張華:合成非常規面心四方相PdM納米片,一步到位!

2020-12-06 騰訊網

【研究背景】

貴金屬催化劑尺寸、形狀和組成的合理設計被廣泛用於增強其催化性能。近年來,由於不同晶相產生不同的原子排列和電子結構,晶相工程被認為是改善貴金屬催化劑催化性能的一種有前途的方法。近年來,以溼化學方法為代表的大規模合成非常規晶相貴金屬催化劑受到極大的關注。作為典型的溼化學法,模板化合成可以實現貴金屬催化劑在預合成模板上的生長。然而,模板法通常涉及兩個步驟,即模板的合成和貴金屬催化劑的生長,這使得合成過程變得複雜。此外,如果製備過程中發生外延生長,則貴金屬催化劑的晶相和形態完全取決於模板。因此,開發一種無模板的溼化學方法對於直接合成具有非常規晶相貴金屬催化劑至關重要。

【工作介紹】

近日,南洋理工大學/香港城市大學張華教授課題組開發了一種一鍋溼化學方法,可以合成一系列厚度小於5nm的PdM(M = Zn,Cd,ZnCd)納米片(NSs)。與常規的面心立方(fcc)相不同,該方法獲得的PdM NSs具有非常規的面心四方(fct)相。值得一提的是,儘管在過去的幾年中,人們在製備Pd和Pd基合金NSs方面付出了巨大努力,但很少有人報導具有非fcc相的Pd基NSs。隨後作者將PdZn NSs用於乙醇氧化反應(EOR)的電催化劑時,發現與純Pd NSs和市售黑Pd催化劑相比,PdZnNSs的電化學性能顯著提高。

【文章詳情】

圖1a中的TEM圖像證實了高純度的2D NSs形貌,而HAADF-STEM-EDS揭示出Pd和Zn元素在NSs中的均勻分布(圖1c)。通過XRD可以確定PdZnNSs的晶體結構,如圖1d所示,所有的衍射峰都可以很好與有序PdZn結構的fct相匹配。此外,PdZn NSs具有不同取向的晶疇,如圖1e所示,標記為e1和e2的正方形區域分別具有[112]和[301]的不同軸。在圖1e1中可以觀察到(1×10)超晶格點,這證實了有序的fct結構。此外,從區域e3(圖1e3)的放大圖中,也可以清楚地觀察到兩種具有不同對比度原子的有序排列。由此可見,作者提出的溼化學策略可以合成具有良好形態的fct PdZn納米結構。

圖1. PdZn NSs的TEM,HAADF-STEM,XRD及FFT圖像。

通過將前驅體Zn(acac)2改為Cd(ac)2,可以製備出具有fct相的PdCd NSs(圖2a)。如圖2b所示,PdCd NSs的厚度約為4.8 nm。通過HAADF-STEM-EDS可以看到Pd和Cd均勻分布在NSs中(圖2c)。圖2d中的XRD也表明PdCd NSs具有有序的fct相,而且也是多晶的(圖2e)。此外,與PdZn NSs類似,PdCd NSs中不同晶域的FFT花樣與fct相位非常吻合。例如,在圖2e中標記為e1和e2的正方形區域軸,分別指向fct PdCd的[112]和[101]方向。

圖2. PdCd NSs的TEM,HAADF-STEM,XRD及FFT圖像。

除了雙金屬PdZn和PdCd NSs,也可以使用類似的實驗方法製備出具有fct相的三金屬PdZnCd NSs。例如,通過同時添加摩爾比為2:1的Zn(acac)2和Cd(ac)2製備具有Zn:Cd原子比為1:1的fct PdZnCd NSs(圖3a)。通過TEM圖像可以確定PdZnCd NSs的厚度約為3.6 nm(圖3b),通過HAADF-STEM-EDS可以看出三種元素(即Pd,Zn和Cd)的均勻分布(圖3c)。此外,PdZnCd NSs表現出與fct PdZn和PdCd相似的XRD圖譜(圖3d)。根據圖3f中的FFT花樣,圖3e中的晶域顯示出fct相的典型[100]取向,可以觀察到(001)超晶格點。此外,在HAADF-STEM圖像(圖3e)和線強度分布圖(圖3g)中可以清楚地觀察到具有不同對比度的原子有序排列。

