電極與LED晶片穩定性探討

2020-12-06 OFweek維科網

        電極對功率型晶片的影響

　　眾所周知，由於功率型器件發熱量極大,所以它對電流的分布有著更苛刻的要求，對電極形狀不同而引起的電流分布差異也更加敏感。電流分布不均勻會使得局部電流過大而導致局部漏電，對器件壽命構成隱患。而電極位置不同會導致正向電壓的升高，也會引起電流分布的不均勻從而影響器件壽命。

　　我們在改善電流分布方面的設計使得我們的晶片有著比較均勻的電流傳輸，這是我們晶片具備良好穩定性的重要因素之一。

　　我們的工作：對比分析了多種器件圖形結構,使電流分布儘量均勻，尤其是我們的P3晶片的樹狀結構(見下圖），經大量實驗表明，能有效改善電流分布,從而減少體漏電的發生，使穩定性得以提高，相關設計也在美國獲得了發明專利。

功率型產品P3晶片圖形結構

        電流分布均勻性

        通過用小電流（剛剛足夠亮的電流即可）電亮晶片，可以粗略的看出電流分布是否均勻，見下圖

 

 

        我們也嘗試了其他圖形作為對比，如下面的兩種圖形，結果表明做成器件後，圖形A比圖形B的正向電壓要高出0.2V。

藍色柱條為圖形A的1008h電壓變化情況；  絳紫色柱條為圖形B的1008h電壓變化情況

        透明電極組分的影響

　　透明電極具有傳輸電流和出光雙重作用,所以透明電極的製備質量對LED晶片電壓和亮度的穩定性有著巨大的影響。

　　我們採用小功率型的晶片實驗了四種不同的電極組分，並對他們都進行了壽命實驗，條件為：TO封裝、室溫、100mA電流驅動、結果發現其光衰可相差15％(可參見下圖)！電極組分對小功率晶片的壽命影響尚且如此巨大，對功率型晶片的壽命影響則更加嚴重。

。

 

