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飛利浦開始大批量生產90nm CMOS產品
2005年9月15日，中國北京 － 皇家飛利浦電子公司（NYSE: PHG, AEX: PHI）今天宣布有三款關鍵的90nm CMOS產品正式在法國Crolles的Crolles2聯盟晶圓生產廠投入大批量生產
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趨勢 飛利浦開始推90nm製程產品-Philips,飛利浦,90nm ——快科技...
Royal Philips Electronics（飛利浦）宣布其已經開始量產三款90nm產品在位於法國Crolles的Crolles2 Alliance wafer fab。飛利浦所採用的90nm製造工藝和目前TSMC（臺積電）所採用的工藝十分的相似，這也就意味著當飛利浦需要額外的提高產能的時候，可以把一些產量外包給TSMC。
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華虹半導體第二代90nm嵌入式快閃記憶體工藝平臺成功量產
集微網消息，全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司今天宣布其第二代90納米嵌入式快閃記憶體 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺已成功實現量產，技術實力和競爭力再度加強。華虹半導體在第一代90納米嵌入式快閃記憶體 (90nm G1 eFlash) 工藝技術積累的基礎上，於90nm G2 eFlash工藝平臺實現了多方面的技術提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸，較第一代減小約25%，為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式快閃記憶體技術的最小尺寸。
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臺積電7nm工藝_7nm工藝意味著什麼
更確切地說，這四家半導體大廠將採用臺積電7nm？FinFET工藝，製造一款CCIX（緩存一致性互聯加速器）測試晶片，2018年第一季度完成流片。 該晶片一方面用來試驗臺積電的新工藝，另一方面則可以驗證多核心ARM？CPU通過一致性互連通道與片外FPGA加速器協作的能力。
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中芯國際7nm工藝量產在即,中國晶片為什麼長期受制於人?
在2020年年初，中芯國際方面斥資150億元實現了14nm晶片的擴產提速，成為了華為海思方面14nm器件的主要供應商，同時從荷蘭方面購買的光刻機也正式形成生產能力。由於在光刻機設備引進上的進展，中芯國際在今年即將突破7nm工藝，有望在不長的時間內完成14nm工藝向著7nm工藝的突破。
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臺積電:2nm晶片研發重大突破,1nm也沒問題
一、臺積電：第一家官宣2nm工藝，研發進度超前據臺灣經濟日報報導，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發進度超前，業界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到90%。
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為何曾經說7nm是半導體晶片的極限,為何現在都在量產5nm工藝了呢
【為何曾經說7nm是半導體晶片的極限，為何現在都在量產5nm工藝了呢】在半導體領域，有一個特別關鍵性的定律——摩爾定律。我們看看摩爾定律是怎麼規定的？這個內容似乎也沒有提到7nm工藝是極限呢，這裡涉及到一個問題，那就是這裡提到的XX nm，實際上就是電晶體柵極的寬度，也被稱為柵長。而我們晶片中的柵長越短，則可以在相同尺寸的矽片上集成更多的電晶體；其實如何控制柵長長度，這是非常必要，且需要我們控制的內容。
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為什麼5nm的晶片比生產原子彈都難？
臺積電一直穩定保持最強大的製作工藝，所以在國際晶片的代工上，一家獨大！如我們經常看到晶片的製程工藝，有5nm還有7nm，這些是指什麼呢？nm為納米，1毫米=1000微米，1微米=1000納米製造工藝的納米是指IC內電路與電路之間的距離。製造工藝的趨勢是向密集度愈高的方向發展。
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7nm、5nm、3nm?晶片工藝的極限在哪裡?製程小的晶片有什麼優勢
眾所周知，前段時間臺積電宣布開始試產5nm晶片了，而在此之前臺積電也是全球第一家量產7nm晶片的代工企業。而另外像格芯目前已明確表示不再研究10nm以下的晶片製造技術，並且這樣的晶片代工企業並不只有格芯一家。
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全球晶片攻堅戰:3nm臺積電(TSM.US)後年量產,2nm進展順利,1nm遙遙...
3nm領域，臺積電(TSM)一枝獨秀，5nm今年量產3nm穩步推進。目前中國有35項卡脖子技術，光刻機和晶片赫然在列。正當中國進入轟轟烈烈的「卡脖子」技術攻堅戰的時候，一場突如其來的公共衛生事件打亂了所有人的節奏。公共衛生事件之下，晶片產業進展如何?就在公共衛生事件爆發前一個月，教育部發表一篇文章《打響「卡脖子」技術攻堅戰》。
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臺積電正按計劃推進3nm工藝在2022年下半年量產
11月25日消息，據國外媒體報導，在今年一季度及二季度的財報分析師電話會議上，臺積電CEO魏哲家透露他們的3nm工藝進展順利，計劃在2021年風險試產，2022年下半年大規模量產。而英文媒體最新的報導顯示，臺積電正在按計劃推進3nm工藝在2022年下半年大規模量產，消息人士透露，臺積電為這一工藝在2022年下半年設定的月產能是5.5萬片晶圓。
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三星5nm EUV工藝面臨良品率低問題;臺積電將推出4nm晶片製程工藝...
