本文要點:
一種製備介電性能,熱力學性能,疏水性能和透明性優異的FG / PI複合膜的簡便方法
1成果簡介
對於扇出型晶圓級封裝(FO-WLP)的高級電子封裝,需要低介電常數和低耗散因數,優異的疏水性,出色的熱和機械性能以及良好的光學性能。本文,中國科學院深圳先進技術研究院Fan Zhang 等研究人員在《J Appl Polym Sci》期刊發表名為「Fluorinated graphene/polyimide nanocomposites for advanced electronic packaging applications」的論文,研究介紹了一種有效的製備新型氟化石墨烯/聚醯亞胺(FG / PI)納米複合薄膜的方法。
FG納米片具有較高的表面積和一些含氧官能團,並且具有單獨的石墨化平面結構,因此在PI基質中表現出出色的分散性。此外,在控制量的FG的情況下,研究了添加FG對介電,光學,機械,熱性能以及薄膜疏水性的影響。介電常數和損耗可低至2.64(在10 6 Hz)和PI176-0.5wt%FG的0.00176。隨著FG載荷的增加,熱穩定性(T 5= 514°C)和機械性能(拉伸模量= 2.11GPa,抗拉強度= 93.23 MPa,斷裂伸長率= 11.60%)已得到成功改善。此外,接觸角從83°增加到92°,顯示出優異的疏水性,這對於FO-WLP是必不可少的。此外,摻入FG還證明了在550nm處具有88%的透射率的優異的光學性能。因此,以優異的綜合性能,所製得的FG / PI膜在微電子領域,尤其是在FO-WLP中具有廣泛的應用。
2圖文導讀
圖1、FG的XPS光譜(a),(b)FG的C1s XPS光譜。FG,氟化石墨烯,XPS; X射線光發射光譜法
圖2、具有不同FG含量的FG / PI複合膜的FT-IR光譜。FG,氟化石墨烯;PI,聚醯亞胺
圖3、(a)PI-0,(b)PI‐0.1wt%FG,(c)PI‐0.3wt%FG,(d)PI‐0.5wt%FG複合膜的SEM圖像。FG,氟化石墨烯;PI,聚醯亞胺,SEM,掃描電子顯微鏡
表1. FG / PI複合膜的介電常數和損耗
圖4、(a),應力-應變曲線,(b),拉伸強度,(c),拉伸模量,(d),純淨PI薄膜和FG / PI納米複合薄膜的斷裂伸長率(%)。FG,氟化石墨烯;PI,聚醯亞胺
圖5.PI和FG / PI納米複合膜的接觸角。FG,氟化石墨烯;PI,聚醯亞胺
3小結
本文展示了一種製備介電性能,熱力學性能,疏水性能和透明性優異的FG / PI複合膜的簡便方法。很少有幾層FG納米片成功剝落,並顯示出與PI基質的優異相容性和分散性,這暗示了與PI分子鏈的界面相互作用。介電常數從純PI膜的2.88大大降低到PI-0.5wt%FG納米複合膜的2.64。在PI基質中摻入FG納米片還改善了薄膜的熱性能和疏水性。PI‐0.5wt%FG複合膜的T 5514℃的接觸角和約92°的接觸角。同時,具有0.5wt%的FG納米片的納米複合膜在550nm的特定波長下仍保持88%的透光率,證明了優異的光學透明性。所製備的納米複合膜性能的全面提高促使其成為微電子領域中ILD材料的潛在候選者。
文獻:
來源:材料分析與應用