近年來，半導體行業總是籠罩在摩爾定律難以為繼的陰霾之下，但是新材料的出現，或可讓它迎來又一個拐點。美國猶他州大學的工程師們，已經發現了一種由一氧化錫製成、只有單原子厚度的新型平面材料。這種材料可讓電荷以更快的速度通過，遠勝矽與其它3D材料。相比之下，在傳統電子設備上，電荷會以各個方向穿過電晶體、以及玻璃襯底上其它由矽層組成的部件。
採用錫氧材料打造的更快的半導體器件
直到近年，工程師們才更多地將目光放到了諸如石墨烯（graphene）、二硫化鉬（molybdenum disulfide）、硼墨烯（borophene）等2D材料上。
領導這項研究的Ashutosh Tiwari教授稱其強制電子「僅在單層上以快得多的速度通過」，是加快填補電子新材料缺口的一個重要組成部分。
與石墨烯和其它近似原子厚度的材料不同，其同時允許負電子和正正電荷穿過，因此研究團隊將之描述為「現有首種穩定P型2D半導體材料」。
我們現在已經擁有了一切，事物將會以快得多的速度推進。
團隊認為這種材料可用於製造比當前所使用的更小、更快的電晶體，讓計算機和行動裝置的運行速度提升百倍，同時溫度更低、效率更高，並且延長電池的續航。
當前該領域異常火熱，人們對它深感興趣。有鑑於此，我們有望在2到3年內看到一些原型設備。
這項研究已經發表於本周出版的《先進電子材料》（Advanced Electronic Materials）期刊上。
[編譯自：Gizmag , 來源：University of Utah]
本文來源：cnbeta網站 責任編輯： 王曉易_NE0011