電晶體的極限參數

2020-12-04 電子發燒友

電晶體的極限參數

佚名 發表於 2010-01-26 08:54:03

電晶體的極限參數

以下介紹電晶體的主要極限參數。電晶體所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當其超過額定值時，輕則影響電晶體的工作性能，嚴重時將使其損壞。

1.集電極最大允許耗散功率Pcm
Pcm是指電晶體因溫度升高引起參數的變化不超過規定值時，集電極所消耗的最大功率。 電晶體在正常工作時，集電結加的是反向偏置電壓，集電結的反向電阻很高，這樣，集電極電流流過集電結時就要產生大量的熱量，結溫就會升高，若溫度過高，將導致電晶體不可逆轉的損壞。人們根據電晶體最高允許結溫定出最大允許耗散功率。為了降低結溫，對於大功率電晶體，人們往往要另設散熱片，散熱片表面積越大，散熱效果越好，電晶體的Pcm就可以適當提高。

2.集電極最大允許電流Icm
集電極電流增大，會導致電晶體的電流放大倍數β下降，當β降至低頻電流放大倍數βo的額定倍數（通常規定為二分之一或三分之一）時，此時的集電極電流稱為集電極最大允許電流Icm。因此，當電晶體的集電極電流達到Icm時，電晶體雖不致損壞，但電流放大倍數已大幅度下降。

3.集電極--發射極擊穿電壓BVCEO
BVCEO是指電晶體基極開路時，加在電晶體集電極與發射極之間的最大允許電壓。對於NPN型電晶體而言，集電極接電源的正極，發射極接電源的負極；對於PNP型電晶體而言，集電極接電源的負極，發射極接電源的正極。

當加在電晶體集電極與發射極之間的電壓大於BVCEO的值時，流過電晶體的電流會突然增大，導致電晶體永久性損壞，這種現象稱為擊穿。

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