VASP表面吸附計算實例分析

2020-11-26 騰訊網

本文主要為了記錄在學習Vasp計算過程中如何設置INCAR中的一些參數,並不著重講解其含義,詳見可自行到vasp官網查閱。

其次關於建模部分也不做細緻討論,一般結構可從Materials Studio裡自帶的晶體資料庫導出,或從三大資料庫網站上下載:

1、Materaials Project網址:https://materialsproject.org/(強烈推薦,郵箱註冊即可使用)

2、CCDC網址:https://www.ccdc.cam.ac.uk/

3、ISCD:http://www2.fiz-karlsruhe.de/icsd_home.html

一、表面吸附計算

這裡以W(100)表面吸附CO分子為例,暫不做收斂性測試,主要為了記錄一些參數的設定,計算流程如下:

1.對W晶胞進行結構優化

INCAR設置:

#### initial I/O ####SYSTEM = WISTART = 0ICHARG = 2LWAVE = .FALSE. #優化晶胞時,不開波函數,節省計算時間LCHARG = .FALSE. #優化晶胞時,不開電荷密度,節省計算時間#### Ele Relax 電子步####ENCUT = 225 #截斷動能根據相關文獻或贗勢確定,也可自己做收斂性測試ISMEAR = 1 #金屬體系SIGMA = 0.2 #POTCAR值確定EDIFF = 0.1E-4NELM = 60LREAL = .F.PREC = Normal#### Geo opt 離子步####EDIFFG = -0.05IBRION = 2POTIM = 0.2NSW = 100ISIF = 3 #需要優化W的離子位置、晶胞常數和體積

POSCAR設置(固定原子優化):

W bulk1.03.16520000 0.00000000 0.000000000.00000000 3.16520000 0.000000000.00000000 0.00000000 3.16520000W2Selective dynamics #固定原子位置優化時添加Direct0.000000000 0.000000000 0.000000000 F F F #F代表固定該原子位置0.500000000 0.500000000 0.500000000 F F F #T代表放開優化該原子

2.W晶胞切W(100)面並優化

INCAR設置:

#### initial I/O ####SYSTEM = WISTART = 0ICHARG = 2LWAVE = .FALSE.LCHARG = .FALSE.#### Ele Relax ####ENCUT = 225ISMEAR = 1SIGMA = 0.2EDIFF = 0.1E-4NELM = 60LREAL = .F.PREC = NormalALGO = Fast#### Geo opt ####EDIFFG = -0.05IBRION = 2POTIM = 0.2NSW = 100ISIF = 2 #優化表面

3.優化CO分子

將CO分子放置在bulk中,晶格常數:a=b=c=10;α=β=γ=90

INCAR設置:

#### initial I/O ####SYSTEM = COISTART = 0ICHARG = 2LWAVE = .F.LCHARG = .F.#### Ele Relax ####ENCUT = 400ISMEAR = 0SIGMA = 0.2EDIFF = 0.1E-4NELM = 60LREAL = .F.ALGO = Normal#### Geo opt ####EDIFFG = -0.02IBRION = 2POTIM = 0.2NSW = 100ISIF = 2

4.W(100)表面上吸附CO分子並優化

CO分子放置在W(100)表面上的bridge位置上,C-W鍵長1.90A,C-O鍵長1.144A。

INCAR設置同上,只需修改POTCAR和K點即可。

5.CO吸附能計算

從OUTCAR文件中可以得到W(100)-CO的Total energy為:

CO的能量為:

W(100)表面的能量為:

計算吸附能公式如下:

得到CO分子的吸附能

6.如何計算單原子催化劑的結合能

結合能公式如下:

其中,

是負載了單原子的整體催化劑能量:

是沒有負載單原子時,載體的能量:

是每個單原子的能量,是用無限大的塊體金屬中平均每個金屬的能量:

: 為什麼單原子催化劑的結合能往往算出來是正值?(正值代表吸熱)

答:因為我們用上述方法算出的結合能是和Bulk能量比較,所以一般算出來是正值,除了負載在石墨烯上的單原子具有較強的穩定性其結合能為負值;如果是和孤立的單原子比較的話其結合能就是負值了。

:為啥不用下面的模型計算單原子的能量,也就是真空原子的能量。有以下兩點原因(1、化學意義;2、算不準)

答:

(1)化學意義。為了解釋這個問題,我們還要從化學本質上去考慮。單原子催化劑最終會失活發生聚集,聚集產物就是大的金屬顆粒,那麼為了探討單原子催化劑的穩定性,肯定要和大塊金屬去比,而不是和真空中的單原子去比。