圖3. PdZnCd NSs的TEM,HAADF-STEM,XRD及FFT圖像。

隨後,作者將fct PdZn NSs用作EOR電催化劑,並測試了其電催化性能。圖4a顯示在1.0 M NaOH水溶液中PdZn NSs、純Pd NSs和黑Pd的循環伏安(CV)曲線。可以看出,與其它兩種催化劑相比,PdZn NSs在-0.2 V處表現出更強的還原峰,這與Pd催化表面對OH-的吸附量成正比,表明其更大的電化學表面積。通過向電解液中加入1.0 M乙醇,可以評估催化劑在EOR中的質量活性。結果如圖4c所示,三種催化劑中,PdZnNSs對EOR的電流密度最大。此外,如圖4d所示,在-0.2 V的電流測試下持續3600 s,PdZn NSs的電流密度可以保持其初始值的20.7%,而Pd NSs和黑Pd的電流密度僅為其初始值的10.4%和4.7%。這些結果表明,在鹼性條件下,PdZn NSs的EOR性能大大提高,而且PdZn NSs還具有良好的結構穩定性。

圖4. PdZn NSs的CV曲線和穩定性測試。

【全文總結】

在本文中,作者通過一鍋溼化學法,合成了一系列具有非常規fct相的PdM(M = Zn,Cd,ZnCd)NSs。將所製得的fct PdZn NSs用作EOR電催化劑時,其性能相較純Pd NSs和市售黑Pd催化劑提高了許多。總之,這項工作為合成具有非常規晶相和形態明確的貴金屬納米材料做出了相當大的貢獻。

Qinbai Yun, Qipeng Lu, Cuiling Li, Bo Chen, Qinghua Zhang, Qiyuan He, Zhaoning Hu, Zhicheng Zhang, Yiyao Ge, Nailiang Yang, Jingjie Ge, Yan-Bing He, Lin Gu & Hua Zhang, Synthesis of PdM (M = Zn, Cd, Zn Cd) Nanosheets with an Unconventional Face-Centered Tetragonal Phase as Highly Efficient Electrocatalysts for Ethanol Oxidation,ACS Nano,2019, DOI:10.1021/acsnano.9b07775