P3 在小電流下電亮的情形

相關焦點

  • 小間距LED晶片 不只是縮小尺寸
    作為led顯示屏核心的LED晶片，在小間距LED發展過程中起到了至關重要的作用。小間距led顯示屏目前的成就和未來的發展，都依賴於晶片端的不懈努力。一、小間距led顯示屏對LED晶片提出的需求　　一方面，戶內顯示屏點間距從早期的P4，逐步減小到P1.5，P1.0，還有開發中的P0.8。與之對應的，燈珠尺寸從3535、2121縮小到1010，有的廠商開發出0808、0606尺寸，甚至有廠商正在研發0404尺寸。
  • 固晶膠沾汙LED晶片電極的機理研究 及解決方案
    我們作出了如下兩種推測：　　①.含羥基小分子交聯劑與晶片電極汙染物發生化學吸附　　由於交聯劑本身不會與金電極發生反應，而晶片生產過程中有殘留活性汙染物的可能，故推測可能是交聯劑與電極製備過程中殘留的汙染物發生化學反應產生吸附。
  • ACS編輯良擇 | Triquinoxalinylene的鈉離子儲存機理與電極穩定性的提高策略
    這些被特別選出的文章所探討的最新研究成果將因其免費開放而使更廣大的科研受眾獲益。 英文原題：Sodium-Ion Storage Mechanism in Triquinoxalinylene and a Strategy for Improving Electrode Stability
  • 2020年中國led外延片晶片行業發展調研與發展趨勢分析報告
    《2020年中國led外延片晶片行業發展調研與發展趨勢分析報告》依據國家權威機構及led外延片晶片相關協會等渠道的權威資料數據，結合led外延片晶片行業發展所處的環境，從理論到實踐、從宏觀到微觀等多個角度對led外延片晶片行業進行調研分析。
  • LED晶片品牌排名
    led晶片廠家排名NO.1 三安光電三安光電股份有限公司（600703.SH）成立於2000年，是目前國內成立最早、規模最大的全色系超高亮度發光二極體外延及晶片產業化生產基地，公司LED業務主要產品涵蓋藍寶石、外延晶片、封裝器件、照明應用，產業化基地分布在廈門
  • LED行業精英趕緊來瞧瞧!LED發光晶片的基礎信息收藏了!
    然後是對LED PN結的兩個電極進行加工，電極加工也是製作LED晶片的關鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨；然後對LED毛片進行劃片、測試和分選，就可以得到所需的LED晶片。如果晶片清洗不夠乾淨，蒸鍍系統不正常，會導致蒸鍍出來的金屬層（蝕刻後的電極）會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。
  • 透明ZnO電極使氮化物LED更加明亮
    在SMI，這家基於新澤西州的皮斯卡塔韋地區的MOCVD設備製造商，我們開發了這項技術，一個與沉積ZnO電極兼容的生產方法。這些電極是透明的，當它們取代那些基於擋光金屬薄膜的電極時，LED的光輸出將增大80%。
  • 趙縣LED球屏批發報價
    因此會有晶粒電極刮傷的情況發生。晶片電極對焊點的影響：晶片電極本身蒸鍍不牢靠，導致焊線後電極脫落或損傷；晶片電極本身可焊性差，會導致焊球虛焊；晶片存儲不當會導致電極表面氧化，表面玷汙等等，鍵合表面的輕微汙染都可能影響兩者間的金屬原子擴散，造成失效或虛焊。新結構工藝的晶片與光源物料的不兼容新結構的LED晶片電極中有一層鋁，其作用為在電極中形成一層反射鏡以提高晶片出光效率，其次可在一定程度上減少蒸鍍電極時黃金的使用量從而降低成本。
  • 能裝在晶片上 矽基電極性能首次達到碳基水平
    原標題：晶片超級電容器又添新材料 　　科技日報北京6月13日電 （記者常麗君）多年來，能裝在晶片上的微小超級電容一直廣受科學家追捧，決定電容器性能的關鍵是其電極材料，有潛力的「選手」包括石墨烯、碳化鈦和多孔碳等。
  • LED的歷史以及LED燈的種類區分
    LED燈有好多種，有led照明燈、led燈帶、led燈杯、led節能燈、led裝飾燈、led地埋燈、led輪廓燈、led投光燈......
  • 聚積首推Micro-LED驅動晶片 最小支持0.55mm點距!
    聚積首推Micro-LED驅動晶片 最小支持0.55mm點距！近年來，終端顯示需求不斷攀升，顯示的載體也可謂推陳出新，micro-LED已成為顯示屏產業眾所矚目的焦點，根據LEDinside研究報告指出，預計5年內led顯示屏與穿戴式裝置將會是micro-LED第一波量產品的最佳應用範圍，使得跨領域產業鏈正火速進行串聯並加快應用布局。
  • Min LED晶片焊盤表面結構對封裝的影響分析
    慧聰LED屏報導  　  本文通過對現有用於微顯示的LED晶片使用過程分析，指出目前使用過程中主要限制問題，設計三種電極焊盤表面結構，並完成晶片製作;通過對三組實驗品的外觀及固晶後推力進行對比評估，指出三組晶片焊盤表面電極結構各自的優缺點及適用性，對後續晶片選擇具有一定指導意義
  • LED導電銀膠、導電膠及其封裝工藝
    二封裝工藝      1.LED的封裝的任務      是將外引線連接到led晶片的電極上，同時保護好LED晶片，並且起到提高光取出效率的作用。關鍵工序有裝架、壓焊、封裝。      2.LED封裝工藝流程      4．封裝工藝說明      1.晶片檢驗      鏡檢：材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑（lockhill）      晶片尺寸及電極大小是否符合工藝要求      電極圖案是否完整      2.擴片      由於LED晶片在劃片後依然排列緊密間距很小
  • 國內外LED晶片品牌名單匯總及其排名
    led晶片廠家排名NO.2 同方光電 　　清華同方股份有限公司（600100.SH）成立於1997年，2008年正式進入LED產業，目前初步形成從材料、外延晶片、晶片、封裝、光學設計及應用的完整產業鏈。目前公司已布局北京、江蘇、廣州、浙江四大生產基地。
  • 利用廉價金屬製備高效、高穩定性的鹼性制氫電極
    利用廉價金屬製備高效、高穩定性的鹼性制氫電極 2021-01-08 22:24 來源：澎湃新聞·澎湃號·湃客
  • LED晶片的製造工藝流程
    該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多學科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備，主要用於GaN（氮化鎵）系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發光二極體晶片的製造，也是光電子行業最有發展前途的專用設備之一。
  • 照明LED封裝創新思路探討
    貼片封裝（SMD）是一種無引線封裝，體積小、薄，很適合做手機的鍵盤顯示照明，電視機的背光照明，以及需要照明或指示的電子產品，近年來貼片封裝有向大尺寸和高功率的方向發展，一個貼片內封裝三、四個led晶片，可用於組裝照明產品。
  • 電化學價態調控—提升氧化釩電極材料循環穩定性的新思路
    電極材料是影響超級電容器性能的重要因素，決定了超級電容器的能量存儲容量。氧化釩價格低廉，理論電容值高，是備受關注的高性能電極材料。然而氧化釩存在穩定性差等問題，嚴重製約了其商業化應用。研究表明，氧化釩穩定性不高主要可歸咎於兩點原因：其一，在長時間充放電循環過程中，氧化釩持續發生形變（膨脹收縮），最終造成結構坍塌或粉化；其二，氧化釩在水性電解質中持續充放電時，易逐漸形成水溶性釩氧根離子。
  • 大功率LED晶片抗過電能力研究
    然而，LED驅動電源的抗雷擊浪湧要求是由LED晶片的抗過電應力能力決定的。因此，對LED晶片的抗過電應力能力的研究是十分必要的。　　基於此，本文針對幾種類型不同的大功率LED晶片進行雷擊浪湧實驗，以探討不同大功率LED晶片抗過電應力能力，為LED戶外燈具的驅動電源與LED晶片的選擇，以及抗雷擊浪湧浪湧能力的設計研發提供參考，具有重要的實際意義。
  • LED晶片的製造工藝流程及檢測項目分析
    二、晶片缺陷查找　　檢測內容：　　1.晶片尺寸測量，晶片尺寸及電極大小是否符合要求，電極圖案是否完整。　　2.晶片是否存在焊點汙染、焊點破損、晶粒破損、晶粒切割大小不一、晶粒切割傾斜等缺陷。　　LED晶片的受損會直接導致LED失效，因此提高LED晶片的可靠性至關重要。蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定晶片，因此會產生夾痕。黃光作業若顯影不完全及光罩有破洞會使發光區有殘餘多出的金屬。晶粒在前段製程中，各項製程如清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨等作業都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有晶粒電極刮傷的情況發生。