浙大杭州科創中心先進半導體研究院首個碳化矽單晶誕生

2020-11-24 浙大杭州科創中心

近日，浙大杭州科創中心先進半導體研究院首爐碳化矽單晶成功「出爐」，這是研究院的半導體材料研究室在科創中心首席科學家楊德仁院士指導下取得的階段性成果，這標誌著經過前期緊鑼密鼓的準備，科創中心在寬禁帶半導體材料研究方面已經正式進入快車道。

碳化矽單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、飽和漂移速度高、臨界擊穿場強大、熱導率高等諸多特點，是半導體業內公認的「未來材料」，無論是在軍用領域還是在民用市場，都是世界各國爭奪的戰略陣地。

不僅半導體材料研究室已有了喜人成果，功率晶片研究室也在積極開展新型碳化矽功率器件和氮化鎵功率器件的研發工作；同時，針對碳化矽器件封裝與應用的研究工作也正在逐步開展。目前，先進半導體研究院正著力於布局寬禁帶半導體材料和器件的基礎研究和產業化應用，力爭取得重大突破。

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