在做二氧化鈦光催化的同行中有不少人對其光致發光(PL)光譜做了深入地研究,基於其PL強度進行了載流子壽命的考察,但是二氧化鈦真的有PL發光嗎?它的發光在什麼樣的條件下才能檢測到?今天的話題主要針對二氧化鈦的PL測試以及PL發光與光催化活性的關係進行討論。
話題1:二氧化鈦的PL發光
首先筆者並沒有因為作者做出來錯誤的PL數據而否定其所有的研究成果。關於PL發光以及光催化活性之間的關係,筆者在研究生階段也是讀百家論文,發現了一篇關於PL發光強度與光催化活性之間的綜述,並且帶著如獲至寶的感覺在研究室的英文組會裡進行了匯報。然而,導師和助教一臉的不屑把該文章劈頭蓋臉的否定(我們的英文組會就是這樣,不管你拿出來什麼檔次的文章,導師們總會針對一個點,把這些文章否定得一無是處,這也是他們經常教育我們的「要帶著否定的態度去看論文,別太相信他們"。)當然否定的不是沒有道理,比如說PL發光的問題,你僅僅知道了電子與空穴複合產生光的量,你無法測得電子與空穴複合時產生的聲子的量,不是嗎?
圖1
圖2
測試二氧化鈦的PL發光是一件具有挑戰性的事情,因為這種發光在室溫和暴露大氣的條件很容易湮滅。除此之外,具有高比表面積的小尺寸二氧化鈦所造成的散亂光(很容易跟發光混淆)會對實驗造成巨大的影響。所以,我們會經常在一些論文中看到,在350~550 nm之間存在二氧化鈦發光。更有一些對半導體物理不了解的人,把400 nm左右的峰歸結為二氧化鈦的帶—帶PL發光,也就是導帶(CB)下端的電子又回到了價帶(VB)上端的發光。姑且不說實驗操作上的失誤吧,這種帶隙發射怎麼可能在間接半導體二氧化鈦上觀察到呢?此類誤解的例子見圖1和2(採自某兩篇文獻)。
那麼怎麼能夠觀察到二氧化鈦真正的PL發光呢?350 nm雷射,濾光片,背散射濾光片,當這些裝置都具備後,我們能在530 nm的位置觀察到信噪比很差的發光。因為該位置的發光會很快被大氣中的氣體所吸收湮滅掉,所以,話題1的結論是二氧化鈦有發光,但是,不是那麼容易觀察的。而二氧化鈦的PL發光與光催化劑活性的關係那就更複雜了,下面有所討論。
話題2:PL發光與光催化活性之間的關係
在這個話題之前請大家回憶下,在你們所看到的日本科學家的光催化論文中,有多少討論了PL發光?這是因為他們當中很多人覺得PL發光的強度跟光催化活性之間沒有什麼必然聯繫,至少在現在的裝置條件下是不能得出來聯繫的。因為半導體在吸收了光,激發了電子之後,回到基態的輻射過程不僅僅只有光參與,並且沒人知道這個比率是否固定,也沒有人知道聲子產生了多少。簡單說,已知C = A + B,而我們僅僅知道A的數值,B未知,是無法求出來C的。所以,話題2的結論,PL發光與光催化活性之間沒有必然聯繫,至少在現在的裝置條件下。
參考文獻
Rex R E, Knorr F J, McHale J L. Comment on 「Characterization of oxygen vacancy associates within hydrogenated TiO2: a positron annihilation study」[J]. The Journal of Physical Chemistry C, 2013, 117(15): 7949-7951.
註:圖片來源於網絡和文獻。