(2)算不準,對於Cu原子還好,但是對於Fe,Co,Ni這些孤立原子

,不同的初始磁矩設置會得到非常不一樣的結果(差1eV以上)。這樣怎麼讓別人去重複這些結果呢?怎麼保證我們計算是有意義的?如果是塊體金屬

,Fe,Co,Ni也有實驗的磁矩作為參考,最後大家算出來的結果都是可靠、可重複的。DFT是更擅長橫向比較的。

7.雙原子催化劑的穩定性計算

公式同單原子基本一樣:

8.n個原子的團簇的穩定性計算

這時候有兩種方案都可以了,因為隨著原子數增多,這個時候DFTR計算對於團簇會給出一個比較可靠的能量值了(可重複)

以上內容均為學習中的一些總結,如有錯誤,還請批評指教。

相關焦點

  • 高通量計算建模基礎 - ASE建模 (1)
    引言: 近期,高通量計算和機器學習在化學領域迅猛發展,並且以理論計算為主導的材料篩選和預測,隨後接實驗驗證的設計思路也越來越流行,成為新材料設計和開發的強有力手段。顧名思義,無論高通量計算還是機器學習,我們都需要大量的數據作為支撐。手動建模(Material studio, p4vasp, vesta, jmol等)方法無法滿足大批量結構數據的創建和後期計算處理。
  • 使用腳本繪製吸附勢能面
    但是這些離散的點沒法幫你構建一個「勢能面」,也就是無法得到吸附能在表面究竟是怎麼分布的. 下面的文獻裡DOI:10.1063/1.4901055有一張圖非常生動,講的分別是Li在Li(001)以及Mg在Mg(0001)表面的吸附勢能分布,我們不僅可以知道哪些位置有利於吸附,還可以根據吸附能分布,描繪出分子在表面的擴散路徑,這有助於我們使用NEB方法算擴散能壘。
  • VASP計算非線性磁矩和磁各向異性能(自旋軌道耦合)小結
    第二種方法允許讀取已存在的WA.VECAR(來自線性或者非磁性計算)文件,並且繼續另一個自旋方向的計算(改變SAXIS 值而MAGMOM保持不變)。當讀取一個非線性磁矩計算的WA.VECAR時,自旋方向會指定平行於SAXIS。
  • VASP計算二維材料的載流子遷移率
    缺點是計算量太大,一般的課題組很難承受起高昂的計算費用,另外EPW軟體對於二維材料的計算存在部分問題,在其官方論壇也有討論,計算過程在後續文章中會提到。本文以形變勢理論方法為基礎,詳細介紹了二維InSe的電子和空穴的有效質量與載流子遷移率的計算方法。
  • vasp入門到精通[23]計算團簇時候參數怎麼設置
    使用vasp計算團簇小技巧1建立模型,如果是單元素的模型,要看多少原子,原子多了,就有很多種對稱性的可能,vasp無法做到搜索出基態
  • 固體與表面課程萬條答疑記錄精選(一)
    請問氫質子吸附時,如何設置電荷? 回覆:改變NELECT,默認的數值在grep NELECT OUTCAR 裡讀取,重啟計算把總電子數減一。或者添加抗衡離子,如在下表面加一個OH。 7. 自己的機器24核48線程,應該怎麼設NCORE?
  • VASP實用教程-從入門到進階-第一彈:VASP簡介及計算前期準備工作
    VASP這麼受科研人員青睞主要還是因為其擁有較高的計算效率,VASP是目前做固體材料第一性原理計算效率最高的商用軟體之一,可以使用較小的內存就能實現大規模的高效率並行計算並且VASP能夠實現大規模的高效率並行計算,支持多核多節點並行計算,對核數和節點數均沒有限制,支持單用戶多用戶同時使用。
  • VASP計算雜化能帶詳細步驟教程
    cp PRIMCELL.vasp POSCAR後,用 VASP-PBE優化結構。 KPATH.in能帶只針對於 PRIMITIVE CELL,缺少這一步,你可能得到錯誤的結果。如果有必要,比較 KPATH.in文件中的能帶路徑是否與在線能帶路徑產生工具 SeeK-Path產生的一致,包括比較 PRIMCELL.vasp和 HIGH_SYMMETRY_POINTS文件。
  • 氣體吸附理論BET原理和實例大全!快快收藏
    平時經常會說去測個BET,看看材料比表面積多大,孔徑分布如何,其實我們測試的並不是BET,而是氮氣等溫吸脫附曲線,測試得到的數據是氮氣等溫吸脫附曲線,比表面積、孔徑分布都是通過公式計算得到的。這篇文章理清了對氮氣等溫吸脫附曲線及比表面積和孔徑分布計算的基本概念和相互關係,以及對應用時改採用何種計算方法及數據處理手段做一個簡明實用的總結。
  • 史上最簡單的VASP安裝教程-非虛擬機
