中科院立功！5nm雷射光刻研究獲進展

2020-07-09 光明網

【中科院立功！5nm雷射光刻研究獲進展】近日，中科院蘇州納米所張子暘團隊基於光熱反應機理，設計開發了一種新型三層堆疊薄膜結構。所開發的新型微納加工技術在集成電路、光子晶片、微機電系統等眾多微納加工領域展現了廣闊的應用前景。

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    近日，《財經》雜誌發文澄清了一個關於中科院光刻技術突破ASML的誤讀傳言。事情可以追溯至今年7月，中國科學院官網上發布了一則研究進展相關消息，中科院蘇州所聯合國家納米中心在《納米快報》（Nano Letters）上發表了一篇題為《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super－resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團隊研發的「
  • 中科院5nm雷射光刻技術到底是什麼？
    這幾天，媒體上超嗨的一條，就是中科院5nm雷射光刻技術突破，下面量子菌給你專業解讀這篇論文。本來這篇研究論文，是微納加工領域裡的一個進展，實驗室研究，和工業界沒啥關係，誰知道題目裡的「lighography」 一下子撓到了某些媒體的某點。
  • 中科院5nm雷射光刻,是否意味可以取代荷蘭的ASML光刻機?
    中科院的5nm雷射光刻，是否意味著擺脫了EUV？眾所周知，半導體製造領域，要想生產5nm晶片，必須要使用荷蘭ASML的EUV光刻機，而荷蘭的ASML是全球唯一的能夠量產EUV光刻機的公司，我國大陸至今沒有一臺EUV光刻機，可以說是一項「卡脖子」的技術。
  • 中科院5nm雷射光刻技術，是否預示著我們即將能取代荷蘭ASML？
    我們一直有這樣的一種構想，我們的光刻機技術，能否將荷蘭ASML的光刻機取代呢？然後，這種構想，在中科院5nm雷射光刻技術的研究發布以後，似乎變得越發肯定。但是，事實真的如此？我們真的能夠取代荷蘭ASML嗎？帶著這個疑問，我們一起來看一下。
  • 中科院研發新型雷射光刻技術:不用EUV 直擊5nm
    荷蘭ASML公司是全球唯一能生產EUV光刻機的公司，他們之前表態7nm以下工藝都需要EUV光刻機才行。現在中科院蘇州納米所的團隊開發了一種新的雷射光刻技術，不需要使用EUV技術就可以製備出5nm特徵線寬。
  • 中科院突破5nm光刻技術壟斷？事實殘酷卻又是把雙刃劍
    （記者 陳洲）這半年來，關於中科院「突破ASML的壟斷」、「不用EUV光刻機就能造成5nm晶片」的消息刷爆了自媒體圈。然而，情況真是這樣嗎？《財經》新媒體近日的報導道出了事實真相：今年7月，中科院蘇州所聯合國家納米中心在《納米快報》上發表了題為《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》的研究論文，介紹了該團隊研發的新型5 納米超高精度雷射光刻加工方法。
  • 中科院突破5nm光刻技術壟斷?事實殘酷卻又是把雙刃劍
    《財經》新媒體近日的報導道出了事實真相：今年7月，中科院蘇州所聯合國家納米中心在《納米快報》上發表了題為《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》的研究論文，介紹了該團隊研發的新型5 納米超高精度雷射光刻加工方法。該論文的通訊作者博士生導師劉前特別強調，「不用EUV光刻機就能造成5nm晶片」是一個誤讀，超解析度雷射光刻技術與極紫外光刻技術是兩回事。
  • 中科院的5nm光刻技術,和ASML的5nm光刻機是兩碼事
    但重要的是當晶片進入到7nm時，必須要用到EUV光刻機，即紫外線光刻機，波長為19.3nm的光源，這種光刻機只有ASML能夠製造，而中國芯要實現7nm或以下技術，就得看ASML的臉色，要看對方賣不賣EUV光刻機給你。
  • 中科院研究員澄清5nm光刻機技術為誤讀，國產水平在180nm
    超高精度雷射光刻加工方法」論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前在接受媒體採訪時澄清，這一技術與高端光刻機採用的極紫外光刻技術（EUV）是兩回事。5nm光刻技術獲突破的新聞，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所張子暘研究員，與國家納米科學中心劉前研究員合作，在《納米外報》上發表了一篇研究論文，述了該團隊開發的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法。
  • 媒體稱中科院實現5nm晶片光刻機,傳到美國那裡就是「笑話」
    這幾天，科技界被中科院蘇州納米所的5nm雷射直寫光刻設備刷屏了。媒體解讀也不少，譬如稱「中國彎半導體道超車」、「光刻機突破美國封鎖」、「荷蘭ASML EUV光刻機白菜價」。看似華麗轉身，實際還需要媒體用點心，不然傳到美國那裡會被當成「笑話」的。
