導讀
據英國曼徹斯特大學官網近日報導,該校與來自荷蘭、新加坡、西班牙、瑞士、美國的研究人員發表了一篇新綜述,概述了計算機設備開發領域的新動向,指出基於石墨烯和二維材料的自旋電子學技術,將成為新一代電子產品的基礎。
背景
在石墨烯以及相關二維材料中電子自旋輸運的研究中,近期的理論和實驗進展以及現象,已經成為一個引人入勝的研發領域。
(圖片來源:Talieh Ghiasi / Van Wees Lab / 格羅寧根大學)
自旋電子學,是電子學與磁學在納米尺度的結合,並有望通向新一代高速電子器件。對於超越摩爾定律的納米電子器件來說,自旋電子器件是一種可行的選擇。與依賴電流的傳統電子器件相比,它將提供更高的能量效率以及更低的損耗。原則上,我們可以讓手機和平板電腦使用基於自旋的電晶體和存儲器。
(圖片來源:Sumio Ishihara)
創新
近日,英國曼徹斯特大學與來自荷蘭、新加坡、西班牙、瑞士、美國的研究人員在美國物理學會出版的《現代物理學評論(Review of Modern Physics)》上發表了一篇論文,研究人員在論文中提出了關於由異質結構及其演生現象的新觀點,這些現象包括近鄰近實現的自旋軌道效應、自旋與光的耦合、電氣可調諧性以及二維磁性。
如下圖所示,二維範德瓦爾斯異質結構中新興的自旋電子現象。鑑於石墨烯的自旋鬆弛長度較長,它可作為理想的自旋輸運通道。在通道中心,兩個磁觸點用於電氣注入或者檢測自旋電流。通過使用石墨烯和過渡金屬二滷化物的異質結構來避免對磁性接觸的需求,這些異質結構可實現直接光學自旋注入(左上)和直接的電荷自旋轉換(右下)。
(圖片來源:曼徹斯特大學)
技術
許多人已經在筆記本電腦和個人電腦中遇到過自旋電子學,這些電腦以硬碟驅動器讀磁頭中的磁性傳感器的形式使用了自旋電子學。這些傳感器也用於汽車工業。
自旋電子學是開發電子產品的一個新方法。在這些電子器件中,存儲器件(RAM)與邏輯器件(電晶體)均通過「自旋」實現,自旋是電子的基本特性,使其表現得既像微型磁體又像電子電荷。
曼徹斯特大學凝聚態物理系講師 Ivan Vera Marun 博士表示:「石墨烯自旋電子學領域的不斷進步,以及更廣泛的二維異質結構,導致了使用之前無法通過石墨烯單獨實現的效果,高效地創建、傳輸以及檢測自旋信息。」
「隨著繼續在基礎和技術方面付出努力,我們相信彈道自旋輸運將在二維異質結構中實現,甚至是在室溫下。這種輸運使得電子波函數的量子力學特性得到實際運用,使二維材料中的自旋服務於未來量子計算方案。」
石墨烯及其他二維材料中可控的自旋輸運,越來越有望應用到各種器件中。令人特別感興趣的是定製的異質結構,也稱為「範德華異質結構」,它由二維材料以精確控制的順序堆疊而成。這篇綜述描述了石墨烯電子學這一開發領域的概況,並概述了實驗和理論的最新進展。
數十億的自旋電子器件,例如傳感器和存儲器,已經被製造出來。每個硬碟驅動器都有一個使用自旋流的磁性傳感器,而且磁性隨機存儲器(MRAM)晶片變得越來越受歡迎。
存儲密度達128Mb的自旋轉移矩-磁性隨機存儲器(STT-MRAM),寫入速度達14納秒。(圖片來源:日本東北大學)
過去十年,石墨烯自旋電子學領域取得了令人振奮的成果,逐漸演變成範圍擴大至新型二維化合物的新一代研究。
自從2014年被分離出來,石墨烯為其他二維材料打開了大門。然後,研究人員可以使用這些材料創造堆疊的二維材料,也稱為「異質結構」。這些材料可以與石墨烯結合,以創造出新的「人造材料」,來實現最初僅限於科幻小說的應用。
石墨烯結構示意圖(圖片來源:Tatiana Shepeleva/Shutterstock)
這篇論文作者之一的 Francisco Guinea 教授表示:「在自旋電子學領域,材料中自旋的特性與操控,揭示了固體行為的許多新方面。自旋載流子運動基本性質的研究,是凝聚態物理學中最活躍的領域之一。」
「在2004年拓撲絕緣體的概念被提出之後,全世界都在集中研究識別與表徵具有非凡拓撲電磁學特性的新型量子材料。自旋電子學是此類探索的核心。由於二維材料的純潔性、強度和簡單性,它們是尋找這些與量子物理學、電子學以及磁學相關的獨特拓撲特徵的最佳平臺。」
總的來說,石墨烯以及相關二維材料中的自旋電子學領域目前正在朝著實用的石墨烯自旋電子器件發展,例如在太空通信、高速無線電鏈路、車載雷達、晶片間通信等領域中應用的耦合納米振蕩器。
關鍵詞
自旋、拓撲絕緣體、石墨烯、二維材料
參考資料【1】A. Avsar, H. Ochoa, F. Guinea, B. zyilmaz, B.J. van Wees, I.J. Vera-Marun. Colloquium: Spintronics in graphene and other two-dimensional materials. Reviews of Modern Physics, 2020; 92 (2) DOI: 10.1103/RevModPhys.92.021003