反常霍爾效應是霍爾效應的各種物理版本中基礎而重要的一員,且與溫度梯度驅動的反常能斯特效應在物理根源上有著密切的關係。經過一個多世紀的研究,人們認識到反常霍爾效應的物理機制包括貝利曲率相關的內稟機制和雜質散射相關的外稟機制。作為動量空間中的贗磁場,貝利曲率是布洛赫電子的帶間相互作用。在對稱破缺的拓撲材料中,在自旋軌道耦合作用下,外爾節點及節線環能隙等能帶結構可以產生拓撲增強的貝利曲率。在時間反演對稱破缺的磁性體系中,就有可能產生巨大的、具有拓撲穩定性的(量子)反常霍爾效應。
2018年,中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家研究中心的劉恩克【Nature Physics 14, 1125 (2018)】和翁紅明【Nat. Commun. 9, 3681 (2018)】分別與其合作者,提出了首個磁性外爾半金屬Co3Sn2S2【新型磁性Weyl半金屬的發現及其巨反常霍爾效應】。次年,與合作者一起又觀察到了外爾費米子線性節點和拓撲表面態費米弧兩個拓撲態的譜學證據【時間反演對稱破缺-磁性Weyl半金屬實驗實現】。這一發現完成了外爾費米子對稱破缺的物理分類,並引發了人們對磁性拓撲物理的廣泛研究,也為巨反常霍爾效應的獲得帶來了契機。
該材料費米能級附近存在3對外爾點和3對帶能隙的節線環,可以產生強的貝利曲率分布,使得該材料展現出大的內稟反常霍爾電導(1130 S/cm)和大的反常霍爾角(20%),二者均比常規磁性材料高一個數量級(常規磁性材料反常霍爾電導:100-200 S/cm、反常霍爾角:2-3%)。同時,理論計算進一步顯示,Co3Sn2S2的費米能級及以下存在一個寬約100 meV、高達1000 S/cm反常霍爾電導平臺(圖1,綠線所示)。這意味著,如果在體系中引入少量的p型載流子摻雜,費米能級的下移可保持在該平臺所處的能量範圍之內,其內稟反常霍爾電導將維持不變。與此同時,體系內可能會引發異類雜質的散射效應,產生反常霍爾效應的外稟貢獻(圖1,紅線所示),從而實現反常霍爾效應的總體提升。
圖1. 基於磁性外爾半金屬的內/外稟雙機制增強設計示意(反常霍爾電導平臺來自於前期的理論計算,延伸閱讀,圖二f)
基於上述思想,最近,物理所M05課題組的博士生申建雷、博士生曾慶祺和劉恩克副研究員等,與南方科技大學劉奇航教授課題組合作,在磁性拓撲材料巨反常霍爾效應的調控方面取得了新的進展。他們在磁性外爾半金屬Co3Sn2S2內稟巨反常霍爾效應的基礎上,採用低價電子數的Fe取代Co引入外稟的雜質散射貢獻,大幅增強了體系的反常霍爾電導和反常霍爾角,實現了內/外稟雙機制增強的設計目標。
實驗結果顯示,在微量Fe摻雜的Co3-xFexSn2S2中最大的零場反常霍爾電導可達1850 S/cm,零場反常霍爾角可達33%(圖2)。
圖2. 實驗獲得的反常霍爾電導、反常霍爾角(橫向電流轉換效率)與常規反常霍爾材料的對比。
霍爾角對應著縱向電流向霍爾電流的轉換效率,這意味著在零磁場下將有高達1/3的縱向驅動(外爾電子)電流轉換為橫向霍爾電流。這個效率也是迄今所有報導的磁性材料中的最高值,且從低溫至居裡溫度的寬溫域內均保持著較大的數值。進一步採用TYJ模型對反常霍爾效應的內、外稟成分進行分離(圖3),結果顯示體系的內稟反常霍爾電導隨微量Fe摻雜的增加而略有上升,與理論計算的內稟結果一致。與此形成鮮明對比,外稟貢獻隨著微量Fe摻雜的引入而迅速攀升,增量高達1000 S/cm,且其主要來源於螺旋散射機制。
圖3. (a) Co3-xFexSn2S2體系反常霍爾效應的TYJ模型擬合。(b) 在10 K分離提取出的內、外稟反常霍爾電導。(c) x=0.05合金的內、外稟反常霍爾電導的溫度依賴趨勢。(d) 該體系中內、外稟反常霍爾電導溫度分布規律示意。
本研究結果表明,在不顯著改變體系基本電子結構和費米面分布特徵的前提下,引入微量異類雜質原子的散射效應,可以在磁性外爾半金屬中實現反常霍爾雙機制增強的設計目的。
該工作有助於推動新興磁性拓撲材料在拓撲自旋電子學、磁傳感、電熱換能等方面的潛在應用,所提出的雙機制增強思路可為其他磁性拓撲材料的大反常霍爾及大反常能斯特效應的設計和開發提供重要借鑑。相關內容以題名為「33% Giant Anomalous Hall Current Driven by Both Intrinsic and Extrinsic Contributions in Magnetic Weyl Semimetal Co3Sn2S2」發表在《Advanced Functional Materials》雜誌上,並已申請中國發明專利【申請號:CN202010461006.4】。
該工作得到了國家基金委「優青」基金(51722106)、面上基金(11974394),科技部重點研發計劃(2019YFA0704900、2017YFA0206300),中科院B類先導專項(XDB33000000),北京市基金委重點項目(Z190009),合肥科學中心高端用戶基金(2019HSC-UE009)等項目的支持。
相關工作連結:
https://doi.org/10.1002/adfm.202000830
編輯:xx