熱場發射掃描電子顯微鏡
採用肖特基場發射電子槍,可對各類導電及非導電材料的微觀形貌進行高分辨觀察和微區結構及成分分析,配置了加載臺、冷卻及加熱臺、能譜儀和電子背散射衍射儀等附件,可在高溫、低溫、拉伸、壓縮等狀態下進行原位檢測,實現對形貌、組織結構、成分等信息的定量分析。
二次電子像解析度:0.7nm @15kV, 1.0nm @1kV;加速電壓:20V~30kV。電子束流:1 pA~400 nA,連續可調;束流穩定性:每10小時≤0.4%。能譜探測器:SDD矽漂移電製冷能譜儀,採用Si3N4探測器窗口,有效探測面積70mm2;能量解析度(20000CPS):Mn-Ka優於127eV,峰背比優於20000:1。電子背散射衍射儀EBSD:最高像素解析度:640x 480;掃描和標定速度: 1000點/秒;取向精度≤0.1°;具有能譜儀與EBSD一體化同時掃描連用功能。原位加載臺:溫度最低-100℃,最高800℃,並具備控溫條件下的加載功能;最大載荷5000N,測試精度1N,雙向加載,具備拉伸-壓縮疲勞試驗功能。樣品室內部尺寸340mm ×240mm ×250mm;五軸馬達驅動樣品臺,移動範圍:X=110mm,Y=110mm,Z=65mm,傾斜-15°~+90°,360°連續旋轉。捷克
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