鈣鈦礦結構調變影響光生電荷分離和傳輸性質—新聞—科學網

2020-12-04 科學網

 

近日,中科院大連化學物理研究所李燦院士、李仁貴研究員等在鈣鈦礦材料的結構調變與光電性質的研究方面取得新進展,發現全無機非鉛滷化物鈣鈦礦結構內部八面體畸變的消除明顯降低了電子—空穴對局域化,極大地增強了光生電荷的分離與傳輸,表現出優異的光電性質。相關研究成果發表在《先進材料》上。

金屬滷化物鈣鈦礦由於其優異的光電性質(如光吸收係數高、激子結合能低、載流子遷移率高和擴散長度長等)而受到研究者的廣泛關注,目前已被應用於各光電領域。

研究人員選用Cs3Bi2Br9這一類典型的無機滷化物鈣鈦礦半導體為研究對象,通過理論計算與實驗相結合,發現Cs3Bi2Br9中BiBr6八面體結構畸變使得激發的電子—空穴對強局域在鉍(Bi)中心,由此產生了極大的激子結合能,阻礙了光生電荷的分離與傳輸。進一步通過向其結構中引入銀(Ag)原子替代部分鉍(Bi)原子,形成雙鈣鈦礦Cs2AgBiBr6,銀(Ag)佔據了原來的空位,消除了八面體的結構畸變,大大降低了電子—空穴對的強局域化,使得導帶和價帶中的電子分布更加分散。因此,相比於Cs3Bi2Br9,Cs2AgBiBr6的激子結合能更小,載流子有效質量更低,載流子遷移率更高,有效壽命更長,極大地提升了光生電荷的分離和傳輸性質。

李仁貴介紹:「我們團隊又以可見光下光催化產氫反應作為探針反應,發現鈣鈦礦微觀結構的調變使得光催化產氫活性提高了兩個數量級以上,進一步驗證了鈣鈦礦結構調變對其光生電荷分離和傳輸性質的重要影響。」

該工作對於深入理解鈣鈦礦半導體微觀結構與其光電特性的本質關聯、理性設計和指導新型鈣鈦礦材料體系應用於光電領域具有重要意義。

相關論文信息:https://doi.org/10.1002/adma.202002137

 

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