如今的7nm EUV 晶片，電晶體多大100億個，它們是怎麼樣安上去的呢
電晶體並非是安裝上去的，晶片製造其實分為沙子-晶圓，晶圓-晶片這樣的過程，而在晶片製造之前，IC涉及要負責設計好晶片，然後交給晶圓代工廠。
晶片設計分為前端設計和後端設計，前端設計（也稱邏輯設計）和後端設計（也稱物理設計）並沒有統一嚴格的界限，涉及到與工藝有關的設計就是後端設計。晶片設計要用專業的EDA工具。
如果我們將設計的門電路放大，白色的點就是襯底, 還有一些綠色的邊框就是摻雜層。
當晶片設計好了之後，就要製造出來，電晶體就是在晶圓上直接雕出來的，晶圓越大，晶片製程越小，就能切割出更多的晶片，效率就會更高。
舉個例子，就好像切西瓜一樣，西瓜更大的，但是原來是切成3釐米的小塊，現在換成了2釐米，是不是塊數就更多。所以現在的晶圓從 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸到現在 16 寸大小，
製程這個概念，其實就是柵極的大小，也可以成為柵長，它的距離越短，就可以放下更多的電晶體，這樣就不會讓晶片不會因技術提升而變得更大，使用更先進的製造工藝，晶片的面積和功耗就越小。但是我們如果將柵極變更小，源極和漏極之間流過的電流就會越快，工藝難度會更大。
晶片製造共分為七大生產區域，分別是擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、拋光、金屬化。
其中雕出晶圓的最重要的兩個步驟就是光刻和蝕刻，光刻技術是一種精密的微細加工技術。常規光刻技術是採用波長為2000～4500的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗光刻技術蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實現圖形的變換、轉移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指矽片)或介質層上的一種工藝。
光刻技術就是把晶片製作所需要的線路與功能區做出來。簡單來說晶片設計人員設計的線路與功能區「印進」晶圓之中，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。
而蝕刻技術就是利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去，從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反覆進行。例如，大規模集成電路要經過約10次光刻才能完成各層圖形的全部傳遞。
在半導體製造中有兩種基本的刻蝕工藝：幹法刻蝕和溼法腐蝕。目前主流所用的還是幹法刻蝕工藝，利用幹法刻蝕工藝的就叫等離子體蝕刻機。
在集成電路製造過程中需要多種類型的幹法刻蝕工藝，應用涉及矽片上各種材料。被刻蝕材料主要包括介質、矽和金屬等，通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。
驅動之家有一片的CPU的製造過程，《從沙子到晶片：且看處理器是怎樣煉成的》，就從微觀上講解了這個步驟。
在塗滿光刻膠的晶圓（或者叫矽片）上蓋上事先做好的光刻板，然後用紫外線隔著光刻板對晶圓進行一定時間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質，易於腐蝕。
溶解光刻膠：光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉，清除後留下的圖案和掩模上的一致。
「刻蝕」是光刻後，用腐蝕液將變質的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導體器件及其連接的圖形。然後用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕，形成半導體器件及其電路。
清除光刻膠：蝕刻完成後，光刻膠的使命宣告完成，全部清除後就可以看到設計好的電路圖案。
這裡說一下，什麼是光刻膠。我們要知道電路設計圖首先通過雷射寫在光掩模版上，然後光源通過掩模版照射到附有光刻膠的矽片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學效應，再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域，使掩模版上的電路圖轉移到光刻膠上，最後利用刻蝕技術將圖形轉移到矽片上。
而光刻根據所採用正膠與負膠之分，劃分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝。 在正性光刻中，正膠的曝光部分結構被破壞，被溶劑洗掉，使得光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相同。相反地，在負性光刻中，負膠的曝光部分會因硬化變得不可溶解，掩模部分則會被溶劑洗掉，使得光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。
可以說，在晶圓製造中，直徑30釐米的圓形矽晶薄片穿梭在各種極端精密的加工設備之間，由它們在矽片表面製作出只有髮絲直徑千分之一的溝槽或電路。熱處理、光刻、刻蝕、清洗、沉積……每塊晶圓要晝夜無休地被連續加工兩個月，經過成百上千道工序，最終集成了海量的微小電子器件，經切割、封裝，成為信息社會的基石——晶片。
這是一個Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內部的層狀結構，越往下線寬越窄，越靠近器件層。
這是CPU的截面視圖，可以清晰地看到層狀的CPU結構，由上到下有大約10層，其中最下層為器件層，即是MOSFET電晶體