1.從電晶體的型號命名上識別其材料與極性 國產電晶體型號命名的第二部分用英文字母A「D表示電晶體的材料和極性。其中，「A」代表鍺材料PNP型管，「B」代表鍺材料NPN型管，「C」代表矽材料PNP型管，「D」代表矽材料NPN型管。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201612/333255.htm***產電晶體型號命名的第三部分用字母A」D來表示電晶體的材料和類型（不代表極性）。其中，「A」、「B」為PNP型管，「C」、「D」為NPN型管。通常，「A」、「C」為高頻管，「B」、「D」為低頻管。
歐洲產電晶體型號命名的第一部分用字母「A」和「B」表示電晶體的材料（不表示NPN或PNP型極性）。其中，「A」表示鍺材料，「B」表示矽材料。
2.從封裝外形上識別電晶體的引腳 在使用權電晶體之前，首先要識別電晶體各引腳的極性。
不同種類、不同型號、不同功能的電晶體，其引腳排列位置也不同。通過閱讀上述「電晶體的封裝外形」中的內容，可以快速識別也常用電晶體各引腳的極性。
3.用萬用表判別電晶體的極性與材料 對於型號標誌不清或雖有型號但無法識別其引腳的電晶體，可以通過萬用表測試來判斷出該電晶體的極性、引腳及材料。
對於一般小功率電晶體，可以用萬用表R×100Ω檔或R×1k檔，用兩表筆測量電晶體任意兩個引腳間的正、反向電阻值。
在測量中會發現：當黑表筆（或紅表筆）接電晶體的某一引腳時，用紅表筆（或黑表筆）去分別接觸另外兩個引腳，萬用表上指示均為低阻值。此時，所測電晶體與黑表筆（或紅表筆）連接的引腳便是基極B，而別外兩個引腳為集電極C和發射極E。若基極接的是紅表筆，則該管為PNP管;若基極接的是黑表筆，則該管國 NPN管。
也可以先假定電晶體的任一個引腳為基極，與紅表筆或黑表筆接觸，再用另一表筆去分別接觸另外兩個引腳，若測出兩個均較小的電阻值時，則固定不動的表筆所接的引腳便是基極B，而另外兩個引腳為發射極E和集電極C。
找到基極B後，再比較基極B與另外兩個引腳之間正向電阻值的大小。通常，正向電阻值較大的電極為發射極E，正向電阻值較小的為集電極C。
PNP型電晶體，可以將紅表筆接基極B，用黑表筆分別接觸另外兩個引腳，會測出兩個略有差異的電阻值。在阻值較小的一次測量中，黑表筆所接的引腳為集電極C;在阻值較大的一次測量中，黑表筆所接的引腳為發射極E。
NPN型電晶體，可將黑表筆接基極B。用紅表筆去分別接觸另外兩個引腳。在阻值較小的一次測量中，紅表筆所接的引腳為集電極C;在阻值較大一次測量中，紅表筆所接的引腳為發射極E。
通過測量電晶體PN結的正、反向電阻值，還可判斷出電晶體的材料（區分出是矽管還是鍺管）及好壞。一般鍺管PN結（B、E極之間或B、C極之間）的正向電阻值為200「500Ω，反向電阻值大於100kΩ;矽管PN結的正向電阻值為3」15kΩ，反向電阻值大於500kΩ。若測得電晶體某個PN結的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該管已擊穿或開路損壞。
（二）電晶體性能的檢測
1.反向擊穿電流的檢測
普通電晶體的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量電晶體發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置於R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆，發射極E接紅表筆;PNP管的集電極C接紅表筆，發射極E接黑表筆。
正常時，鍺材料的小功率電晶體和中功率電晶體的電阻值一般大於10Kω（用R×100檔測，電阻值大於2kΩ），鍺大功率電晶體的電阻值為1.5kΩ（用 R×10檔測）以上。矽材料電晶體的電阻值應大於100kΩ（用R×10k檔測），實測值一般為500kΩ以上。
若測得電晶體C、E極之間的電阻值偏小，則說明該電晶體的漏電流較大;若測得C、E極之間的電阻值接近0，則說明其C、E極間已擊穿損壞。若電晶體C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多，則說明該管的熱穩定性不良。
也可以用電晶體直流參數測試表的ICEO檔來測量電晶體的反向擊穿電流。測試時，先將hFE/ICEO選擇開關置於ICEO檔，選擇電晶體的極性，將被測電晶體的三個引腳插個測試孔，然後按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。
2.放大能力的檢測
