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二硫化鉭超導薄膜研製成功
本報訊近日，中科院上海矽酸鹽研究所與中科院上海微系統所、北京大學等合作，通過化學剝離成單層二硫化鉭納米片並將納米片抽濾自組裝而重新堆疊成二硫化鉭薄膜。該薄膜打破了原母體的晶體結構，形成了豐富的均質界面，並獲得比母體材料更高的超導轉變溫度和更大的上臨界場。
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科學網—製備重堆疊二硫化鉭超導薄膜材料
中科院上海矽酸鹽所等製備重堆疊二硫化鉭超導薄膜材料重新組裝的二硫化鉭薄膜打破了原母體的晶體結構，形成了豐富的均質界面，並獲得了比母體材料更高的超導轉變溫度和更大的上臨界場。相關成果日前發表於《美國化學會志》。 目前,超導材料的最高超導溫度在-100℃以下，成本很高，難以大面積推廣，追求更高溫甚至室溫超導是物理學家們的夢想。 「由於缺乏理論支持，高溫超導的探索步履維艱。」
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科學家成功製備重堆疊的二硫化鉭超導薄膜材料—新聞—科學網
中科院上海矽酸鹽研究所黃富強研究團隊與中科院上海微系統所、北京大學等合作，通過化學剝離成單層二硫化鉭納米片並將納米片抽濾自組裝而重新堆疊成二硫化鉭薄膜。
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美國發現環境光可改變二硫化鉭材料的折射率 將影響自動駕駛汽車
蓋世汽車訊 二硫化鉭中的微小晶體會對3D顯示屏、虛擬實境，甚至自動駕駛汽車產生重要影響。與此同時，還必須速度快，才能實現此類新技術。」（圖片來源：萊斯大學）二硫化鉭是一種具有菱形金屬核心的半導體層狀化合物，似乎就符合要求。眾所周知，此種材料在室溫下具有電荷密度波，可以調整其電導率，但是入射光的強度也會改變其折射率，而折射率可量化光穿過的速度。因此，此種材料是一種可得到調節的材料。
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微電子所在阻變存儲器的傳輸機制研究中取得進展
日前，中國科學院微電子研究所納米加工與新器件集成技術研究室在阻變存儲器（RRAM）的傳輸機制研究中取得新進展。 RRAM是重要的下一代新型存儲器，具有結構簡單、高速、低功耗和易於3D集成等優點。但目前對於導電通路中的載流子輸運機制還存在很大的爭議，正確理解導電通路中的載流子輸運過程對控制和改善器件的存儲特性，以及對器件的建模和分析都至關重要。如何精確的測試導電通路內部的載流子傳輸機制是目前RRAM器件研究中亟待解決的重要問題之一。 微電子所劉明研究員領導的課題組在RRAM的阻變機理研究方面取得了一系列進展。
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存儲器卡及半導體存儲器的分類介紹
在諸多電子設備中，存儲器是必不可少的重要組件。為增進大家對存儲器的了解，本文將對存儲器卡以及半導體存儲器的分類予以介紹。 一、存儲器卡 存儲器卡（MemoryCard）是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器（EEPROM）為核心的，能多次重複使用的IC卡。沒有任何的加密保護措施，對於卡片上的數據可以任意改寫，不具備對卡內數據進行保密的功能。
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只讀存儲器與隨機存儲器的區別是什麼
打開APP 只讀存儲器與隨機存儲器的區別是什麼 百度知道 發表於 2020-12-03 10:17:17 只讀存儲器與隨機存儲器的區別
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中科大基於鐵電隧道結量子隧穿效應實現了亞納秒超快原型存儲器
存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。存存儲器是用來存儲程序和數據的部件。有了存儲器，算有了記憶功能，才能保證正常的工作。那麼，構成存儲器的存儲介質是什麼呢？目前主要採用的存儲器存儲介質為半導體器件和磁性材料。
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五種新興的非易失性存儲器技術介紹,哪個可能是未來主流?
