有它MOS管開關損耗可降低35%?價值2000元評估板限時免費試用

2020-11-22 騰訊網

近年來，隨著AI和IoT的發展與普及，對雲服務的需求日益增加，與此同時，在全球範圍對數據中心的需求也隨之增長。數據中心所使用的伺服器正在向大容量、高性能方向發展，而如何降低功耗量就成為一個亟需解決的課題。與傳統的矽器件相比，碳化矽（SiC）器件由於擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經成為下一代低損耗半導體最為可行的候選器件。此外，SiC讓設計人員能夠減少元件的使用，從而進一步降低了設計的複雜程度。

現在，電子發燒友聯合羅姆提供兩款價值2000元的SiC MOSFET開發板，給各位工程師朋友免費試用，申請連結附在文末，先讓我們來了解一下這兩款評估板吧

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羅姆P02SCT3040KR-EVK-001評估板

評估板簡介

SiC-MOSFET 評估板P02SCT3040KR-EVK-001適用於ROHM的1,200V/20A、500kHz SiC MOSFET的評估內置絕緣柵極驅動IC (BM6101FV-C)，簡單即可進行TO-247 3pin與4pin封裝的特性比較！採用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助於進一步降低各種設備的功耗。

評估板詳情

羅姆 SCT3040KR（1200V 40mΩ TO-247-4L）評估用，通過改變電路乘數器，可用來評估羅姆其他 SiC－MOSFET

除TO-247-4L外，還有TO-247-3L的通孔，可在同一評估板上進行對比評估

單一電源（+12V工作）

可進行最大150A的雙脈衝測試，最大開關工作頻率500kHz

支持各種電源拓撲（Buck, Boost, Half-Bridge）

內置柵極驅動用隔離電源，可通過可變電阻調整（+12V～+23V）

可通過跳線引腳來切換柵極驅動用負偏壓和零偏壓

可防止上下臂同時導通，內置過電流保護功能（DESAT, OCP）

評估板的應用示例

ROHM Solution Simulator的電路(半橋電路拓撲)

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羅姆BD7682FJ-EVK-402評估板

評估板簡介

1700V SiC MOSFET+AC/DC轉換器 評估板BD7682FJ-EVK-402為三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出，搭載了ROHM適用於大功率工業設備的1700V高耐壓SiC MOSFET「SCT2H12NZ」和SiC驅動用AC/DC轉換器IC「BD7682FJ-LB」，能夠與大功率工業設備中的輔助電源配合使用。

評估板詳情

SiC-MOSFET驅動，ACDC評估板（反激式轉換器）

搭載1700V SiC-MOSFET SCT2H12NZZ

搭載AC/DC轉換器控制IC BD7682FJ-LB

三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出

搭載AC/DC轉換器控制IC BD7682FJ-JB的簡介

本產品是面向工業設備市場的產品，保證可長期穩定供貨。是最適合這些用途的產品。準諧振控制器型DC/DC轉換器BD7682FJ-LB為所有存在插口的產品提供最佳的系統。為準諧振動作，實現了軟開關，有助於實現低EMI。通過外接開關MOSFET及電流檢測電阻，可實現高自由度的電源設計。內置欠壓功能，可監控輸入電壓，有助於實現最佳系統。內置脈衝串模式，可降低輕負載時的功耗。BD7682FJ-LB內置了軟啟動功能、脈衝串功能、逐周期過電流限制、過電壓保護、過負荷保護、欠壓功能等各種保護功能。內置了對SiC-MOSFET進行最佳驅動的柵極箝位電路。

羅姆BD7682FJ-JB的優點

充分發揮SiC-MOSFET的性能的驅動器電路

採用低噪聲、高效率的準諧振方式，最大支持150W電源

搭載眾多保護功能，AC 690V高電壓下也可工作

羅姆BD7682FJ-JB的應用

工業設備（逆變器、FA、伺服等）

智能儀表

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價值2000元的開發板來啦

相關焦點

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  • 功率MOS管燒毀的原因(米勒效應)!
    防止mos管燒毀。過快的充電會導致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關從而增加開關損耗。Mos開通過程源級和漏級間等效電阻相當於從無窮大電阻到阻值很小的導通內阻（導通內阻一般低壓mos只有幾毫歐姆）的一個轉變過程。
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    其開關功能只發揮在啟動和關斷，以及電源出現故障之時 。　　相比從事以開關為核心應用的設計人員，ORing FET應用設計人員顯然必需關注MOS管的不同特性。以伺服器為例，在正常工作期間，MOS管只相當於一個導體。因此，ORing FET應用設計人員最關心的是最小傳導損耗。
  • 三極體和MOS管有啥區別?
    2、成本問題：三極體便宜，mos管貴。3、功耗問題：三極體損耗大。4、驅動能力：mos管常用來電源開關，以及大電流地方開關電路。三極體比較便宜，用起來方便，常用在數字電路開關控制。MOS管用於高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
  • 三極體和MOS管具體有哪些區別?
    雙極型管是電流控制器件（通過基極較小的電流控制較大的集電極電流），MOS管是電壓控制器件（通過柵極電壓控制源漏間導通電阻）。MOS管(場效應管)的導通壓降下，導通電阻小，柵極驅動不需要電流，損耗小，驅動電路簡單，自帶保護二極體，熱阻特性好，適合大功率並聯，缺點開關速度不高，比較昂貴。
  • 防止MOS管燒毀,先要知道為什麼它會燒?
    這裡面就有電容、電感、電阻組成震蕩電路（能形成2個迴路），並且電流脈衝越強頻率越高振蕩幅度越大，所以最關鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。 Gs極加電容，減慢mos管導通時間，有助於減小米勒振蕩。防止MOS管燒毀。
  • 開關電源上MOS管的選擇方法
    其開關功能只發揮在啟動和關斷，以及電源出現故障之時 。 相比從事以開關為核心應用的設計人員，ORing FET應用設計人員顯然必需關注MOS管的不同特性。以伺服器為例，在正常工作期間，MOS管只相當於一個導體。因此，ORing FET應用設計人員最關心的是最小傳導損耗。
  • 如何處理MOS管小電流發熱?聽聽大牛工程師怎麼說
    所以從器件結構上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。所以我們通常WAT也會測試BVON，mos管，做電源設計，或者做驅動方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關作用。無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。
  • EDA365:新手該如何選擇高性能的MOS管器件?
    在一些電路的設計中，不光是開關電源電路中，經常會使用MOS管，正確選擇MOS管是硬體工程師經常遇到的問題，更是很重要的一個環節，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本。那麼新手該如何選擇高性能的MOS管呢？
  • MOS管耗散功率的計算
    MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具體是指MOS元件的容許損失，可從產品的熱阻上求得。當Tc=25度時，通過附加最大容許損耗Pd，則變為Tc=150度max.