臺灣宣布成功研發半導體電漿製程測漏儀器

　　中新社電(記者張明新)此間科研人員在半導體製程設備與技術上取得一項突破，被譽為「半導體電漿製程測漏尖兵」的「微型光譜即時偵測器」由臺灣精密儀器發展中心宣布研發成功。

　　精密儀器發展中心主任陳建人今天在記者會上介紹，臺灣半導體產業發展快速，已創下高達兆元新臺幣的產值，各大廠對製程設備投資更是不遺餘力，不過這些昂貴的設備幾乎完全仰賴進口，於是該中心以「半導體電漿製程漏氣微型光譜即時偵測器研製」課題，參加為提升島內半導體製程設備與技術所推動的「儀器設備合作開發研究計劃」，以有效提升產業競爭力。

　　在目前與下一代半導體生產設備的四個製程模塊中，薄膜沉積與蝕刻兩個模塊有過半機臺需要使用電漿製程，以一座標準八英寸或十二英寸晶圓廠而言，約有一百臺設備是使用電漿製程，當腔體發生漏氣時，將會降低產品合格率與提高生產成本，嚴重時更將導致晶圓廠生產線作業停擺，造成業者莫大的損失，因此即時漏氣偵測儀器的開發刻不容緩。

　　精密儀器發展中心副研究員高健薰博士介紹，現有臺灣一般晶圓廠的製程質量管理多採用每十二小時進行一次晶圓半成品樣本特性檢測方式作管控，當半成品合格率降低時，並不容易確認問題是來自於腔體漏氣或其它原因。因為缺乏實時偵測儀器，以目前常用之電漿氣相化學沉積機臺為例，平均每小時可以鍍制四十片八英寸晶圓，若在每十二小時半成品樣本檢測程序中間腔體發生漏氣時，將造成約新臺幣七百二十萬之成本損失。即使確認漏氣是合格率降低的主因，期間停機尋找發生原因的損失也難以估計。

　　科研人員經過一年兩個月的研究，開發出這種輕薄短小且為獨立於系統設備之外的實時偵測儀器。其工作原理系運用電漿製程中各種氣體均具有不同特徵光譜譜線的特性，若腔體發生漏入空氣的情況，腔體內氣體成分將發生改變，如此即可藉由偵測氮氣或氧氣的特徵譜線來加以確認。一旦有設定之異常現象出現，便可由控制系統發出預防性的警示信號，對減少生產成本並對產品的合格率及品質提升大有助益。這項研發創意已於聯華電子公司晶圓廠的電漿製程設備線上測試，該廠工程師認為切實可行。

　　高建薰表示，微型光譜即時偵測器除應用於半導體電漿製程設備外，平面顯示器等需使用電漿製程設備的高科技產業也可使用，在精密的九十納米以下製程工藝、苛刻的腔體漏測偵測需求時將更有用武之地。此項研發成果已申請專利並將積極對外推廣，估計僅島內就有上萬臺的市場。