編者按：新興的非易失性存儲器技術主要有五種類型：快閃記憶體（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
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帶存儲器的電晶體:FeFET
最近在氧化鉿（HfO2）中發現了鐵電相，這重新引起了業界對鐵電存儲器的興趣。鐵電存儲器的一個示例是基於HfO2的非易失性鐵電場效應電晶體（FeFET），它在類3D NAND的存儲應用和內存計算上顯示出有趣的特性。
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美商應材宣布推出新存儲器技術
）因應物聯網（IoT）和雲端運算所需的新存儲器技術，日前宣布推出創新、用於大量製造的解決方案，有利於加快產業採納新存儲器技術的速度。 現今的大容量存儲器技術包括DRAM、SRAM和快閃記憶體，這些技術是在數十年前發明，已廣為數字設備與系統所採用。新型存儲器中，包括MRAM、ReRAM與PCRAM等將提供獨特的優點。但是，這些存儲器所採用的新材料，為大量生產帶來了相當程度的挑戰。
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都是存儲器,但RAM、ROM、快閃記憶體、硬碟怎麼分?
總的來說上面那些算是存儲器，從存儲器的材質來看，大概可以分為三種，分別是磁性的機械硬碟、DVD和藍光類的光碟，而第三種則是今天要講的主人公，半導體存儲器，顧名思義，它是用半導體集成電路工藝製成的存儲數據信息的固態電子器件。
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fram是什麼存儲器_FRAM技術特點
fram是什麼存儲器 鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉後保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和快閃記憶體）結合起來。
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新材料組合:為「自旋電子」隨機存取存儲器鋪路
導讀據日本東京工業大學官網近日報導，該校科學家們開發出一款新的材料組合，它為磁隨機存取存儲器鋪平了道路。這種存儲器依賴電子的自旋特性，可超越目前的存儲器件。背景自旋電子學是一個現代技術領域。基於這種現象的器件具有各種各樣的應用，特別是非易失性存儲器，全世界的研究人員們一直在嘗試操控特定材料中的自旋相關特性。（圖片來源：Gopman/NIST） 這些磁性非易失性存儲器，也稱為「MRAM」，有望在功耗和速度方面超越目前的半導體存儲器。
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基於鐵電存儲器的高速和高保真的汽車事故實時數據
國家標準的實施為汽車事故實時數據記錄的存儲器選擇提出更高的要求。數據記錄時間間隔不大於0.2s，數據記錄時間段為事故發生前20s，要求存儲器訪問速度快，數據錯誤率低，可擦寫次數多，數據保護措施好，數據在各種惡劣環境下的保存時間長，而且要求一定的存儲容量，以達到國家標準的要求。
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科學家研製出新型鐵電電晶體隨機存取存儲器
據美國物理學家組織網近日報導，美國科學家們正在研製一種新的計算機存儲設備——鐵電電晶體隨機存取存儲器（FeTRAM），其將比現在的商用存儲設備更快捷
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新型鐵電電晶體隨機存取存儲器FeTRAM研製成功
打開APP 新型鐵電電晶體隨機存取存儲器FeTRAM研製成功 秩名 發表於 2011-10-19 09:47:40 據美國物理學家組織網近日報導，美國科學家們正在研製一種新的計算機存儲設備——鐵電電晶體隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現在的商用存儲設備更快捷，且比佔主流的快閃記憶體能耗更低。
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2020考研:計算機組成原理知識點只讀存儲器
只讀存儲器 前面介紹的DRAM和SRAM均為可任意讀/寫的隨機存儲器，當掉電時，所存儲的內容消失，所以是易失性存儲器。只讀存儲器，即使停電，所存儲的內容也不丟失。
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帶你了解一下什麼叫相變存儲器
以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內外研究者的廣泛關注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術特點及其國內外最新研究進展。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201811/394239.htm 一、相變存儲器的工作原理 相變存儲器(Phase Change Random Access Memory, 簡稱PCRAM)的基本結構如圖1所示，相變存儲器的基本存儲原理是在器件單元上施加不同寬度和高度的電壓或電流脈衝信號，
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...化前景的高密度存算一體化非易失性鐵電單晶疇壁存儲器和電晶體
因此，高密度、低功耗的新型存儲器亟待開發。當前計算機架構基於「馮•諾依曼」體系，計算與存儲相互分離，二者間的數據反覆交換和速度差異佔據了大量冗餘時間，被稱為「存儲牆」，直接導致整個晶片系統運算速度下降和功耗增加。眾所周知，計算機存儲架構涉及到多種揮發性和非揮發性存儲器，其中揮發性存儲器讀寫速度快（0.2-20ns），但是存儲密度低（幾十Mbit至幾個Gbit）。