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今天跟大家聊一聊:是否真的能繞過光刻機製造晶片呢?面對目前的晶片困境,中國押注碳基晶片是否正確呢?彭練矛作為碳基晶片的主要研發人員,他都擁有什麼策略呢?
直到華為被切斷了一切獲取晶片的途徑的時候,國人才意識到晶片對於我們的重要性,過度依賴於國外的技術,最終不會得到什麼好結果的,近日中國在晶片領域持續有大動作,中科院也宣布將入局光刻機的研發。
然而還有一件令人振奮的消息,就是此前一直在傳的不需要尖端光刻機,就能生產製造出來的碳基晶片,那目前都進展到什麼程度了呢?
作為碳基晶片的主要研發人員彭練矛教授,在近日參加了會議,他就說道:目前中國在晶片領域整條產業鏈,都面臨著被「卡脖子」的命運,主要就是缺少了核心技術以及自主創新的能力,我們不應該放棄晶片製造過程中的任何一個環節,中國沒有晶片技術的話,也就意味著沒有未來。而目前要實現由中國主導的晶片技術,就只有碳基晶片能夠實現了,要把該項技術打造成中國人完全自主可控的晶片技術,才是未來的目標。
從彭練矛教授的話中我們就可以看出,中國目前在半導體領域所存在的絕對劣勢,而彭練毛教授會把晶片領域的未來押注在碳基晶片上,也並不是空穴來風,目前他已經在碳基電子學領域,研發出了整套的碳基CMOS集成電路無摻雜製備新技術,目前已經製備整體性能超越矽基器件10倍的碳管電晶體,已經接近理論極限柵長僅為5nm的技術,隨著這項技術的誕生,也加大了碳基晶片存在理論量產的可能性。
目前我們在原有的矽基晶片製備基礎上,和歐美國家存在著很大的差距,所以我們要想實現直道超車的話,只有把很多更多的精力放在對於碳基晶片的研發上。矽基晶片的開創者是美國,早就在上個世紀50年代的時候,他們就研發了矽材料的集成電路,經過幾十年的發展,他們的地位也越來越穩固,所以中國在矽基晶片領域可以說一點機會都沒有了。好在目前矽基晶片已經無限接近摩爾定律極限,3nm以下的製程工藝,目前沒有一個企業有傳出相關消息。
目前最為先進的製程工藝也已經達到了5nm,也就意味著需要開始尋找可替代的材料的,美國開創的矽基晶片時代也即將終結,在全新的材料出來之後,以往所有的技術也都清零,誰能率先取得突破的話,就能擁有新一代技術的掌控權,而中國選擇押注碳基晶片的研發,絕對是一個正確的方向。
目前矽基晶片的設計過程必須依賴於EDA工具,而這項技術長期被美國壟斷,一旦矽基晶片時代被終結,那麼有可能晶片設計就會變得更加簡單了,說不定圓晶盤的生產工藝也不一樣,到時候也會有全新的技術產生,理論上是可以繞過EUV光刻機,可以基於碳基晶片的特定屬性,研發出全新的設備,再從晶片的架構角度進行重新配置。
據悉就算還需要用到光刻機,但整體工藝要求並沒有那麼高了,目前的國產光刻機水平就能滿足晶片設計需求,那麼最終ASML公司的光刻機就不存在什麼優勢了。不過就目前而言,沒有任何一個國家能夠確定,什麼材料能夠取代矽用來製取晶片,各個國家也都提出了不同的方案。
從科學角度上來講的話,在性能上矽材料是遠低於碳納米管的,碳納米管的極限運行速度也會比矽材料快5-10倍以上,而在最終的能耗上卻只有矽材料的10%,因此科研人員認為碳基材料是可以替代矽基材料的。
但碳納米管也存在著一個複雜的難題,內部充滿著雜質,這會極大影響功耗以及運行速度,如果不能有效解決的話,在相關使用性上甚至不如矽基材料。而這就是其它國家不研究的主要原因。
為了能夠讓碳基材料存在理論上的可能性,北大的彭練矛教授經過多年的研發,終於攻克了這一大科學難題,他研發了一整套高性能碳納米管CMOS電路的無摻雜製備方法,並且已經實現了5 nm柵長的高性能碳管電晶體的製取。在能耗以及速度上都由於英特爾公司所研發的最新技術。在接近量子力學物理極限之後,也有有望技術推進到3nm以下的技術節點,而這是矽基晶片所沒有辦法達到的。
目前也只有中國在從事對於碳基晶片的研發,所以在相關技術的製備上可以說是全球首創,超越了美國領先了世界,根據研究數據表明,碳基晶片的各項性能表現良好,無論是在數字電路、傳感器件以及光學器件等等領域,都具有更多的應用前景。
碳基晶片能否終結矽基晶片時代,目前我們也沒有一個完整的定論,還需要等待最終的量產,不過至少我們在起步上已經比別人快了,在矽基晶片達到最終的摩爾定律極限之後,也不能再滿足於未來科技的發展需求,所以尋找替代的材料也是刻不容緩,新的方案新的流程也將隨之而來,就看最終誰能把握住這個機會。
目前彭練矛教授都是基於矽基晶片從未涉足的領域去研發,這樣在碳基晶片研發出來以後,我們就能夠擁有一套完整的自主智慧財產權,對於目前所遇到的技術封鎖,也將不復存在,你期待著碳基晶片的誕生,對此你們有什麼看法呢?