利用VCSEL實現高解析度功能性近紅外光譜技術

2020-12-05 江蘇雷射產業創新聯盟

文/Toshihiro Ishii,Yoichiro Takahashi,RICOH;

Takeaki Shimokawa,Mitsubishi Electric;Okito Yamashita,ATR

雷射天地導讀

垂直腔面發射雷射器(VCSEL)最近已應用於智慧型手機、光檢測和測距、以及旨在利用其潛力的一些研究領域。本文介紹了使用近紅外VCSEL來實現高解析度功能性近紅外光譜(fNIRS)的示例。

VCSEL在fNIRS中的應用

功能性近紅外光譜(fNIRS)使用近紅外光,對大腦的激活分布進行非侵入式測量。它被廣泛用作腦科學研究中的測量工具。在日本,利用fNIRS輔助診斷抑鬱症和癲癇手術前檢查的費用,被列入保險的保障範圍之內。目前,人們也正在研究該技術在注意力缺陷多動障礙藥物療效判斷[1]和康復[2]方面的前景,以納入保險範圍。

目前,功能性網絡分析在分析每個大腦區域創建和運行的網絡類型方面,引起了人們的注意,從而可以診斷痴呆、精神分裂症和自閉症等。使用功能性磁共振成像技術(fMRI)可以進行功能網絡分析。傳統的fNIRS的空間解析度精度不足;然而,其簡單的測量裝置對於醫學檢查等簡單的測量而言是必不可少的。

多方向漫射光學層析成像技術(DOT)

漫射光學層析成像技術(DOT)是fNIRS的高級版本,可對生物體內部進行高精度的3D功能性成像[3]。通過解決缺陷問題,可以將DOT從排列在2D平面中的探測器數據擴展到3D數據。它需要高度準確的正向和反向問題分析。在前者中,通過求解生物體內的光傳播模型來計算探測到的光量,而在後者中,通過使前者與實際測量值之間的差異最小化,來獲得光學吸收體分布(大腦血流分布)。在這裡,逆問題是使用層次貝葉斯估計方法[4]解決的。但是,需要將fNIRS測量與給定最大間距為15mm的高密度探頭配合使用,以獲得3D重建所需要的信息,這使其更加複雜且費力[3]。

因此,這裡我們介紹一種可以使用多方向光源和多方向探測器(見圖1)執行簡單DOT的方法,通過從四個方向中的一個探頭髮射兩個波長的光束,並接收四個方向的光,來提高腦血流激活區域的空間解析度。另外,相對於生物體表面以不同方向傳播的光會通過不同的路徑傳播,從而增加了信息量(見圖1)。假定傳播到生物體內的光具有方向性,就可以實現偽高密度探頭[5]。

圖1:多方向fNIRS。

Light source:光源

Detector:探測器

光學模擬

多方向DOT可以通過進行高精度的光學仿真來實現,使傾斜入射光的方向性得以保持。一般來說,描述光在身體組織即人體皮膚中的傳播,通常被模擬為擴散方程。但是,這種方法的缺點是擦除了光束的傳播方向。同時,有一種使用蒙特卡洛模擬的方法,儘管不是一種分析方法[6]。還有一種使用蒙特卡洛極限(MCX)的公開可用的模擬工具[7]。MCX是用CUDA編寫的,以使用圖形處理單元,並且可以計算超過109的光子數。在本文中,我們使用MCX進行了光學模擬,以準確描述光傳播的方向。

多方向模塊的光學設計

在此,我們準備了四個光發射和光接收模塊,每個模塊之間的距離約為30mm。我們設計了光傳輸模塊,以從同一位置發出兩個波長和四個方向的近紅外光。使用兩個波長分別為780nm和905nm的VCSEL晶片作為光源。每個VCSEL晶片約為1mm2,晶片上的四個發光點以大約500μm距離的正方形排列。

我們在VCSEL晶片上大約100μm的位置處放置了有效直徑約為1mm(f = 0.1mm)的透鏡。一對透鏡對應於兩個波長的兩個相鄰的VCSEL。光被透鏡清楚地折射並分成四個方向(見圖2)。

圖2:雙波長光學系統通過將VCSEL 1和VCSEL 2的位置相對透鏡中心移開幾微米(μm),將從兩個VCSEL發出的、距離約1mm的光束,對準到物體表面的一個點上。[8]

1mm Lens Pair:1mm透鏡對

Prism:稜鏡

Subject:物體

隨後,我們在透鏡對上放置一個樹脂稜鏡,以在每個側面反射光束,並且八光束聚集在稜鏡上表面的中心。我們在距VCSEL晶片中心幾微米(m)的位置布置了1mm透鏡,以校正晶片的相對位置。[8]

光學安裝

我們將印刷電路板(PCB)設計為約10mm2的底座,以準確放置兩個1mm2的VCSEL,並通過引線鍵合將兩者電連接。將兩個VCSEL在顯微鏡下高精度地安裝在基座上。

