領先蘋果,華為將全球最先發布5nm麒麟處理器:臺積電正最後趕工生產

2021-01-08 騰訊網

8月23日消息,據產業鏈最新消息稱,華為將在下個月發布新的旗艦版麒麟處理器,其基於臺積電5nm工藝,而它也將會是全球最先推出5nm移動晶片的廠商,這要比蘋果至少快近一個月時間,後者的A14處理器同樣基於臺積電的5nm工藝。

本周,臺積電方面正式宣布,已經生產了第10億顆功能完好、沒有缺陷的7nm晶片(蘋果A12、華為麒麟980等都使用了這個工藝),達成新裡程碑,而EUV(極紫外光刻)技術引入7nm的商業生產,並為5nm打下堅實基礎,後者即將正式跟大家見面。

據最新消息顯示,臺積電為華為麒麟生產的5nm麒麟晶片,依然集成了同樣工藝的5G基帶,所以搭載的手機在續航上表現會更上一層樓,而老對手A14並沒有集成5G基帶,因為蘋果在這方面上沒有任何建樹,而是通過高通的驍龍X55方案。

臺積電正在進行最後的趕工生產

按照之前的規定,9月15日之後臺積電將不能為華為生產晶片,而隨著時間的不斷臨近,臺積電也是進行了最後的趕工,其正在集中一切力量來生產基於5nm的麒麟芯,以儘可能保證Mate 40系列的使用。

上遊晶片產業鏈消息人士直言,華為到年底之前所需要的麒麟處理器晶片數量,不論5nm,7nm 手機晶片或是16nm,28nm例如海思自研的TWS 耳機藍牙晶片,都會在9月中前全部交付,目前的產能推進一切順利,所以不會耽誤既定機型的發布和上市。

除了5nm外,臺積電還在華為生產更多7nm晶片,以保證更多的手機使用,因為目前華為旗下手機銷售主力主要還是集中在搭載7nm工藝處理器的機型上,不過即便是最後的趕工,也並沒有其他廠商願意臨時將產能貢獻給華為使用,因為大家基本都到了集中發新的階段,同時臺積電的7nm、5nm工藝產能十分有限。

麒麟芯或將成絕唱

由於美國的瘋狂打壓,餘承東在之前的公開演講中表示,今年秋天上市的Mate 40,將搭載的麒麟9000可能是華為高端晶片的絕版。餘承東在演講中披露,華為Mate 40搭載了我們新一代的麒麟9000晶片,將會擁有更強大的5G能力,更強大的AI處理能力,更強大的CPU和GPU。

「但很遺憾的是,在美國的第二輪制裁,我們晶片生產,只接受了9月15號之前的訂單,到9月15號生產就截止了。所以今年可能是我們華為麒麟高端晶片的絕版,最後一代。」餘承東無奈的說道。

對於外界的打擊,華為方面現在公開表示,將跟中國企業一起在晶片、作業系統等核心上突圍。華為承認中國終端產業的核心技術與美國差距很大,但他們希望中國企業能夠從根技術做起,打造新生態,大家一起團結,在核心技術上進行突圍。

按照之前的制裁細節,只要半導體生產工藝上,哪怕使用了任何一點美國技術,都不能給華為來生產。對此,華為也表現的很無奈,他們也很遺憾,第一是在晶片領域探索,過去華為開拓了十幾年,從嚴重落後到比較落後,到有點落後,到終於趕上來,到領先,到現在又被封殺。

另外一點是,投資了非常巨大的研發投入,也經歷了非常艱難的過程,但很遺憾的是華為在半導體製造方面,華為在重資產投入型的領域,這種資金密集型的產業,華為沒有參與,他們只做到了晶片的設計,但沒搞晶片的製造,這是華為非常大的一個損失。

聯發科準備的3千萬套5G晶片或無法出貨

產業鏈在最新消息中還提到,由於美國升級了禁令要求,這導致聯發科為華為手機準備的5G晶片沒辦法出貨,只能靠小米、OPPO和vivo來消化。

按照禁令要求,使用美國技術或軟體作為基礎的外國產品,且該外國產品用於生產或開發任何零件、組件、設備都是被禁止的。處於實體清單中的華為相關子公司,禁止扮演採購者、中間收貨人、最終收貨人的角色。

產業鏈人士表示,如此嚴格的規定,直接導致聯發科給華為供貨5G晶片的計劃被打亂,即聯發科本來第四季度幫華為備貨了3000萬套的5G手機晶片,由于禁令,現在只能向OV小米立項求助。

華為日本公司方面則公開表示,目前禁令限制的主要是半導體晶片,其他零部件不受影響。

跟中國廠商一起努力,全方位紮根半導體

當然了,華為也不是只是喊喊口號,因為只有自己強大才能真的無懼制裁。在半導體方面,華為最新的態度是,將全方位紮根,突破物理學材料學的基礎研究和精密製造。在終端器件方面,比如顯示模組、攝像頭模組、5G器件等方面,華為正大力加大材料與核心技術的投入,實現新材料+新工藝緊密聯動,突破制約創新的瓶頸。

由於半導體產業鏈非常的長,不是一兩家家企業能夠做全的,不過華為也表示,在終端的多個器件上,華為都在投入,其也帶動了一批中國企業公司的成長,包括射頻等等向高端製造業進行跨越。

具體來說,華為建議產業關注EDA以及IP領域,關鍵算法和設計能力。還有包括12寸晶圓、光掩膜、EUV光源、沉浸式系統、透鏡等在內的生產設備和材料領域。而在設計與製造環節,關注IC設計能力以及IC製造和IC封測能力。其中IDM涵蓋了射頻、功率、模擬、存儲、傳感器等器件設計與製造工藝整合。

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