合肥研究院等在太赫茲自由電子雷射裝置應用研究中獲進展

2020-09-20 麥姆斯諮詢

據麥姆斯諮詢報導，近期，中國科學院合肥物質科學研究院固體物理研究所計算物理與量子材料研究部徐文課題組與中國工程物理研究院合作，應用太赫茲自由電子雷射裝置（CTFEL）裝置，開展電子材料的太赫茲動力學特性研究，相關研究成果以Picosecond terahertz pump-probe realized from Chinese terahertz free-electron laser為題，發表在Chinese Physics B上。論文連結為：http://cpb.iphy.ac.cn/EN/10.1088/1674-1056/ab961b。


電子能量弛豫時間是電子材料的關鍵物理參數之一。研究人員利用CTFEL特有的太赫茲脈衝結構（特別是皮秒脈寬微脈衝結構），搭建首創的「單色皮秒太赫茲泵浦-探測」系統（圖1），基於此系統，測量半導體材料的泵浦-探測特性及電子能量弛豫時間，研究室溫下高遷移率n-GaSb晶體在不同自由電子雷射輻照頻率下的動力學電子特性。研究人員結合理論模型的擬合（圖2）發現，在1.6THz（輻照功率為10W）和2.4THz（輻照功率為25W）雷射輻照下獲得n-GaSb晶體的電子能量弛豫時間分別為2.92ps和2.32ps，該結果與應用四波混頻技術得到的實驗結果一致。


圖1 基於CTFEL裝置的「單色皮秒太赫茲泵浦-探測」系統光路圖


研究進一步發現，在強太赫茲自由電子雷射輻射下，電子-聲子散射誘導的熱電子效應或非線性電子響應會導致半導體材料中電子能量弛豫時間的減小，此時電子從輻射雷射場獲得能量，通過發射聲子（或晶格振動）耗散能量。當聲子發射的能量損失率小於光子吸收的能量增益率時，材料中的電子會被加熱，從而使電子弛豫時間減小。


圖2 在1.2、1.6和2.4THz自由電子雷射輻照下n-GaSb晶體的光透射泵浦-探測特性。粗糙線為原始實驗數據，平滑


我國自主研製的首臺太赫茲自由電子雷射裝置於2017年底在成都飽和出光並投入運行，標誌著我國太赫茲科技已正式步入自由電子雷射時代。該研究中基於CTFEL搭建的「單色皮秒太赫茲泵浦-探測」系統與其它超快光電探測技術相比，在電子和光電子材料研究中具有優勢：不涉及光生載流子和相關激子效應，可測量自由電子的動量和能量弛豫動力學過程；實現單色太赫茲泵浦和探測，無需對測量數據進行傅立葉變換來分析實驗結果；結合自由電子雷射的頻率連續可調性，實現對太赫茲泵浦-探測的輻照頻率選擇。研究表明，基於自由電子雷射的「單色皮秒太赫茲泵浦-探測」技術，可為電子和光電子材料的動力學特性研究提供新的測量方法，拓寬脈衝型太赫茲自由電子雷射的應用研究領域。


該研究得到國家自然科學基金委員會-中國工程物理研究院聯合基金（NSAF）的支持。

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