VCSEL的位置精度目標為約1m,安裝在金屬CAN封裝上的PCB的直徑約為30mm(見圖3a)。CAN放置在安裝有微型計算機的大型PCB上。引線鍵合在VCSEL與底座之間,以及底座與CAN封裝之間進行。放置一對透鏡並用紫外(UV)固化樹脂精確地固定,並在鏡片之間留有適當的間距,使鏡片中心之間的距離成為設計值(見圖3b)。

我們將鏡頭中心調整到設計值,以使鏡頭的外形公差不受影響。為了實現這種高精度安裝,準備了微機電系統(MEMS)夾具,並使用半導體工藝的光刻技術對其進行高精度加工。該夾具具有孔,該孔具有與設計值匹配的倒金字塔形狀的傾斜表面。我們施加了大約50g的力,以使凸面適合1mm透鏡及其孔,在正確的位置進行UV固化(見圖3c)。

由於兩個VCSEL晶片和1mm透鏡的安裝也需要高度準確的對準,我們進行了主動對準安裝,其中在檢查光束位置時,發射了所有光源(8個光束)並且稜鏡精細移動(見圖3d)。我們指定了目標值,以使8束光可以進入稜鏡端面上1mm2的範圍內。

圖3:高精度光學安裝。(a)在顯微鏡下,將兩片VCSEL晶片高精度對準並通過引線連接;(b)大約1mm的透鏡對;(c)兩個1mm透鏡之間的距離,由MEMS夾具通過壓力感應進行高精度控制,並用UV粘合劑固定;(d)稜鏡的位置通過8個螺釘的主動對準來控制和固定。

Prism:稜鏡

Lens Pair:透鏡對

Screw:螺釘

光接收模塊使用分割為4塊的PD(3mm2),並在其正上方設置一個直徑3mm的透鏡以分開入射方向。這樣的安裝可以在顯微鏡下以機械精度對準透鏡和PD的中心。我們為每個模塊配備了一塊PCB(上面裝有微型計算機和放大器),模塊的外形尺寸約為100×10×10mm3(見圖4)。

圖4:多方向fNIRS模塊。[11]

測量結果

首先,我們用幻影進行測量。我們將描述執行的兩種校正。首先是用於監控從VCSEL發出的光量的系統。監控VCSEL利用以下事實:相鄰VCSEL洩漏的光進入VCSEL的激活層,並產生電動勢(見圖5)。監控PD可以在非常小的區域內更換。其次,首先在稜鏡端面的1mm以內放置8路光束進行安裝。由於難以達到亞毫米級,因此測量了光束位置,並將校正納入正向問題的計算中,從而將幻影位置估計誤差優化了30%。結果表明,即使使用30mm的探頭間隔(直至15mm的深度)進行低密度測量,也可以在5mm的位置誤差內進行3D估計。[10]

圖5:帶光強監控的VCSEL。[9]

Power supply:供電電源

Oscillated light:振蕩光

Leaking light:洩漏光

Ammeter:電流表

Electrode:電極

GaAs substrate:GaAs襯底

Upper DBR:上DBR

Active layer:激活層

Lower DBR:下DBR

我們通過多方向DOT和fMRI,測量了右手抓握任務期間每個受試者的左運動和體感皮層活動(見圖6)。通過比較多方向DOT和fMRI的結果,發現位置誤差為5~6mm,空間相關度為約0.3~0.5。圖7顯示了三個重複測量的結果。[11]

圖6:fMRI(左)和每個fNIRS模塊的時程(右)。[11]

圖7:fNIRS結果(3次重複測量)。[11]

Run 1:第1次測量

Run 2:第2次測量

Run 3:第3次測量

結論

儘管高解析度僅限於光可達到的範圍,但它已達到可以在功能區域級別進行網絡分析的水準。因此,fNIRS更有可能為腦部疾病提供廣泛的檢查機會。

參考文獻:

[1] Y. Monden et al., NeuroImage: Clinical,1(2012)131-140

[2] M. Mihara et al., Neurophotonics, 3(2016)031414

[3] A.T. Eggebrecht et al., Nat. Photonics, 8(2014) 448–454

[4] T. Shimokawa et al.; Opt. Express, 20(2012) 20427–20446

[5] T. Ishii et al., U.S.Patent No.10039452 (2018)

[6] Qianqian Fang et al., Optics Express, 17(2009) 20178

[7] http://mcx.space/

[8] T. Ishii et al., U.S.Patent No.10175169(2019)

[9] T. Ishii et al., U.S.Patent No.10177530 (2019)

[10] T. Shimokawa et al., Biomed. Opt. Express, 7(2016) 2623

[11] T. Shimokawa et al., Biomed. Opt. Express, 10(2019)1393

雷射天地轉載自: LWFC ACT雷射聚匯

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