半導體工藝

2021-01-17 炬豐科技

半導體工藝：氧化/擴散/退火

氧化/擴散/退火設備是半導體製造環節中的重要熱工藝設備。

氧化是將矽片放置於氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進行高溫熱處理，在矽片表面發生化學反應形成氧化膜的過程。

擴散是指在高溫條件下，利用熱擴散原理將雜質元素按工藝要求摻入矽襯底中，使其具有特定的濃度分布，從而改變矽材料的電學特性。

退火是指加熱離子注入後的矽片，修復離子注入帶來的晶格缺陷的過程。

用於氧化/擴散/退火的基本設備有三種：臥式爐、立式爐和快速升溫爐（RTP）。根據 2018 年 Gartner 的數據，氧化/擴散/退火設備佔晶圓製造（含先進封裝）設備的 3%左右。

氧化工藝

氧化是將矽片放置於氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進行高溫熱處理，在矽片表面發生化學反應形成氧化膜的過程。氧化膜的用途廣泛，主要有以下幾個方面：

（1）保護器件免受劃傷和沾汙；

（2）表面鈍化層；

（3）形成柵極氧化層或者作為存儲器單元結構中的介質材料；

（4）摻雜過程中的掩蔽層；

（5）金屬導電層之間的介質層等等。

相關焦點

  • 半導體工藝用化學品
    半導體工藝用化學品半導體製造在很大程度上是一種與化學有關的工藝過程，高達20%工藝步驟是清洗和晶圓表面的處理：我們習慣將矽片製造中使用的化學材料稱為工藝用化學品，有不同種類的化學形態（液態和氣態）並且要嚴格控制純度。
  • 半導體工藝40年(中)
    一、半導體工藝的節點和發展隨著廣泛的應用和資本家對於利潤的追求，半導體工藝上世紀末開始飛速發展，實際上由於集成電路的發明，集成電路工藝成為半導體工藝的主角。其發展軌跡也印證了摩爾定律，隨著個人智能設備如手機的普及，.。。。180nm、130nm、90nm、65nm、40nm、28nm、16nm(納米)。。。
  • 半導體工藝那些材料 很有必要了解
    半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指矽、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比矽高5.7倍，非常適合用於高頻電路。　　SiGe既擁有矽工藝的集成度、良率和成本優勢，又具備第3到第5類半導體（如砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP））在速度方面的優點。只要增加金屬和介質疊層來降低寄生電容和電感，就可以採用SiGe半導體技術集成高質量無源部件。此外，通過控制鍺摻雜還可設計器件隨溫度的行為變化。
  • 半導體超純水設備的工藝及流程
    我們生產的新型半導體超純水設備採用先進的EDI(連續電除鹽技術)設備。EDI是將電滲析技術和離子交換技術有機結合在一起形成的一種新型除鹽技術，可以有效地去除水中幾乎所以的陰陽離子，出水電阻率可以穩定在15MΩ.CM以上，連續運行、無化學汙染、水的利用率高，在超純水製備工藝上有著強大的優勢廣闊的應用前景。
  • 半導體工藝是如何具體影響CPU性能的?
    半導體的支持工藝和CPU的性能關係就大了，它關係到CPU內能塞進多少個電晶體，還有CPU所能達到的頻率還有它的功耗，1978年Intel推出了第一顆CPU——8086，它採用3μm（3000nm）工藝生產，只有29000個電晶體，工作頻率也只有5MHz。
  • RF半導體製造工藝,你知道多少?
    半導體材料是一類具有半導體性能(導電能力介於導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm範圍內)、可用來製作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指矽、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。
  • 十五種分析儀器助力半導體工藝檢測
    半導體器件生產中，從半導體單晶片到製成最終成品，須經歷數十甚至上百道工序。為了確保產品性能合格、穩定可靠，並有高的成品率，根據各種產品的生產情況,對所有工藝步驟都要有嚴格的具體要求。因而,在生產過程中必須建立相應的系統和精確的監控措施，首先要從半導體工藝檢測著手。
  • 小科普|半導體晶片工藝中的刻蝕
    聊完光刻、摻雜，今天我們來簡單聊聊半導體工藝中的另一項工藝技術——刻蝕。前面我們聊到光刻是將圖形轉移到覆蓋在半導體矽片表面的光刻膠上的過程。這些圖形必須再轉移到光刻膠下面組成器件的各薄層上，這一工藝過程我們稱之為刻蝕，即選擇性地刻蝕掉該薄層上未被掩蔽的部分。今天我們就來簡單地聊聊光刻的兩種基本方法：溼法化學刻蝕和幹法刻蝕。
  • 半導體製造工藝中的主要設備及材料大盤點
