電壓門控鈉離子通道研究進展

2021-01-09 科學網

 

10月1日《細胞科學雜誌》（Journal of Cell Science）發表了中科院上海生科院生化與細胞所鮑嵐研究組的最新研究成果：電壓門控鈉離子通道的3亞單位通過掩蓋Nav1.8內質網滯留信號增加通道在細胞膜表面的表達量。

 

電壓門控鈉離子通道是可興奮細胞產生動作電位的基礎，Nav1.8是特異性高表達在背根神經節初級感覺小神經元中的一種電壓門控鈉離子通道，它與疼痛的產生有密切的關係。在這項工作中，鮑嵐研究組的博士研究生張振寧和李乾等發現Nav1.8主要駐留在內質網中，其第一個胞內環上的RRR結構域是一個內質網滯留信號，對Nav1.8駐留在內質網中有貢獻，限制了其有效地向細胞膜表面的運輸及功能的行使。當Nav1.8的RRR內質網滯留信號失去功能後，其細胞膜表面表達量較野生型Nav1.8顯著升高。電壓門控鈉離子通道的β3亞單位通過與Nav1.8的第一個胞內環結合，掩蓋了Nav1.8的內質網滯留信號，促進Nav1.8向細胞膜表面的運輸。上述工作首次在Nav1.8中發現了內質網滯留信號，並對Nav1.8中內質網滯留信號的功能與調控提供了有力的證據，同時也揭示了電壓門控鈉離子通道β亞單位對α亞單位調控的分子機制，為深入了解疼痛的產生和發展提供了新的研究方向和理論基礎。（來源：中國科學院上海生命科學研究院）

 

（《細胞科學雜誌》（

Journal of Cell Science

），121, 3243-3252，Zhen-Ning Zhang，Lan Bao）

 

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