加利福尼亞州聖克拉拉--應用材料公司今日宣布推出兩款幫助客戶解決在製造高性能、低功耗3D器件關鍵性挑戰的全新半導體製造系統，展示了其在高尖端半導體材料工程上的專業領先地位。其中，AppliedReflexion®LKPrime™化學機械研磨拋光系統(CMP)擁有出色的矽片平整拋光性能，能讓FinFET及3DNAND結構的應用達到納米級的精度。另一款AppliedProducer®XPPrecision™化學氣相澱積系統(CVD)則能滿足垂直3DNAND結構對澱積的基本要求。全新的CMP和CVD設備直接解決了3D結構在精密、材料及缺陷方面的挑戰，幫助其實現大批量生產。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/249522.htm應用材料公司半導體材料事業部執行副總裁兼總經理RandhirThakur博士表示："隨著人們對移動性的需求日益增加，3D結構也日趨複雜化，因而亟需工程領域的創新。複雜的設計需要大量新技術、新材料的投入，以實現最佳的器件性能，並提高產品良率。今天我們發布的最新CMP和CVD系統，能夠滿足不同客戶的多樣需求，實現高級3D邏輯和內存晶片的量產轉型。"
在3D結構中，CMP對FinFET的柵結構和NAND階梯結構起著至關重要的作用。新器件結構的要求十分嚴苛，有些甚至需要增加至10個研磨拋光工序，而ReflexionLKPrimeCMP系統的設計初衷便是滿足這些高要求。LKPrime設備以其先進的工藝技術，史無前例地推出6個研磨拋光站和8個清洗站步驟並配有先進的高精度工藝參數控制技術，使客戶能夠在矽片薄膜性能和產能方面得到顯著的改善與提高。通過為ReflexionLKPrime系統增加拋光和清洗站，矽片的產出得以翻倍，生產效率提升最高可達100%。
通過獨立應用每個研磨拋光站及清洗站，晶片製造商在拋光工藝上擁有了更大的靈活性，可以按不同要求提供特出工藝，精確控制薄膜拋光尺寸及平整度，減少器件缺陷及雜質。LKPrime系統包含即時參數反饋分析和拋光終點探測控制技術，能夠保證矽片薄膜自身的均勻性及矽片與矽片間的可重複性，從而滿足未來器件的節點要求。憑藉這些優勢，LKPrime系統在控制FinFET的柵高上能使矽片上所有的器件元達到納米級的均勻性。這是一項十分重要的工藝，因為即使是FinFET柵高的一個極小變化，都會影響器件的性能和良率。對於3DNAND來講因其擁有更厚的薄膜層和大塊的表面結構，需要持久和穩定的研磨拋光工藝，多工藝加工站能為其提供穩定和可控的拋光平坦化加工。
3DNAND產業的變革也亟需針對垂直柵製作和複雜圖形結構應用的先進沉積技術。ProducerXPPrecisionCVD系統通過對納米級層結構間薄膜厚度的精密控制，達到矽片上關鍵尺寸的高度均勻性，從而支持3DNAND的轉型。該系統性能的關鍵在於獨一無二的精密腔體設計，並能夠調整溫度、等離子體、氣流等關鍵參數。通過提供靈活的工程技術，應用材料公司能幫助客戶實現卓越的應力控制和矽片內、矽片間和層結構間的均勻性，從而支持不同類型的優質、低缺陷薄膜的交替澱積，提高柵極性能，降低器件的差異率。
全新的XPPrecision系統專為批量生產而設計，將已應用於實際生產中的ProducerCVD技術與更高效快捷的工藝腔技術相結合。此外，該系統採用全新的模塊化主機結構和高速設計理念，進一步提高了產出密度、降低了設備的持有成本。XPPrecision系統大幅優化了精密澱積效果，在提高產量的基礎上，使圖案結構和多層式薄膜堆疊實現更薄、更優的材料，從而應對3DNAND結構不斷縮小的趨勢。
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