    本文首先介紹了半導體製造工藝流程及其需要的設備和材料，其次闡述了IC晶圓生產線的7個主要生產區域及所需設備和材料，最後詳細的介紹了半導體製造工藝，具體的跟隨小編一起來了解一下。自從1948年電晶體發明以來，半導體器件工藝技術的發展經歷了三個主要階段：1950年採用合金法工藝，第一次生產出了實用化的合金結三極體；1955年擴散技術的採用是半導體器件製造技術的重大發展，為製造高頻器件開闢了新途徑；1960年平面工藝和外延技術的出現是半導體製造技術的重大變革，不但大幅度地提高了器件的頻率、功率特性，改善了器件的穩定性和可靠性，而且也使半導體集成電路的工業化批量生產得以成為現實。
  • 詳解先進的半導體工藝之FinFET
    FinFET稱為鰭式場效電晶體（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）電晶體。閘長已可小於25奈米。
  • 半導體晶圓製造工藝及設備大全!附名錄
    半導體可以分為四類產品，分別是集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器。美國半導體產業協會（SIA）最新發布的數據顯示，2018 年全球半導體市場規模為 4688 億美元，其中規模最大的是集成電路產品，市場規模達到 3933億美元，佔半導體總市場的 83%。
  • 華虹半導體推出嵌入式OTP/MTP工藝平臺增強版
    華虹半導體有限公司近日推出最新低本高效0.18微米數模混合及嵌入式OTP/MTP工藝平臺增強版(0.18CE工藝平臺增強版)。該增強型工藝平臺的推出，進一步奠定了華虹半導體在蓬勃發展的微控制器(MicrocontrollerUNIt，MCU)市場中的領先地位，並把現有0.18CE工藝平臺擴展至數模混合電路及電源管理晶片領域，為拓展新的應用市場打下了堅實基礎。　　華虹半導體0.18CE工藝平臺增強版是在0.18微米低本高效OTP(One-Time Programming)工藝平臺的基礎上研發升級而來。
  • 三星發布3納米路線圖,半導體工藝物理極限將至?
    近日，三星電子發布其3nm工藝技術路線圖，與臺積電再次在3nm節點上展開競爭。3nm以下工藝一直被公認為是摩爾定律最終失效的節點，隨著電晶體的縮小將會遇到物理上的極限考驗。而臺積電與三星電子相繼宣布推進3nm工藝則意味著半導體工藝的物理極限即將受到挑戰。未來，半導體技術的演進路徑將受到關注。
  • 什麼是半導體工藝製程,16nm、10nm都代表了什麼
    打開APP 什麼是半導體工藝製程，16nm、10nm都代表了什麼 工程師飛燕 發表於 2018-06-10 01:38:00
  • 磷烷特氣櫃在半導體外延工藝中的知識介紹
    在半導體材料和器件的研究和生產中經常要使用各種具有易燃易爆、劇毒、腐蝕性的特種氣體，磷烷（PH3）便是其中一種典型。在半導體製造中，這種氣體需通過磷烷特氣櫃等特氣系統設備輸送供氣，參與到製程工藝中，主要用作半導體外延材料的生長源，在氣相外延（VPE）、金屬有機物氣相外延（MOVPE）等廣泛應用。
  • 半導體Si、SiC晶圓雷射改質切割工藝技術方案
    半導體(semiconductor)，指常溫下導電性能介於導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。 常用半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。 元素半導體是由單一元素製成的半導體材料，主要有矽、鍺、硒等，以矽、鍺應用最廣。 化合物半導體即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，並具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質。
  • 半導體設備有哪些?如何分類?(前道工藝設備——晶圓製造篇)
    半導體設備泛指用於生產各類半導體產品所需的生產設備，屬於半導體行業產業鏈的關鍵支撐環節。半導體設備是半導體產業的技術先導者，晶片設計、晶圓製造和封裝測試等需在設備技術允許的範圍內設計和製造，設備的技術進步又反過來推動半導體產業的發展。
  • ...爐等半導體摻雜沉積工藝光伏設備、清洗、刻蝕、制絨等溼法工藝...
    主營產品為PECVD及擴散爐等半導體摻雜沉積工藝光伏設備、清洗、刻蝕、制絨等溼法工藝光伏設備以及自動化(配套)設備等晶體矽太陽能電池生產工藝流程中的主要及配套設備的研發、製造和銷售。公司在太陽能電池設備生產領域，行業地位突出，屬實？ 捷佳偉創(300724)：所述屬實。
  • 半導體電鍍中45nm銅工藝面臨的挑戰
    慧聰表面處理網：    摘要：本文綜述了銅工藝即將面臨的各種變化，包括擴散阻障層(barrier)、電鍍添加劑、覆蓋層以及與多孔超低k電介質之間的整合等。     隨著半導體向45nm工藝的深入發展，銅工藝技術不可避免地要發生一些變化。
  • Omdia:中國半導體28nm工藝兩年內有望實現產業鏈自給自主
    2020年8月，國務院印發《新時期促進集成電路產業和軟體產業高質量發展的若干政策》，相關數據顯示，中國晶片自給率要在2025年達到70%，2016年的十三五規劃中，也將半導體的工藝目標列入正式的文件的主要應用領域，而且也是半導體晶片最有成長潛力的區間。