MOSFET，金屬氧化物半導體場效應電晶體，誕生於1959年。MOSFET使得晶片從10U一直微縮至22NM。在22NM時MOSFET已經不再適用。其後出現了FD-SOI和FinFET兩種新的晶片結構。
FD-SOI，全耗盡SOI。FinFET，鰭式場效應電晶體。在英特爾、IBM等巨頭的主導下，現在大多數晶片以FinFET結構為主。
FinFET使得晶片從22NM微縮到7NM。從1959年至今，從MOSFET到FinFET，晶片實現了100多倍的微縮。
然而FinFET發展到7NM，晶片製程的微縮再次遭遇了重大瓶頸。許多專家認為，晶片已經無法再進行微縮，摩爾定律即將破產，晶片要繼續進行微縮必須要由矽基轉向非矽基。
但是，2017年，GAAFET出現了。GAAFET, Gate-All-Around閘極環繞場效應電晶體。在2017年IBM利用GAAFET實現了5NM晶片製程。在今年5月份，在美國舉行的SFF 2018 USA之上，三星宣布將利用GAAFET結構，實現5nm、4nm、3nm工藝。
GAAFET的出現，讓晶片再次出現微縮的空間，使得晶片更小的NM製程成為可能。晶片微縮的盡頭在哪裡呢，目前誰也沒有定論！