一、大基金二期資金規模顯著提升
據工商信息顯示，國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司於2019年10月22日註冊成立，與大基金一期相比，二期在資金規模和來源渠道方面有明顯提升。大基金一期註冊資本987.2億元，投資總規模達1387億元，二期註冊資本達2041.5億元，較一期有顯著提升;且參照大基金一期撬動5145億元的社會融資，共計帶來約6500億元資金進入集成電路行業，我們預計大基金二期將同樣具備顯著撬動作用，進一步提升集成電路產業融資和發展效率。
二、強化半導體設備國產替代邏輯
強化半導體設備國產替代邏輯，二期預計加大半導體設備、材料和IC設計投資。大基金一期投資範圍涵蓋集成電路產業上、下遊各個環節，重點在IC製造環節，其中IC製造佔67%，設計佔17%，封測佔10%，裝備材料類佔6%，目前中芯國際14nm先進位程產品和長江存儲64層3DNAND均已實現量產，IC製造投資戰果顯著。根據長江存儲招標數據顯示，中微公司、北方華創、精測電子等公司設備已經在刻蝕、薄膜沉積、清洗、檢測等領域實現國產替代，上述領域約佔半導體設備投資額的46%。大基金管理機構華芯投資表示，大基金二期將在穩固一期投資企業基礎上彌補一期空白，強化薄膜沉積、刻蝕、測試和清洗設備的國產替代進度，加快光刻機等核心設備布局，同時加強半導體材料和IC設計等附加值較高環節的投資。
國產設備強化「中國芯」實力，建議關注半導體刻蝕、薄膜沉積、檢測和清洗設備公司。根據大基金二期投資方向，我們預計半導體設備公司在薄膜沉積、刻蝕、檢測和清洗等領域國產替代的腳步將進一步加快。光刻、薄膜沉積、刻蝕和離子注入是先進位程的關鍵環節，在半導體設備投資中佔比分別約為24%，18%，10%，2.5%，北方華創、中微公司、瀋陽拓荊在長江存儲設備招標中佔比逐步提升。清洗、檢測和封裝非先進位程領域設備投資佔比分別約為8%，18%和10%，國內外差距相比光刻、刻蝕、離子注入等關鍵領域較小，國內公司已實現相關設備的國產替代。此外，大基金二期還將加大對集成電路設計業和半導體材料的支持，建議關注國產IC設計板塊、半導體材料板塊。
三、投資建議
隨著國家集成電路產業投資基金二期的正式成立，國內半導體產業鏈有望迎來新一輪的產業支持。薄膜沉積設備建議關注北方華創：公司已在長江存儲招標中實現國產替代;刻蝕設備建議關注北方華創、中微公司：二者具備全球領先的刻蝕技術，是半導體設備國產化中堅力量;離子注入設備建議關注萬業企業：產品已達到28nm以內先進位程標準;檢測設備建議關注精測電子、長川科技、華峰測控;清洗設備建議關注至純科技、芯源微。
風險提示。大基金二期投資進度不及預期、國內集成電路企業研發不及預期。