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碳基晶片會超越現有的矽基晶片嗎?
碳基晶片的消息由來已久,但遠不及這次來的激動人心!,成本更低的矽半導體被製造出來,矽基半導體的領先一直持續到了現在,而且還在進步!在1納米和更小的刻度上,矽基晶片的量子隧穿效應將使得電子自發的躍遷到相鄰的空位,從而使得電晶體構成的邏輯門失效,這樣晶片就沒用了。(理論上5納米也有隧穿效應)但是也不是說矽基晶片走到盡頭了,現在流行的3D封裝就是向立體進軍,在空間上增加電晶體密度,這樣晶片的性能也能大幅度提高,當然也會帶來難以解決的新問題。
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我國首次製備出一成果,矽基晶片的末日來了?
近日,我國科研人員首次製備出垂直結構電晶體「矽-石墨烯-鍺電晶體」,成功將石墨烯基區電晶體的延遲時間縮短了1000倍以上,並將其截止頻率由兆赫茲提升至吉赫茲領域。這有什麼意義呢?研究人員表示,這一研究工作提升了石墨烯基區電晶體的性能,未來將有望在太赫茲領域的高速器件中應用,為最終實現超高速電晶體奠定了基礎。
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大突破:計算機快1千倍,純矽基光子晶片指日可待,矽能發光了!
為了避免這個問題,一些研究者將使用其它半導體(如砷化銦和砷化鎵)製成的微型雷射器集成到晶片中去,以此開發光子電子混合晶片。但到目前為止,微電子學的聖杯,矽基光子晶片一直都沒能實現。強迫矽從立方晶體結構變成六方晶體結構現在,Bakkers和他的團隊找到了這個「聖杯」,突破的基礎是修改矽晶格,Bakkers解釋說:「我們做出的鍺矽合金具有六邊形結構,理論上這就能讓矽可以發光了。」
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運用微電子技術製備碳基晶片,「冪方科技」推出10微米級別微電子...
1954年矽電晶體問世,直到如今依然是集成電路技術的主流,全球有90%的集成電路晶片器件基於矽基CMOS技術。然而由於摩爾定律,矽基晶片的未來發展面臨物理規模和製造成本的限制。碳基晶片不同於矽基晶片,運用碳基材料製備,具備柔性、大面積、低成本、液相製備等優勢。
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中國碳基半導體材料取得新突破,或將終結矽時代,實現晶片全面領先
近日,北京大學張志勇教授-彭練矛教授課題組發展全新的提純和自組裝方法,製備高密度高純半導體陣列碳納米管材料,並在此基礎上首次實現了性能超越同等柵長矽基CMOS技術的電晶體和電路,展現出碳管電子學的優勢。
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3nm晶片,用碳取代矽可行嗎?
此項研究成果意味著我國碳基半導體研究成功突破抗輻照這一世界性難題,為研製抗輻照的碳基晶片打下了堅實基礎。發現鍺材料製成的晶片難以承受高溫工作條件後,研究人員翻開元素周期表,選出與鍺屬於同族、儲量更足、耐熱性更好的矽成為替代。相比矽材料的「按圖索驥」,碳基半導體材料被發現要偶然得多。碳納米管由碳分子管狀排列而成,可看作是由單層石墨捲成了一個「圓筒」,需要由石墨棒等碳材料經特殊方法製備而成。
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3nm晶片,用碳取代矽可行嗎?
此項研究成果意味著我國碳基半導體研究成功突破抗輻照這一世界性難題,為研製抗輻照的碳基晶片打下了堅實基礎。發現鍺材料製成的晶片難以承受高溫工作條件後,研究人員翻開元素周期表,選出與鍺屬於同族、儲量更足、耐熱性更好的矽成為替代。相比矽材料的「按圖索驥」,碳基半導體材料被發現要偶然得多。碳納米管由碳分子管狀排列而成,可看作是由單層石墨捲成了一個「圓筒」,需要由石墨棒等碳材料經特殊方法製備而成。
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矽襯底InGaN基半導體雷射器是個啥?
由於GaN材料與矽襯底之間存在著巨大的晶格常數失配和熱膨脹係數失配,直接在矽襯底上生長GaN材料會導致GaN薄膜位錯密度高並且容易產生裂紋,因此矽襯底InGaN基雷射器難以製備。該研究方向是目前國際上的研究熱點,但是到目前為止,僅有文章報導了在光泵浦條件下矽襯底上InGaN基多量子阱發光結構的激射。
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VH留學|清華大學科研:生物細胞的生長模型和免疫螢光圖像處理
項目涉及方向:分子生物學/細胞生物學/微生物學/圖像處理導師身份:清華大學博士本項目著重在研究以大腸桿菌和宮頸癌細胞作為原核與真核細胞的代表,分別建立細胞的快速生長的增殖模型從而更好地理解上述疾病致病原理。另外,本項目還側重輔助學生對於生物圖像處理的能力,讓學生快速學習並且運用重要的科研工具和生物數據處理的初步能力掌握。
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北大研究團隊突破碳基半導體製備瓶頸
步入21世紀以來,傳統矽基晶片的發展速度日益緩慢,科學家們一直試圖尋找能夠替代矽的晶片材料,碳納米管就是最具前景的方向之一。
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金屬晶片存儲效率提高百倍,碳基晶片同樣高效突破製備瓶頸!