  • 中科院公開發聲:打破ASML5nm光刻機壟斷,這是誤讀
    聯繫到中科院要布局光刻機，把光刻機，晶片等技術列為科研清單，讓國內一眾民眾歡呼雀躍。而且之前中科院網站上也發布了一篇關於「5nm光刻技術獲突破」的論文更是讓網友沉不住氣了，紛紛發布國產光刻機突破5nm，打破ASML 5nm光刻機壟斷等話題。認為中國已經能打造出能生產5nm晶片的EUV光刻機了。
  • 中科院研發者回應5nm光刻技術突破ASML壟斷:這是一個誤讀
    近日，中國科學院官網上發布的一則研究進展顯示，該團隊研發的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法，隨後這被外界解讀為，該團隊已經突破了5nm ASML的壟斷，對此相關人士也是進行了回應。據《財經》報導稱，該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前公開回應稱，這是一個誤讀，這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。按照劉前的說法，如果超高精度雷射光刻加工技術能夠用於高精度掩模版的製造，則有望提高我國掩模版的製造水平，對現有光刻機的晶片的線寬縮小也是十分有益的。
  • 發表5納米雷射光刻研究後刪文,中科院回應爭議
    中科院官網當時還報導稱，研究團隊針對雷射微納加工中所面臨的實際問題出發，解決高效和高精度之間的固有矛盾，開發的新型微納加工技術在集成電路、光子晶片、微機電系統等眾多微納加工領域展現廣闊的應用前景。不過，這一報導隨後在中科院官網被刪除。
  • 中科院表態！未來十年攻克卡脖子領域，光刻機成為核心重點
    今日重要性：✨今天，在中國科學院「率先行動」計劃第一階段實施進展發布會上，中科院院長白春禮表示：面臨美國對中國高科技產業的打壓，我們希望在這方面能做一些工作。中科院院長白春禮表示，中科院不能包打天下，還是要聚焦關鍵的核心技術，瞄準基礎材料、核心工藝、基礎算法、重大裝備等基礎性、戰略性的關鍵核心技術需求，在光刻機、橡膠輪胎、高端晶片等方面，爭取要主動揭榜，發揮多學科的綜合和建制化優勢。
  • 中科院研發者回應5納米光刻技術突破ASML壟斷,真相是這樣的!
    近日，中國科學院官網上發布的一則研究進展顯示，該團隊研發的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法，隨後這被外界解讀為，已經5nm ASML的壟斷，對此相關人士也是進行了回應。
  • 中國5nm光刻技術突破，高漲的市場情緒下，相關標的具有交易機會
    據中科院7月7日官網報導稱，近日，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員張子暘與國家納米中心研究員劉前合作，在Nano Letters上發表了題為5 nm Nanogap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography的研究論文，報導了一種新型5nm超高精度雷射光刻加工方法。
  • 中科院研究員闢謠：5nm光刻技術被誤讀，國產水平在180nm
    今年 7月份，中科院發表的一則《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》的研究論文引起了廣泛的關注。當時，華為正被美國打壓，中國晶片產業成為了國人的心頭憂慮。劉前表示，論文介紹的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法，主要用在光掩膜製作上
  • 中國將突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷?
    打開APP 中國將突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷？ 雪花 發表於 2020-12-02 10:10:18 近日，中國科學院官網上發布的一則研究進展顯示，該團隊研發的新型5nm超高精度雷射光刻加工方法，隨後這被外界解讀為，已經5nm ASML的壟斷
  • 中國科學院開發的5納米超高精度雷射光刻技術
    中國科學院蘇州研究所和國家納米中心在《納米快報》上發表了題為「製備5納米間隙電極的超解析度雷射光刻技術」。「超解析度雷射光刻技術在5 nm納米間隙電極和陣列上」的研究論文介紹了該團隊開發的新的5 nm超高精度雷射光刻處理方法。
  • 中科院5nm光刻技術研發成功,但有人卻不看好,這是為什麼?
    近日，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員張子暘與國家納米中心研究員劉前合作，成功研發出了一種新型5nm超高精度雷射光刻加工方法。這種方法有別於傳統的縮短雷射波長或增大數值孔徑的技術路徑，打破了傳統雷射直寫技術中受體材料為有機光刻膠的限制，可使用多種受體材料，擴展了雷射直寫的應用場景。