臺積電5nm製程產能領先三星兩成,而且三星良品率還未達到預期

2020-11-24 騰訊網

最近根據臺灣省的媒體報導,三星正在積極地在 5nm 製程上追趕臺積電,目前三星在韓國量產的 5nm比臺積電仍有約兩成的產能落差,而且目前三星 5nm 製程的良品率還未達到預期。同時根據臺灣省的媒體報導,今年第三季度期間,臺積電的晶圓代工全球市佔率為 53.9%,而三星僅為 17.4%。

雖然臺積電5nm製程產能領先三星兩成,但是現在市場上,除了沒辦法生產5nm晶片的華為外,還有聯發科、英偉達、高通、蘋果等超大廠商都將採用5納米工藝。而臺積電的5nm製程產能還是沒有辦法滿足市場上的需求。所以臺積電也在積極擴張 5nm 製程,預計2021 年底將達到近六成的先進位程市場佔有率。三星 2021 年雖仍有 5nm 擴產計劃,用於高通驍龍晶片與 Exynos 晶片,但相較臺積電預計有兩成產能落差。

而如果臺積電的生產水平還沒辦法提高的話,那麼還是會有一部分市場份額將交給韓國的三星。而蘋果的自研的電腦晶片M1就正處於這個時候,一方面是產能不夠的臺積電,一方面是良品率還沒有達到預期的三星。現在蘋果的M1晶片的生產無非就算以下幾種選擇:

1.選擇臺積電生產 5nm 的M1晶片,臺積電生產水平還沒有提升上去。蘋果不得不推遲讓自己的Mac系列產品搭載M1晶片,或者Mac系列產品搭載M1晶片但是沒有貨出售,大家只能靠搶了。

2.選擇臺積電生產 5nm 的M1晶片,臺積電生產水平提升上去了。那麼蘋果就能一切按照計劃進行,賺得盆滿缽滿。

3.選擇三星生產 5nm 的M1晶片,三星的良品率還沒有達到預期。可能會導致M1晶片的性能存在差異,實際的產品在使用過程中就沒有想像的那麼厲害了。

4.選擇三星生產 5nm 的M1晶片,三星的良品率達到了預期。就算三星的良品率達到了預期,其生產水平肯定還沒有提升上去,還是會出現和臺積電一樣的情況。

5.我個人認為,蘋果將很有可能同時選擇臺積電和三星生產,具體的就是看訂單份額的差距了,當然臺積電的訂單肯定是比較高的。

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  • 日韓互懟,三星躺槍臺積電受益!
    市場則高度關心,韓國半導體大廠三星(Samsung)是否會因此受到打擊,而晶圓代工龍頭臺積電或將從中受惠。業內專家分析,短期內應不會發生轉單效應,但長期來看,這將打亂三星在發展先進位程的腳步,臺積電可望再拉大與對手之間的距離、讓其領先地位更加穩固。
  • 英偉達下一代顯卡統一用臺積電5nm工藝
    目前英偉達已經正式發布了30系顯卡,採用的是三星的8nm製程工藝,不過在實際運行的時候卻發現,三星8nm工藝對於顯卡的超頻能力並沒有多大的幫助,30系顯卡普遍超不上去,而且三星的良率也滿足不了消費者的需求,因此現在30系顯卡仍在搶購之中,作為三星製程的大客戶之一,英偉達顯卡對此並不滿意,有消息稱英偉達希望下一代顯卡的製程工藝重新變為臺積電的架構,而製程則提升至5nm。
  • 為了先進位程,三星與臺積電進行肉搏戰了
    前言:由於在過去5年裡,英特爾在工藝技術進度方面的不給力,一再延誤,使得臺積電和三星已經奠定了業內兩強的地位。近兩年來,三星與臺積電在更先進晶片製程上,你追我趕,競爭十分激烈。事實上,臺積電力奪7納米/7納米EUV首勝,已於第2季量產5納米,至年底由蘋果包下大宗產能,2021年再推出5納米加強版,而隸屬於5納米家族的4納米,預計2021年第4季試產,2022年下半年量產。臺積電的5nm工藝在今年一季度就已大規模投產,三季度貢獻了約10億美元的營收,預計四季度將超過26億美元。
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  • 高通驍龍895處理器或重新採用臺積電的5nm工藝製程
    根據報告內容,臺積電當月實現營收約1173.65億新臺幣,折合人民幣約271億元,相比2019年同期上漲13.6%。 2020年1月至12月,臺積電實現營收1.34萬億新臺幣,折合人民幣超3100億元,同比增幅達到25.2%。值得一提的是,臺積電迎來的好消息,不止營收大漲這一個。
  • 臺積電2020年四季度營收126.8億美元 5nm製程佔比20%
    據了解,臺積電目前最先進位程的5nm工藝在2020年第一季度進行大規模投產,為華為、蘋果等公司提供代工服務,他們從三季度開始披露5nm工藝的營收。     臺積電CEO魏哲家曾多次在財報會議上提到過,他們預計5nm工藝貢獻了臺積電全年8%的營收,從臺積電最新公布的財報來看,5nm營收達到了這一預期。
  • FinFET技術物理極限是5nm,臺積電採用GAA技術成功突破2nm
    GAA全稱Gate All Around,中文名字叫做環繞式柵極,隨著電晶體到達5nm,FinFET已經達到了物理極限,如果再生產3nm或2nm,FinFET技術已經無法滿足電晶體的製造要求了,GAA技術的誕生解決了這個問題,其原理就是增加閘極與電子通道的接觸面積,可以增加控制效果減少漏電流,通過這個技術能夠對晶片核心的電晶體進行重新設計和改造