突破摩爾定律矽基晶片極限,新材料晶片誰與爭鋒,美國的鎢化合物金屬晶片,還是我國碳基晶片。美國科學家研究的金屬晶片厚度僅三個原子,新金屬晶片能提高存儲速度百倍。我們的數據存儲方式,早已從磁帶、軟盤和CD等介質,進化到了能夠在無數微型電晶體中保存數據的精密半導體晶片,而且其容量可以呈指數級增長。這是一個壯舉。
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中科院院士彭練矛:碳基電子是國產晶片技術突圍利器
中新社湘潭8月16日電 (王昊昊 王成奇)中國科學院院士、湖南先進傳感與信息技術創新研究院院長彭練矛16日在湖南湘潭表示,針對中國半導體材料、製造工藝和晶片設計落後的狀況,碳基電子大有所為,其對國產晶片技術突圍具有重要價值和意義。
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化工系魏飛教授課題組發文報導可長循環的矽基負極材料
化工系魏飛教授課題組發文報導可長循環的矽基負極材料清華新聞網7月10日電 7月4日,清華大學化工系魏飛教授課題組在知名期刊《納米快報》(Nano Letters)上在線發表「碳化矽作為抑制化學反應的保護層增強矽基負極穩定性」(Silicon Carbide as a Protective Layer to Stabilize Si-Based
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中國有望晶片技術彎道超車?碳基晶片有望超過矽基晶片?
,但是目前廣泛支持社會運行的矽基晶片基本已經遇到了可見的物理瓶頸,目前最先進的矽基晶片是7納米的規格,而矽基晶片的極限基本也就是1.5-2納米之間,如果再小就會受到物理特性導致單位電晶體的故障率急劇增高,達到無法協調上百億個電晶體工作的程度。
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矽基負極和鋰金屬負極製備研究進展
【原創】【2020先進電池材料論壇】矽基負極和鋰金屬負極製備研究進展材料會議文章來源自:高工鋰電網2020-08-27 09:09:01 閱讀:8 矽基材料商業化前景廣闊,但由於矽在充放電過程中會發生劇烈的體積收縮,體積的劇烈變化會導致內部機械機構失效,從而使得矽負極的循環壽命難達預期,因此尚未在鋰電池中大規模應用。
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南京大學馬小松團隊在矽基光量子晶片上實現三維糾纏
南京大學馬小松團隊在矽基光量子晶片上實現三維糾纏 2020-04-05 18:04 來源:澎湃新聞·澎湃號·政務
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答案在新型矽鍺合金裡
最近,荷蘭埃因霍芬理工大學的科研團隊開發了一種能發光的矽鍺合金,研究成果發表在《自然》上。這種全新的材料可以為矽基光源開闢一條新的出路。而目前,團隊正在用它創造一款能夠集成到現有晶片中的矽基雷射器。 清華大學電子工程系教授甯存政告訴《中國科學報》,要利用矽基光子技術實現真正光電集成,有兩大問題始終懸而未決。 首先,傳統的光子材料與矽基互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝難以兼容,缺乏高效發光的矽基片上光源成了光電「攜手」的一道鴻溝。因此,矽基高效光源也被視為是矽基光電子學領域最後的「聖杯」。
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南京大學實現矽基光量子晶片高維糾纏態多項功能
打開APP 南京大學實現矽基光量子晶片高維糾纏態多項功能 愛集微 發表於 2020-04-08 16:26:40 集微網消息,近日,南京大學物理學院馬小松教授團隊在矽基集成光量子晶片上實現了高維糾纏態的產生,濾波,調控等多項功能,並且利用精度的片上量子調控完成了量子模擬與量子精密測量等應用任務。
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能發光的矽鍺合金
用光學鏈路替代晶片間電學信息互連是一種必然趨勢。 如今,矽基光電子學的幾乎所有光電子器件都已被研製出來,唯有高效光源還沒有一個很好的解決方案,它也因此成為了光電集成領域的必爭之地。 最近,荷蘭埃因霍芬理工大學的科研團隊開發了一種能發光的矽鍺合金,研究成果發表在《自然》上。這種全新的材料可以為矽基光源開闢一條新的出路。
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碳基晶片剛獲突破,量子晶片又傳捷報,一文科普兩種晶片有何不同
1.美國麻省理工(MIT)的碳基晶片製備工藝與現有的矽基晶片兼容,可以更快產業化,但性能很落後。(如光刻機和EDA軟體),,MIT的碳基晶片製備技術,就是衝著產業化去的,但該技術有個最大的癥結,就是性能太差,目前所取得的成績僅相當於30年前的矽基晶片性能,離真正的取代矽基晶片,還差的很遠。