7月份的時候，網上傳出一則重大消息，那就是中科院發布了一篇文章《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》，這篇文章介紹了中科院團隊研發的一種新型的5nm超高精度雷射光刻加工方法。於是網友們沸騰了，把它與5nm光刻機聯繫起來，說中國有了5nm光刻技術，打破了ASML的封鎖，還有什麼彎道超車，不需要極紫外錢也能實現5nm等等。
  • 中科院突破5nm光刻技術壟斷?事實殘酷卻又是把雙刃劍
    中科院突破5nm光刻技術壟斷？中科院研發的5nm超高精度雷射光刻加工方法的主要用途是製作光掩模，因為目前國內製作的掩模板主要是中低端的，裝備材料和技術大多來自國外。消息一出，網友熱情開始冷卻，但此事其實是把雙刃劍，一方面，5nm晶片設備的掣肘依然存在；另一方面，最少說明我們在5nm相關的光刻領域又前進了一步，一口氣吃不成胖子，腳踏實地才能在5G時代打造出100%的國產晶片。
  • 中科院突破5nm光刻技術壟斷？事實殘酷卻又是把雙刃劍
    該論文的通訊作者博士生導師劉前特別強調，「不用EUV光刻機就能造成5nm晶片」是一個誤讀，超解析度雷射光刻技術與極紫外光刻技術是兩回事。中科院研發的5nm超高精度雷射光刻加工方法的主要用途是製作光掩模，因為目前國內製作的掩模板主要是中低端的，裝備材料和技術大多來自國外。
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  • 中科院公開發聲:打破ASML5nm光刻機壟斷,這是誤讀
    用EUV光刻機才能夠製造5nm晶片，所以一臺5nm光刻機的重要性不言而喻。聯繫到中科院要布局光刻機，把光刻機，晶片等技術列為科研清單，讓國內一眾民眾歡呼雀躍。而且之前中科院網站上也發布了一篇關於「5nm光刻技術獲突破」的論文更是讓網友沉不住氣了，紛紛發布國產光刻機突破5nm，打破ASML 5nm光刻機壟斷等話題。
  • 中科院成功研發2nm晶片!現在是萬事俱備,只欠2nm的光刻機!
    這個「軟肋」並不是說我國現在不具備晶片技術或是正產製造晶片的能力，只是相比西方國家先進的技術，我國的半導體行業相對落後。曾經在半導體領域，日本掌握著最先進的技術，如果美國不對日本的半導體行業出手的話，現在美國矽谷的地位根本就排不上。美國對日本打壓成功之後，現在的美國的晶片比較先進，已經實現了5nm技術，但是我國的晶片製造相對落後，目前還停留在14nm的工藝上，中間相差了幾個技術段位。
  • 國產晶片或跨過5nm？清華教授魏少軍：需要攻克3個關鍵技術
    ，國產晶片有望跨過5nm。魏少軍表示現在的集成電路再一次遇到了分叉口"新器件、新材料、新工藝，微納系統集成外加晶片架構這三大領域的創新，將成為中國集成電路領域跨越5nm工藝的過程中"（引用）。架構的創新、器件結構的選擇、異質器件系統集成等都是很關鍵。有困難，也有轉機，而國內也在積極應對。
  • 中科院研發者回應5nm光刻技術突破ASML壟斷:這是一個誤讀
    近日，中國科學院官網上發布的一則研究進展顯示，該團隊研發的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法，隨後這被外界解讀為，該團隊已經突破了5nm ASML的壟斷，對此相關人士也是進行了回應。據《財經》報導稱，該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前公開回應稱，這是一個誤讀，這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。按照劉前的說法，如果超高精度雷射光刻加工技術能夠用於高精度掩模版的製造，則有望提高我國掩模版的製造水平，對現有光刻機的晶片的線寬縮小也是十分有益的。
  • 中科院5nm光刻技術另一面：擁有這項光刻技術的企業多家已上市
    最後來個終極靈魂拷問，傳統的光學有掩模光刻技術在ASML的努力下不斷逼近物理極限，ASML最新的NXE3400C型EUV光刻機已經用於5nm製程晶片的生產，第二代EUV光刻機有望進一步提升至1nm，但是1nm之後呢，光刻技術向何處發展？實際上在有掩模光刻技術之外還發展出了無掩模光刻技術。
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    最近，中科院再次傳來好消息，我國的光刻技術有了新的突破，有了先進的光刻技術，未來中國人通過光刻機就可以研發自己的晶片5nm光刻技術獲重大突破不得不說，2020年是一個神奇的年份，我國先是成功研製出了28nm的光刻機，後來經過多次試驗又突破了10nm和7nm的光刻技術，而在最近，世界上最頂尖的5nm光刻技術也被我國科學家成功突破。
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    ，目前已經成功突破5nm晶片工藝，並且成功量產。但是5nm並不是終點，而是對高端工藝探索的起點。在臺積電的計劃中，明年就能發布有關3nm的產品，並且在2022年嘗試量產3nm，到2023年就能正式大規模量產。這是臺積電對未來技術發展的一項完整規劃，但其實不只是3nm，包括2nm也計劃在2024年實現突破。2nm是怎樣的層次，可能是目前無法窺探的。
  • 中科院5nm雷射光刻技術到底是什麼？
    這幾天，媒體上超嗨的一條，就是中科院5nm雷射光刻技術突破，下面量子菌給你專業解讀這篇論文。本來這篇研究論文，是微納加工領域裡的一個進展，實驗室研究，和工業界沒啥關係，誰知道題目裡的「lighography」 一下子撓到了某些媒體的某點。
  • 中科院研發者回應5納米光刻技術突破ASML壟斷
    《納米快報》（Nano Letters）上發表了題為《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團隊研發的新型 5 納米超高精度雷射光刻加工方法。