石墨烯納米帶產生鋸齒狀邊緣

2020-08-28 石墨烯資訊


來自日本的一組研究人員設計了一種製造微小石墨烯帶的新方法。由於石墨烯具有可預測的電子特性,這種石墨烯帶在半導體器件中非常受歡迎。然而,事實證明,這些結構是具有挑戰性的。

之前製作石墨烯納米帶的嘗試是將石墨烯薄片置於二氧化矽層上,然後使用氫原子蝕刻鋸齒狀邊緣的條帶,這一過程被稱為各向異性蝕刻。這種方法只適用於製造具有兩層或兩層以上石墨烯層的帶。

電子峰谷導致的二氧化矽不規則現象使其表面變得粗糙,因此在石墨烯單層膜上製造精確的鋸齒狀邊緣是一個挑戰。

為了解決這一問題,他們將常用的二氧化矽替換為氮化硼,並利用這種襯底和各向異性蝕刻技術,成功製造出只有一層厚、具有明確鋸齒形邊緣的石墨烯納米帶。

鋸齒形邊緣納米帶在2000 cm2/Vs範圍內表現出較高的電子遷移率,即使寬度小於10nm,也能創造乾淨、狹窄的能帶間隙,這使其成為自旋電子和納米電子器件的重要材料。

減小納米帶的寬度會使機動性因為邊緣缺陷而急劇下降。使用標準的光刻製造技術,研究已經發現遷移率為100 cm2/Vs甚至更低,但即使在10以下的納米尺度上,這種材料仍然超過2000 cm2/Vs,這表明這些納米帶具有非常高的質量。

在未來的研究中,將這種方法擴展到其他類型的襯底,可以使石墨烯單分子層快速大規模加工,製造出鋸齒狀邊緣的高質量納米帶。

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