華虹半導體推出嵌入式OTP/MTP工藝平臺增強版

2020-11-29 OFweek維科網

　　華虹半導體有限公司近日推出最新低本高效0.18微米數模混合及嵌入式OTP/MTP工藝平臺增強版(0.18CE工藝平臺增強版)。該增強型工藝平臺的推出，進一步奠定了華虹半導體在蓬勃發展的微控制器(MicrocontrollerUNIt，MCU)市場中的領先地位，並把現有0.18CE工藝平臺擴展至數模混合電路及電源管理晶片領域，為拓展新的應用市場打下了堅實基礎。

　　華虹半導體0.18CE工藝平臺增強版是在0.18微米低本高效OTP(One-Time Programming)工藝平臺的基礎上研發升級而來。其最大優勢是通過利用第三方授權的OTP Cell，並依託自身經驗豐富的嵌入式存儲器IP設計、製造工藝和IP測試三方面的整合能力，可為客戶提供優化的OTPIP，並實現更小的OTP面積、更高的速度、更低的功耗。通過這些改進，該工藝平臺在成本、性能和功耗等諸多方面具有行業領先的競爭優勢。目前，已有多個國內外客戶的產品進入量產。

　　瞄準物聯網和智慧能源應用市場對低功耗MCU的龐大需求，華虹半導體又與合作夥伴聯合推出了更豐富的嵌入式存儲器方案。其中，OTP+Logic EE(Logic Technology Compatible EEPROM)的解決方案，以內嵌IP取代8位MCU外部成本較高的標準電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)，可大幅度降低生產成本。該解決方案不僅能夠大大提升讀寫速度，還可減少耗電量，有效延長待機時間，更能克服外掛式晶片數據容易遭到竊取的缺點，強化數據保密功能。

　　另外，在MTP(Multiple-Time Programming)解決方案中，客戶通過MTPIP可以方便地在系統上反覆修改設計程序，從而提升客戶產品的功能及有效改善生產存貨管理。作為OTPMCU的升級版，MTP可提供的容量由1Kx8位到8Kx16位，其IP面積極具競爭力，可應對客戶多元化和高性價比的需求。

　　同時，通過推出低閾值電壓(LowVt)、NPN雙極結型電晶體(BJT)、耗盡型(Depletion)、齊納二極體(ZenerDiode)、18VLDMOS器件，華虹半導體將擴大其在數模混合電路和電源管理IC領域的產品陣容，為諸如電量計、溫度傳感器、智能電錶、移動電源和微機電系統(MEMS)專用集成電路(ASIC)，提供高性能低成本的解決方案。

　　華虹半導體執行副總裁範恆先生表示：「0.18CE工藝平臺增強版是華虹半導體與合作夥伴共同耕耘的成果。該增強型工藝平臺可為客戶提供一系列創新、高性能和有競爭力的嵌入式存儲器IP等完整解決方案。其產品應用廣泛，可適用於可穿戴式設備、移動通訊、物聯網和智慧能源。華虹半導體將繼續加大研發投入，與國內外合作夥伴攜手，開創進軍物聯網市場的新局面。」

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