作者：唐宇
在國家政策與資金的大力支持下，我國半導體行業的上市熱潮一波接著一波，中芯國際與寒武紀的「登臺亮相」，更是激發了市場關注半導體產業的熱烈情緒。2020年9月28日國內領先的半導體功率器件設計企業無錫新潔能股份有限公司（下稱「新潔能」）正式登陸上交所主板掛牌交易。
主營MOSFET、IGBT等半導體晶片和功率器件的新潔能成立於2013年1月，2016年9月掛牌新三板，被媒體稱為國產分立器件行業的「獨角獸」。公司是行業內專業化垂直分工廠商，產品製造與封裝測試環節主要外包給代工企業，產品廣泛應用於消費電子、汽車電子、工業電子以及新能源汽車、充電樁、智能裝備製造、物聯網、光伏新能源等領域。
新潔能本次擬公開發行股票不超過2530萬股，不低於發行後總股本的25%。公司募集資金投資項目主要包括「超低能耗高可靠性半導體功率器件研發升級及產業化」、「半導體功率器件封裝測試生產線建設」、「碳化矽寬禁帶半導體功率器件研發及產業化」和「研發中心建設」等。
分立器件領域國產替代中堅力量
MOSFET、IGBT誕生於上世紀七八十年代，是半導體分立器件中的後起之秀，主要作用為實現電能的處理與變換，其中IGBT作為能源轉化與傳輸的核心器件，更是被稱為電力電子裝備的CPU。然而，在國內市場二極體、三極體、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，但MOSFET、IGBT等由於其技術及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口。
因此，國內MOSFET、IGBT受制於人的現狀急需改變。而新潔能作為國內惟一一家完全基於先進8英寸晶圓片工藝平臺、專門從事MOSFET和IGBT研發設計的業內領先公司，正是我國分立器件領域推動國產替代的中堅力量。
實際上，從股東背景、技術、核心供應商等方面來說，新潔能確有這樣的實力。招股資料顯示，新潔能的控股股東、實際控制人、董事長兼總經理朱袁正本科和碩士分別畢業於吉林大學半導體化學專業和新加坡國立大學計算機與電力工程專業；曾在中國華晶電子集團公司、新加坡微電子研究院、德國西門子松下等公司工作，在半導體行業內擁有長達31年的研究和工作經歷，是國內MOSFET等半導體功率器件領域研究及產業化的親歷者和先行者，積累了豐富的晶圓矽材料製備經驗、集成電路製程工藝經驗、研發設計和管理經驗。
此外，新潔能股東還包括達晨創投、上海貝嶺、國聯創投、金浦新投、祥禾湧安、武嶽峰等國內知名投資機構與半導體行業龍頭企業。值得一提的是，公司第三大股東上海貝嶺是國內集成電路行業第一家上市公司、國家規劃布局內重點集成電路設計企業，擁有國家級企業技術中心，公司目前集成電路產品業務覆蓋五大產品領域。
在技術實力上，新潔能基於全球半導體功率器件先進理論技術開發領先產品，是國內率先掌握超結理論技術，並量產屏蔽柵功率MOSFET及超結功率MOSFET的企業之一，也是國內最早同時擁有溝槽型功率MOSFET、超結功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產品平臺的本土企業之一。截至2020年1月19日，公司擁有97項專利，其中發明專利35項、實用新型59項，外觀設計3項。
核心供應商方面，新潔能晶片代工及封裝測試環節主要通過向供應商採購，公司擁有華虹宏力、華潤上華、中芯集成等國內少數幾家具備MOSFET、IGBT等8英寸半導體晶片代工能力的本土晶片代工供應商；在封裝測試環節，公司主要與長電科技、安靠技術、通富微電等全球領先的封裝測試企業合作，一定程度上保證了公司產品的領先性與質量穩定性。
中國半導體功率器件十強企業
多方面的優勢與在行業細分領域的辛勤耕耘，為新潔能贏得了行業領先地位、大量優質客戶與持續快速提升的公司業績。
2016年以來，在中國半導體行業協會發布的中國半導體功率器件企業排行榜中，公司連續四年名列「中國半導體功率器件十強企業」，且排名持續上升。與此同時，憑藉較強的產品技術、豐富的產品種類、優良的產品質量以及優質的銷售服務，新潔能已進入多個下遊細分領域，為包括海爾、三星、富士康、中興、納恩博、視源股份、寧德時代在內的數十家下遊行業內龍頭客戶供貨。業績方面，2016年至2019年，新潔能業績增長迅速，公司分別實現營業收入4.22億元、5.04億元、7.16億元和7.73億元，淨利潤3,603.85萬元、5,189.11萬元、14,141.89萬元和9,820.95萬元。
根據新潔能招股說明書披露內容，公司結合2020年1-6月經營及財務數據，預計2020年1-9月營業收入區間為64,000.00萬元至65,500.00萬元，同比上漲18.05%至20.82%；預計2020年1-9月歸屬於母公司所有者的淨利潤區間為9,200.00萬元至9,700.00萬元，同比上漲44.82%至52.69%；預計2020年1-9月扣除非經常性損益後歸屬於母公司所有者的淨利潤區間為8,800.00萬元至9,300.00萬元，較上年同期上漲49.29%至57.77%。
未來，伴隨「中國製造2025」、「網際網路+」等行動指導意見以及「國家大數據戰略」相繼組織實施，半導體產業鏈仍將朝著高自主、高可控的方向發展，這就對於半導體材料提出了更高的要求。作為行業先行者，新潔能研發的第三代半導體材料，與第一代、第二代相比，具有寬的禁帶寬度、高的熱導率及電子飽和速率等綜合優勢。在功率半導體下遊細分領域需求爆發式增長的帶動下，第三代半導體材料應用需求也將穩健增長，給公司未來業績提供了強有力的保障。
據中國半導體行業協會預測，到2021年分立器件的市場需求將達到3010.6億元。從中長期來看，國內半導體市場需求仍將呈現較快的增長勢頭。
面對國產替代重任，新潔能表示，公司將進一步依託技術、品牌、渠道等綜合優勢，全力推進高端功率MOSFET、IGBT的研發與產業化，持續布局半導體功率器件最先進的技術領域，並投入對SiC/GaN寬禁帶半導體的研發及產業化，提升公司核心產品競爭力和國內外市場地位。
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