聚焦離子束-掃描電子顯微鏡應用

2021-01-19 科信浩宇檢測

納米科技的發展引領納米尺度製造業的迅速發展，而納米加工就是納米製造業的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束（FIB）技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、製造的主要方法。目前廣泛應用於半導體集成電路修改、切割和故障分析、TEM制樣等。


型號及主要參數

廠家：FEI（美國）

型號：FEI-Scios 2 Hivac

主要參數：

離子束分辨小於3nm@30KV

電子束解析度：workspace<1nm@15KV，workspace<1.6nm@15KV

樣品XY方向移動範圍不低於100nm，Z方向不低於50nm，可繞Z軸旋轉任

意角度傾斜角度T範圍不小於-4o到70o

換樣時間低於3.5分鐘1.聚焦離子束（FIB）

功能及用途：

利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電子顯微鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、製造的主要方法。可應用的領域包括：IC晶片電路修改、Cross-Section截面分析、Probing Pad、FIB透射電鏡樣品製備、材料鑑定等領域。

                                             制樣流程

                   TEM樣品

 封裝級別電路修改，利用 Plasma FIB 清除大面積的聚醯亞胺

堆疊晶片封裝中的 TSV 微焊點

      採用FIB-SEM技術對電極塗層每500nm逐層切除獲取160張截面照片，然後重構電極三維微觀結構。重構結構像素解析度為500nm，解析度較高，一般XCT技術解析度為1μm左右。粘結劑和導電劑顆粒很小，無法分辨，因此將他們看成一個混合相(碳膠相)。

圖中-電極塗層微觀結構重構圖：(a)鈷酸鋰電極截面，(b)石墨電極截面，(c)鈷酸鋰重構三維結構，(d石墨重構三維結構

                                    



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