稍早前有報導稱，三星已經從高通公司獲得了驍龍 875G 和驍龍 735G 晶片組的量產訂單。不盡如人意的良品率最終可能會影響到高通即將推出的處理器，這些處理器預計將於明年發布。 在三星 2020 年第一季度財報電話會議上，該公司曾宣布將在 2020 年第二季度末開始量產 5 nm 晶片。不過，該公司是否已經成功做到了這一點，目前還沒有任何報導。
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給國內晶片製造潑冷水?臺積電:2nm製程將在2024年量產
，晶片製造技術一度成為了舉國之力都要攻克的任務，但最新消息稱，我國臺灣的臺積電公司，在2nm工藝製程 上取得了重大突破，並有可能在2023年試產，在2024年實現量產，相比當前國內中芯國際最先進的12nm晶片工藝製程來說，臺積電的最新科研成果確實讓國人在短時間內難望其背。
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關於三星5nm、4nm、3nm工藝分析和全新電晶體架構介紹
5LPE (5nm Low Power Early) 在7LPP工藝的基礎上繼續創新改進，可進一步縮小晶片核心面積，帶來超低功耗。 4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus) 最後一次應用高度成熟和行業驗證的FinFET立體電晶體技術，結合此前5LPE工藝的成熟技術，晶片面積更小，性能更高，可以快速達到高良率量產，也方便客戶升級。
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誰說7nm工藝是晶片極限?有了EUV光刻機,5nm以後都不是事!
一顆晶片的生產製造需要許多環節，但是光刻機肯定是其中最複雜，最難攻克的關鍵一環，全球雖說生產光刻機的廠商有很多，但是能夠真正量產EUV光刻機的就只有荷蘭ASML一家，也正因為有了ASML的EUV光刻機，業界才可以生產出7nm以下工藝的晶片，今年就會有5nm工藝的晶片誕生，比如華為麒麟
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中興7nm晶片商用之際,中芯國際7nm製程"取得突破"
：「芯動科技首個基於中芯國際先進工藝的晶片流片和測試成功，不僅意味著具有自主智慧財產權的『國產芯』再次打破國外壟斷，同時也說明『國產版』的7nm晶片製造技術已經得到突破。」福布斯中文網也在今年3月的報導中指出，中芯國際的7nm工藝發展跟臺積電路線差不多，7nm節點一共發展三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7+。需要注意的是，目前世界上可以量產7nm晶片的晶圓代工廠商僅臺積電和三星兩家，IDM廠商英特爾10nm產品剛上市不久，7nm晶片可能推遲至2023年。
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中興7nm晶片商用之際,中芯國際7nm製程「取得突破」
為了測試集成電路設計是否成功，需要對晶片進行試生產，以檢驗電路是否具備所需的性能和功能。如果流片成功，就可以大規模地量產晶片；反之，就需要找出其中的原因，並進行相應的優化設計。 中科院半導體所相關人士告訴觀察者網：「在技術交付之前，會經歷一個用戶試用的階段，分不同的情況，也許流片之後幾個月或者幾年才能真正實現量產。」
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芯翼信息科技:那顆「全球首顆「CMOS PA Inside NB-IoT晶片,量產了!
目前芯翼信息科技已經完成中國電信晶片的認證測試，即將完成中國移動的晶片入庫認證及中國聯通的模組認證。通過運營商的入庫認證，是每一款modem晶片在批量銷售之前，都必須完成的工作。芯翼信息科技在商用可靠性方面一直保持高度重視，在運營商入庫認證啟動之前，就已經啟動與早期alpha客戶的產品級聯動測試，並針對諸如抄表、煙感、資產定位跟蹤等諸多實際應用場景設計了豐富的場景級測試用例，與細分市場客戶合作進行了長期的產品測試，優先保障XY1100 NB-IoT晶片在目前出貨量最多的細分市場的應用可靠性。
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睿熙科技:全系列VCSEL晶片量產就緒,用實力挑戰國際一流廠商
其實，在這段時間，睿熙科技用業界最少資源的投入，打造出業界最頂尖水平VCSEL產品，並成功進入3D ToF攝像頭模組及OEM廠商供應鏈！目前，睿熙科技已擁有針對消費電子領域需求的全系列VCSEL晶片產品線，晶片出光功率從10 mW至8 W以上，波長包括940 nm和850 nm，支持結構光、iToF、dToF等多種3D傳感解決方案，各項參數性能達到國際領先水平。
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用錢堆出來的FinFET工藝
90納米晶片；2006年量產65納米工藝技術；2008年量產40納米工藝技術；2011年全球首家推出28納米通用工藝技術；2014年全球首家量產20納米工藝技術。臺積電在開始20納米製程研發時，就瞄準布局FinFET，2012年完成16納米製程的定義，迅速且順利地完成測試晶片的產品設計定案，並在以FinFET架構為基礎的靜態隨機存取存儲器單位元（SRAM Bit Cell）上展現功能性良率；並在2014年開始風險生產16FF+工藝，2015年就順利量產；2016年採用多重爆光的10納米工藝也迅速進入量產，量產速度較之前的製程更快