電晶體的放大能力可以用萬用表的hFE檔測量。測量時，應先將萬用表置於ADJ檔進行調零後，再撥至hFE檔，將被測電晶體的C、B、E三個引腳分別插入相應的測試插孔中（採用TO-3封裝的大功率電晶體，可將其3個電極接出3根引線後，再分別與三個插孔相接），萬用表即會指示出該管的放大倍數。
若萬用表無hFE檔，則也可使用萬用表的R×1k檔來估測電晶體放大能力。測量PNP管時，應將萬用表的黑表筆接電晶體的發射極E，紅表筆接電晶體的集電極C，再在電晶體的集電結（B、C極之間）上並接1隻電阻（矽管為100kΩ鍺管為20 kΩ），然後觀察萬用表的阻值變化情況。若萬用表指針擺動幅度較大，則說明電晶體的放大能力較強。若萬用表指針不變或擺動幅較小，則說明電晶體無放大能力或放大能力較差。
測量NPN管時，應將萬用表的黑表筆接電晶體的集電極C，紅表筆接電晶體的發射極E，在集電結上並接1隻電阻，然後觀察萬用表的阻值變化情況。萬用表指針擺動幅度越大，說明電晶體的放大能力越強。
也可以用電晶體直流參數測試表的hFE/測試功能來測量放大能力。測量時，先將測試表的hFE/ICEO檔置於hFE–100檔或hFE–300檔，選擇電晶體的極性，將電晶體插入測試孔後，按動相應的hFE鍵，再從表中讀出hFE值即可。
3.反向擊穿電壓的檢測
電晶體的反向擊穿電壓可使用電晶體直流參數測試表的V（BR）測試功能來測量。測量時，先選擇被測電晶體的極性，然後將電晶體插入測試孔，按動相應的V（BR）鍵，再從表中讀出反向擊穿電壓值。
對於反向擊穿電壓低於50V的電晶體，也可用圖5-58中所示的電路進行測試。將待測電晶體VT的集電極C、發射極E與測試電路的A端、B端相連（PNP 管的E極接A點，C極接B點;NPN管的E有接B點，C極接A點）後，調節電源電壓，當發光二極體LED點亮時，A、B兩端之間的電壓值即是電晶體的反向擊穿電壓。
（三）特殊電晶體的檢測
1.帶阻尼行輸出管的檢測
用萬用表R×1檔，測量發射結（基極B與發射極E之間）的正、反向電阻值。正常的行輸出管，其發射結的正、反向電阻值均較小，只有20「50Ω。
用萬用表R×1k檔，測量行輸出管集電結（基極B與集電極C之間）的正、反向電阻值。正常時，正向電阻值（黑表筆接基極B，紅表筆接集電極C）為 3」10kΩ，反向電阻值為無窮大。若測得正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則說明該管的集電結已擊穿損壞或開路損壞。
用萬用表R×1k檔，測量行輸出管C、E極內部阻尼二極體的正、反向電阻值，正常時正向電阻值較小（6「7 kΩ），反向電阻值為無窮大，若測得C、E極之間的正反向電阻值均很小，則是行輸出管C、E極之間短路或阻尼二極體擊穿損壞。若測得C、E極之間的正、反向電阻值均為無窮大，則是阻尼二極體開路損壞。
帶阻尼行輸出管的反向擊穿電壓可以用電晶體直流參數測試表測量，其方法與普通電晶體相同。
帶阻尼行輸出管的放大能力（交流電流放大係數β值）不能用萬用表的hFE檔直接測量，因為其內部有阻尼二極體和保護電阻器。測量時可在行輸出管的集電極C 與基極B之間並接1隻30 kΩ的電位器，然後再將行輸出管各電極與hFE插孔連接。適當調節電位器的電阻值，並從萬用表上讀出β值。
2.帶阻電晶體的檢測
因帶阻電晶體內部含有1隻或2隻電阻器，故檢測的方法與普通電晶體略有不同。檢測之前應先了解管內電阻器的阻值。
測量時，將萬用表置於R×1k檔，測量帶阻電晶體集電極C與發射極E之間的電阻值（測NPN管時，應將黑表筆接C極，紅表筆接E極;測PNP管時，應將紅表筆接C極，黑表筆接E極），正常時，阻值應為無窮大，且在測量的同時，若將帶阻電晶體的基極B與集電極C之間短路後，則應有小於50kΩ的電阻值。否則，可確定為電晶體不良。
也可以用測量帶阻電晶體BE極、CB極及CE極之間正、反向電阻值的方法（應考慮到內含電阻器對各極間正、反向電阻值的影響）來估測電晶體是否損壞。
3.光敏三極體的檢測
光敏三極體只有集電極C和發射極E兩個引腳，基極B為受窗口。通常，較長（或靠近管鍵的一端）的引腳為E極，較短的引腳的C極。達林頓型光敏三極體封裝缺圓的一側為C極。
檢測時，先測量光敏三極體的暗電阻：將光敏三極體的受光窗口用黑紙或黑布遮住，再將萬用表置於R×1k檔。紅表筆和黑表筆分別接光敏三極體的兩個引腳。正常時，正、反向電阻均為無窮大。若測出一定阻值或阻值接近0，則說明該光敏三極體已漏電或已擊穿短路。
測量光敏三極體的亮電阻：在暗電阻測量狀態下，若將遮擋受光窗口的黑紙或黑布移開，將受光窗口靠近光源，正常時應有15」30kΩ的電阻值。則說明光敏三極體已開路損壞或靈敏度偏低。