相關焦點

  • 張華教授團隊JACS:相選擇性外延生長構建金屬納米異質異相結構
    首先,通過無定形Pd納米材料的可控相變製備了非常規的六方密堆相(2H相)Pd納米顆粒。隨後,利用2H相Pd納米顆粒為晶種,通過晶面導向的相選擇性外延生長構建了一系列具有核殼結構的金屬納米異質異相材料。例如,Pd納米材料已經得到了廣泛的研究,但迄今為止絕大多數報導都是圍繞其熱力學穩定的面心立方相(fcc相)而展開,至今少有非常規相的Pd納米結構得以製備。無定形結構具有高度無序的原子排布,在一定的條件下可以相變為晶體材料。因此,如能通過調節相變條件來控制無定形結構的結晶過程,則可以為非常規相納米材料的製備提供新的思路。
  • 納米科技最前沿 新相材料正耀眼
    2011年,新加坡南洋理工大學的張華教授課題組(現香港城市大學)以氧化石墨烯GO為模版,首次通過溼化學合成法得到了在常溫常壓下穩定存在的hcp/2H Au納米片。塊體金通常以面心立方(fcc)結構為最穩定。而之前還沒有人合成過膠體形式在環境條件下穩定的hcp Au。
  • 進展|碘蒸氣輔助合成Chevrel相納米片Mo6S8及其在鎂/鋁電池中的應用
    直至今天,Chevrel相Mo6S8仍然是最成功的鎂電池正極材料。但是大規模,高質量地合成Chevrel相的Mo6S8納米材料仍然面臨很大挑戰。現行的方法包括固相法,熔鹽法,自傳輸高溫法,高能球磨法,以及兩步溶液法合成都具有能耗大,產物不純,並且無法控制顆粒生長等問題。目前最常用的固相法,以CuS和MoS2作為硫源,將反應物密封到充滿氬氣的接頭式不鏽鋼管中,在900攝氏度下反應24小時。
  • 納米材料合成方法之王:種晶生長法
    圖一 納米材料的合成方法種晶生長法是合成膠體金屬納米晶體強大而通用的方法。使用這種合成方法,人們可以對納米晶體的尺寸、形狀、組成和結構進行驚人的控制。這些參數不僅能控制納米晶體的形貌等特性,而且還決定了它們的應用和性能。
  • AM:納米材料相工程——晶相@無定形核殼結構的二維鈀基納米片用於高效催化乙醇氧化
    納米材料相工程(Phase Engineering of Nanomaterials, PEN),即對納米材料的相調控,是實現材料物理化學性質和功能調控的一種重要手段
  • 異相納米結構助力優異的催化性能
    貴金屬,由於其原子間作用力大,極易形成熱力學穩定相,即最密堆積結構,原子排列雜亂無章的並具有各項同性的非晶結構很難生長。但非晶結構內大量的低配位原子提供了豐富的活性位點,有望帶來優異的催化性能。而構建非晶/結晶異相納米結構的複合界面也有利於提高催化活性、調控催化的選擇性,進而帶來更加廣闊的應用空間。
  • Na3PS4:四方相也能具有高離子電導率-全固態鈉電池
    研究亮點1.Na3PS4的物相以及離子電導率由工藝決定;2.四方相Na3PS4實現最高的離子電導率3.39mS/cm,超過了普遍認為的立方相Na3PS4才能獲得更高的離子電導率研究內容1、四種合成工藝所對應的Na3PS4物相工藝1得到立方相Na3PS4;工藝2-4得到四方相Na3PS4。
  • 晶胞的母體——面心立方晶胞的分析
    立體晶胞中最標緻的晶胞就是立方晶胞了,其次是六方晶胞,還有四方、三方、正交、單斜等晶胞(高中階段一般接觸不到)。立方晶胞中比較基礎的是:簡單立方、體心立方和面心立方(如圖2),其中面心立方尤為重要,它是很多複雜晶胞構成的基石。
  • ACS子刊.封面:基於巨型分子的非常規納米結構的模塊化構築
    研究背景納米尺度上的可控自組裝作為一種製備特殊功能材料的方式在過去幾十年中受到了廣泛關注與研究。例如,在嵌段共聚物、樹枝狀大分子等基於有機分子的軟物質體系中,各式各樣的納米結構已被廣泛報導。其中,軟物質中非常規的Frank-Kasper相(簡稱F-K相)最近幾年陸續在自組裝體系過程中被發現,並獲得了更多的關注。目前,通過對應的模擬和理論研究發現,自組裝形成F-K相需要擁有特定的拓撲結構限制以及次級作用力。
  • 合肥研究院構建高效硼摻雜氮化碳納米片光催化劑應用於固氮合成氨...
    合肥研究院構建高效硼摻雜氮化碳納米片光催化劑應用於固氮合成氨研究 2020-03-03 合肥物質科學研究院 高效硼摻雜氮化碳納米片光催化劑應用於固氮合成氨研究方面取得新進展,通過構建B-N-C
