圖文|科技蜂鳥
8月15日至17日,在湖南湘潭召開了「碳基材料與信息器件研討會」,總共有北大、清華、中科院等科研機構的170餘名代表參會,會上,中國「碳基晶片」領軍人物彭練矛院士做了題為《碳基電子的定位和使命》的報告
「碳基晶片」是近些年來的研究熱門,相比較於已經步入晚年的傳統「矽基晶片」,「碳基晶片」在電子遷移率、結構穩定性方面展現出了強大的生命力,彭練矛院士表示:
沒有晶片技術,就沒有中國的現代化。實現由中國主導晶片技術的『直道』超車,就是碳基電子的定位和使命。
人類歷史上的第一個電晶體誕生於1947年,由當時隸屬於美國通信巨頭的貝爾實驗室研發出來,材料為鍺,由於鍺這種材料很稀有、物理性質不穩定,很快,人類選擇了儲量更豐富、性能更出色的矽作為半導體材料
隨著科學技術的進步,人類逐漸掌握了更先進的半導體加工技術,半導體設備也越來越精密,晶片的製程從130nm一路演進到28nm
這個過程中,英特爾(Intel)創始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)發現了一個規律,每隔18-24個月,集成電路上可容納的電子元器件數目就會翻倍,晶片性能也提升一倍,這就是大名鼎鼎的「摩爾定律」
但是到了14nm,科研人家發現摩爾定律越來越難以維持,隨著晶片中電晶體的間隔越來越小,發熱和穩定性越來越難以控制,由於技術難度太大,很多晶片廠商逐漸放棄了
比如美國的晶片代工巨頭格羅方德在2018年就宣布放棄10nm以下晶片技術的研發,就在上個月,美國的英特爾也再次宣布7nm晶片延遲量產的消息
人類不得不開始思考,「矽基晶片」或許已經走到了盡頭,是時候換個賽道了!
目前人類維持摩爾定律的策略有兩個,一是研究更先進的3D立體封裝技術;二是換一種更先進的材料。其中碳納米管就被寄予厚望,是目前最有希望代替矽的半導體材料
在西瓜視頻創作人『52赫茲實驗室』的科普西瓜視頻中曾經有介紹,1991年人類首次發現了碳納米管,但是未來能夠做什麼還是未知數,2000年左右,彭練矛回到北大,開始嘗試研究用碳納米管材料製備集成電路的可行性
當時國外的IBM和美國的杜克大學也有團隊在研究,科學家發現,碳納米管比矽更適合做半導體材料,比如碳納米管的電子遷移率是矽的1000倍,電子自由程也比矽長很多,這樣在同等條件下,碳納米做的半導體就不容易發熱、結構也更穩定
簡而言之,如果分別用碳納米管和矽做晶片,同樣尺寸下,碳納米管做的晶片性能更強,根據理論推算,90nm製程「碳基晶片」的性能至少與28nm製程矽基晶片性能接近,所以,碳基晶片是半導體行業未來能夠持續演進的一條嶄新的賽道!
經過20年發展,換了個賽道的中國半導體技術,終於在「碳基晶片」領域取得重大突破,今年彭練矛院士領銜的北大團隊鄭重宣布:通過採用多次聚合物分散和提純(Multiple-Dispersion Sorting Process)技術,成功研製出世界上首個5nm碳納米管CMOS器件,半導體純度達99.99995%!
北大團隊的張志勇教授對外透露:「中國這次在碳管材料上取得的進展,至少可以在國際上保持兩年優勢。」
北大團隊在碳基晶片上的研究進展給中國晶片產業打了一劑強心針,這說明中國已經有能力在晶片領域做出前沿性的貢獻,目前彭練矛院士的研究團隊正在研究基於碳納米晶片的製備工藝,那麼問題來了,5nm碳納米管CMOS器件能生產什麼製程的碳基晶片?需要多久能造出來?需不需要光刻機?想知道的話,趕緊打開西瓜視頻搜索西瓜視頻創作人『52赫茲實驗室』去觀看吧,所有答案都在裡面~