來源：華強電子網 作者：—— 時間：2012-09-24 10:40
近日，GLOBALFOUNDRIES 推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進一步拓展其頂尖的技術線路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術將為客戶展現三維 「FinFET」電晶體的性能和功耗優勢，不僅風險更低，而且能夠更快速地推向市場，從而幫助無晶圓廠生態系統在保持其移動市場領先地位的同時，開發新一代智能行動裝置。
XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業界領先的非平面結構，它真正為移動系統級晶片（SoC）設計做了優化，能提供從電晶體到系統級的全方位產品解決方案。與目前20納米節點的二維平面電晶體相比，該技術可望實現電池功耗效率提升 40%~60%。
14 nm-XM技術採用模塊化技術架構，完美結合了14 納米 FinFET 器件與 GLOBALFOUNDRIES 公司即將量產的20 納米 LPM 製程技術。運用成熟的 20nm-LPM 技術，能讓想利用 FinFET SoC 優勢的客戶，最快的實現順利遷移。技術研發工作已經展開，測試矽片正在 GLOBALFOUNDRIES 公司設於紐約薩拉託加縣的 Fab 8 晶圓廠接受測試。早期流程設計工具（PDKs）現已面市，並預計將於 2013 年可提供客戶產品流片。
GLOBALFOUNDRIES 首席技術官Gregg Bartlett表示：「GLOBALFOUNDRIES 投入 FinFET 研發已經超過 10 年，我們將以此為基礎讓這項技術得以進入生產階段。我們有信心透過這項深厚的基礎帶領業界實現FinFET的量產，正如我們在高-K金屬柵技術（ HKMG）領域的成就。」
以HKMG專業技術為架構基礎
FinFET 架構採用傳統的二維電晶體設計，將導電通道置於側面，形成由電流控制柵極包圍的三維「鰭」狀結構。FinFET 技術的最大亮點就是其優異的低功耗特性。三維電晶體設計具有電壓低運行且漏電少的固有特點，即在移動應用中可延長電池壽命，或降低數據中心網絡晶片等插入式應用的耗電量。
VLSI Research 市場調查公司董事長兼執行長G. Dan Hutcheson 表示：「很多人並不知道 FinFET 的架構基礎與時下推動行動發展的 HKMG 技術相同。HKMG 技術在減少漏電方面實現了重大創新，FinFET 則在此基礎上又向前推進了一大步，突破了今後多年的技術發展障礙。但是，要充分挖掘 FinFET 技術的價值，企業需要具備 HKMG 技術量產能力。GLOBALFOUNDRIES 公司在這個方面起步較早，已擁有兩年 的HKMG 大批量製造經驗。」
3D電晶體並非皆可一概而論
GLOBALFOUNDRIES 制定了一套新的技術定義方法，並據此開發出經濟高效且功耗優化的 FinFET 技術，成為移動 SoC 市場的理想之選。14nm-XM 架構實現了性能與功耗的完美平衡，並成功將晶片尺寸和成本降至最低。與此同時，其構造方式可帶來最佳的可製造性與設計便利，並允許設計師重複使用上一代產品中的 部分IP。除了電晶體結構外，這項技術還充分關注了 SoC 級的需求，如支持全系統性能和特殊的移動應用需求。
打造全面 SoC 優化解決方案的另一個關鍵因素是要會運用整個生態系統的專業知識，包括 EDA 和設計解決方案合作夥伴以及 IP 提供商。FinFET 技術離不開創新思維的支持，特別是來自設計社區的真知灼見。GLOBALFOUNDRIES 的製程研發和技術架構團隊一直與內部設計團隊和設計生態系統合作夥伴保持著密切協作，共同優化技術和設計環境。
GLOBALFOUNDRIES 最近宣布與 ARM 達成一項新的多年合作協議，共同為採用 FinFET 製程技術的 ARM 處理器打造最佳的 SoC 解決方案。在共同優化 ARM? Cortex?-A 系列處理器方面，ARM和GLOBALFOUNDRIES已經積累了多年合作經驗，而新的協議進一步延續了此前的合作，將推動生產IP平臺的發展，促進客戶迅速轉移至三維 FinFET 電晶體技術。
ARM物理 IP 部門副總經理 Dipesh Patel 表示：「在不斷發展中的超級移動時代，FinFET 技術將是下一代智能行動裝置發展的關鍵推手。通過我們與GLOBALFOUNDRIES 多年的接觸與協同優化，我們將為共同的客戶提供先進的系統性能並幫助他們加速過渡以儘早利用FinFET技術帶來的優勢 。這成果將成為基於下一代ARM處理器和GPUs的、面向移動市場的SoC的開發平臺。」(責編：damon）