    本文是針對vasp初學者的安裝教程編譯器以及VASP都已編譯號直接解壓到系統中即可用,故不用配置其它的庫文件以及環境;本教程適用於任意平臺安裝centos7的伺服器以及pc機(若在其它linux發行版本中安裝請諮詢小編)。
  • VASP態密度與分子軌道
    利用軌道信息計算態密度的時候,具體如何設置呢?在INCAR裡,定義DOSCAR輸出的命令是LORBIT。LORBIT= 10、11、12三個都給出了局域態密度,11是lm分解的,比如px、py、pz上投影的態密度;10隻是投影到spdf軌道。12相比11又多輸出了相位因子。說明書是這樣解釋的,LORBIT = 13和LORBIT = 14僅在>= 5.4.4版本支持。
  • Learn VASP The Hard Way (Ex-0)
    1.6) 前面說的主動是對於你自己來說的,別碰到不會的就主動求助別人,這樣你很難得到提升;1.7) 很多人都是做實驗的,被老闆強迫做的計算,但老闆屁都不懂,在這裡,大師兄建議你找個做計算的組,讓老闆派你去交流一段時間,別自己在那裡瞎搗鼓。1.8) 很多人吐槽計算化學是個坑,既然你選擇了這條路,要麼抓緊改行,要麼請避開這些負能量的說法。
  • VASP教程之Phonopy聲子譜計算(Pymatflow篇)
    計算固體聲子譜常用的方法包括有限位移、DFPT方法等,本文將為您帶來使用matflow簡化VASP結合Phonopy計算固體聲子譜的內容。
  • VASP5.4.1及+VTST編譯安裝
    VASP採用平面波贗勢(或綴加投影波)方法進行從頭計算分子動力學模擬的軟體包。官網:https://www.vasp.atVTST是VASP的過渡態工具,下載地址:http://theory.cm.utexas.edu/vtsttools/index.htmlVASP及VTST安裝均無需root權限,普通用戶在自己的目錄下也可以安裝使用
  • 天然有機質和金屬離子在礦物表面的共吸附
    實驗數據與NICA-Donnan模型計算的結果相比較,表明使用線性疊加假設赤鐵礦、Cu(Ⅱ)和FA三元體系中的Cu(Ⅱ)吸附低被估了30%。可見,NOM對Cu(Ⅱ)吸附的影響與反應體系有關。此外,雙層模型(DLM)計算發現在高pH值下,NOM會抑制針鐵礦表面對金屬離子Cu(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)和Ni(Ⅱ)的吸附,天然有機配體沒有形成三元表面絡合物。
  • VASP6.1.1電聲耦合計算方法筆記
    遇見科研 VASP6 目前出了一款計算電聲耦合的版本,下面是我從官網整理的一些使用說明。 https://www.vasp.at/wiki/index.php/Electron-phonon_interactions_from_Monte-Carlo_sampling#Input 方法主要分為兩種,1. 蒙特卡洛抽樣2.
  • 聽大咖講氮吸附孔徑分析 脫附與吸附曲線該選who?
    2018年11月15日,「比表面與孔徑分析原理及應用」系列精品在線講座第四彈成功舉辦。中國氮吸附儀的開拓者、國務院特殊津貼專家鍾家湘教授與廣大網友再度相聚儀器信息網。用內容豐富、深入淺出的精彩講解,在2小時的滴答中,帶大家繼續暢遊於比表面與孔徑分析的世界。該系列講座共分6講,在此前的三講中,鍾老先後為大家講解了氮吸附法、連續流動色譜法和靜態容量法比表面及孔徑分析儀原理及應用。
  • 二維材料及其異質結構的模型構建,基本性質、吸附性質、催化性質計算
    本課程旨在通過講授二維材料及其異質結構的模型構建,基本性質、吸附性質、催化性質計算,幫助科研人員系統了解二維材料計算的思路,掌握基本的和先進的計算方法,將計算應用於日常實驗、科研思路的分析之中。培訓堅持理論和實操結合,配合線上課程,課後設置在線答疑。
  • VASP輸入參數含義「速查表」
    INCAR是VASP軟體的「C位「 輸入文件,它直接決定了做什麼計算以及如何做此次計算。是否理解INCAR中參數含義,將直接決定:☎  我們能否正確設置參數從而得到合理的計算結果☎  在計算出現問題時能否向正確的方向調整參數,而不是向錯誤的方向越走越遠,最終浪費了大量的計算資源和我們最寶貴的時間。
  • 分子尺度觀察水分子在二氧化鈦表面上的吸附活化和反應研究獲進展
    為了實現在原位環境電鏡中直接觀察到水分子在二氧化鈦表面的吸附結構和反應過程,浙江大學和丹麥技術大學的研究人員設計在二氧化鈦001型重構表面進行實驗該重構表面有序分布著高活性凸起陣列,吸附在其上的水分子的有序排列為電鏡觀察提供了充分的襯度。