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大家都知道，我國的晶片主要依賴進口，每年的晶片進口額度超過了石油，在進口商品中位列第一。世界上每生產5塊晶片，中國就買走了3塊。而晶片生產主要包括設計和製造，晶片設計我國已達到領先水平，關鍵就是製造落後。而晶片製造中設備是關鍵，其中包括光刻機、蝕刻機、離子注入機等等，這些設備我們都在研發突破，下面帶大家了解下這些設備國產化進展。
蝕刻機已達到全球領先
光刻機是晶片製造的魂，蝕刻機是晶片製造的魄，要想製造高端晶片，這兩個設備都必須頂尖。相對光刻來說，刻蝕相對簡單，但要將精度提升到5nm，那也是相當不容易的。我國在蝕刻機領域已經突破，中微半導體的5nm蝕刻機已通過臺積電驗證，並將用於今年的5nm晶片生產。中微的5nm蝕刻機，可以說是繼華為5G之後，完全自主研發的頂尖技術。
國外曾經將蝕刻機列入禁止出售我國行列，但在中微突破之後，立即取消限制並大幅降價！現在，中微半導體可以自主生產5nm蝕刻機，達到世界領先！這一切其實都要致敬中國第一代科研人一一年近60歲的尹志堯博士，帶領眾多優秀海歸人才，回國創辦了中微半導體，在團隊對科技的不斷探索下，短短10多年的時間，就攻破了5nm蝕刻機的瓶頸，讓中國科技再一次實現了反超越！
高能離子注入機又突破
離子注入機是晶片製造中僅次於光刻機、蝕刻機的關鍵裝備。那麼離子注入機在晶片製造過程中起什麼作用呢？晶片製造時，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量並注入至特定半導體材料中，離子注入機即是執行這一摻雜工藝的晶片製造設備。
而今天我們要介紹取得突破的是高能離子注入機，這是離子注入機中技術難度最大的機型。長久以來，因其極大的研發難度和較高的行業競爭壁壘，被稱為離子注入機領域的 「珠穆朗瑪峰」，是我國集成電路製造裝備產業鏈上亟待攻克的關鍵一環。
近日喜報傳來，新華社報導，中國電子科技集團宣布，由該集團旗下電科裝備自主研製的高能離子注入機成功，實現百萬電子伏特高能離子加速，性能達到國際先進水平。將在年底前推出首臺高能離子注入機，並可以為全球晶片製造企業提供離子注入機成套解決方案。
高端光刻機也開始合圍
光刻機是晶片製造中最關鍵的設備，而高端光刻機現在被荷蘭壟斷，也就是所說的EUV光刻機。由於我國受到《瓦森納協定》的限制，很多高端技術被封鎖，光刻機也是其中之一，再加上米國的限制，中芯國際2018年底全款訂購的一臺EUV光刻機，按計劃應於去年底到貨，到現在依然沒有！不過，我國上海微電子也很爭氣，28nm光刻機預計明年出貨，以前生產的90nm光刻機也是我國的中流砥柱，因為大部分的晶片不用那麼高精度，這樣我們的國防設備和大部分電子工業已經能夠滿足！
但我們依然在向高端EUV光刻機進軍，因為高端手機和先進的5G依然會用到。其實，我國在EUV光刻機上的技術積累已是超過20多年了，別以為今天是倉促應戰的！現在已經開始向EUV領域展開全面合圍，哈工大研發成功EUV光源，華卓精科突破雙工件臺，國旺突破光學鏡頭，極紫外光刻（EUV）關鍵技術研究在長春光機所通過驗收。這些都表明，我國的高端光刻機正在突破，造出EUV光刻機不是沒有可能！
結語：原來由於「造不如買」的錯誤認識，加上國外對我國的技術封鎖，導致我國在晶片行業的落後。直到國外的不斷「卡脖子」封鎖，我們才意識到掌握核心科技的重要。然而因為欠帳太多，並且國外已經發展多年，我們想要追趕，連市場驗證的機會都很小。現在因為米國的制裁加劇，我國晶片行業各領域迅猛發展，不斷加強自主研發，差距正在逐漸縮小，只要有信心，一切皆有可能，因為我們已攻破了太多西方認為不可能的科技了！
那麼，大家覺得我國現在的晶片行業發展的怎麼樣，有沒有信心反超越呢？
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