  • 【聚焦】相變材料需求上升 氮化硼納米片(BNNS)行業前景可觀
    BN納米片(BNNS)由數個單層 h-BN 組成,其表面不存在任何官能基團,結構穩定,呈化學惰性,平面邊緣具有如羥基、氨基等官能基團。氮化硼納米片具有良好的電絕緣性、介電常數低、高導熱性和低介電損耗等優異性能,在橡膠領域具有廣闊的應用前景,還可被應用於電晶體、導熱、絕緣材料、相變材料等。
  • :引入罕見氯化鈣相TiO2,提升光催化水分解產氫效率
    因此,對於包含罕見晶相的共生異質納米複合材料的研究非常重要,首先必須要在合成方法上取得突破。近期,吉林大學李莉萍教授、李廣社教授研究團隊發展了一種溶液化學方法,合成了包含金紅石TiO2和罕見CaCl2相TiO2的共生異質納米複合材料。
  • 北理工Small: 高性能二維介孔矽納米片負極
    然而,由於矽是各向同性的立方相晶體,要實現自發層狀生長極其困難。儘管目前各種方法被用來合成二維矽納米片,如刻蝕與剝離、化學氣相沉積及模板誘導合成,但這些方法通常工藝複雜、成本高、前驅體不穩定、產率低而且儲鋰性能差。因此,採用低成本的方法實現優異電化學性能的二維矽納米片的大規模製備是一個意義重大且存在巨大挑戰的難題。
  • ACS Applied Materials & Interfaces: 基於蛭石合成多孔矽/碳複合納米片作為鋰離子電池陽極
    (研究者:同濟大學物理科學與工程學院特種人工微結構材料與技術上海重點實驗室HUANG Xi等) 矽納米片因其高比容量
  • 中國科大發展一種新型生物合成法製備納米複合材料
    納米材料具有許多優異的性能,將納米材料組裝成宏觀尺度體材料可實現微觀性能向宏觀的「集成」,並實現許多新的且單個納米顆粒所不具備的性質,如光學、磁學、電學及離子傳導性能等。但如何將納米材料組裝成宏觀尺度體材料並保持其納米尺度的獨特性能,是納米材料獲得實際應用的關鍵,也是目前面臨的重要挑戰之一。
  • 「金鑰匙」讓納米和油氣聯姻
    尤其以納米技術為基礎設計、製造的納米材料,因尺度效應具有獨特的光、電、熱、磁性能,已成為學術界和工業界的研究熱點,並逐漸被傳統化石能源和新能源領域重視。面對油氣資源劣質化、油氣勘探開發成本不斷攀升,非常規油氣受限於現有技術,勘探開發效率較低,納米技術持續創新和深化應用將不斷突破傳統油氣勘探開發技術瓶頸,推動我國非常規油氣的高效勘探和效益開發。
  • 深圳大學:一種氧化石墨烯非常規化學石墨化和功能化的新策略
    近日,深圳大學化學與環境工程學院何傳新教授課題組在納米材料穩定性和反應性研究方面取得重要進展,研究成果以「Unconventional chemical graphitization and functionalization of graphene oxide toward nanocomposites by degradation of ZnSe
  • 周偉家研究進展:MoO2納米片及鉬衍生物在能源轉化與存儲中的應用
    超薄二氧化鉬納米片的合成及形貌表徵。如圖1所示,通過MoO3粉末的差熱熱重分析可以得到,MoO3的升華溫度在790 ℃附近。基於這個特點,我們開發了一種大批量可控合成超薄MoO2納米片的方法。N-Mo2C的結構表徵及電解水產氫性能研究由於MoO2 NSs納米片具有超薄結構的二維結構,因此有利於暴露Mo活性位。基於此,如圖4所示,本工作以MoO2 NSs為前驅體,通過一步煅燒實現原位相轉化為超薄N摻雜Mo2C納米片(N-Mo2C NSs)作為陰極產氫催化劑。
  • JACS:單相單層納米片原位構建超薄2D-2D緊密異質結
    2.材料合成與表徵 作者通過水熱反應以十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)作為表面活性劑,合成出單層的Bi2WO6納米片,其XRD峰對應著斜方晶相Bi2WO6(圖2g)。
  • 大尺寸超薄α-Ga2S3納米片,實現高性能光電探測
    因此,2D層狀結構、本徵寬帶隙半導體特性和優異的光電性能,使α-Ga2S3納米片在下一代納米光電器件中具有吸引力。以往方法獲得的超薄納米片通常面臨尺寸小,材料質量差以及厚度和形態均勻性差等問題,因此,缺乏可控的大尺寸超薄α-Ga2S3納米片的合成是對其器件應用的主要挑戰。