半導體終極材料?金剛石晶片關鍵技術獲得突破

2021-01-21 選股寶

中國青年報消息,哈爾濱工業大學與香港城市大學、麻省理工學院等單位合作,在金剛石單晶領域取得重大科研突破,首次通過納米力學新方法,通過超大均勻的彈性應變調控,從根本上改變金剛石的能帶結構,為實現下一代金剛石基微電子晶片提供了一種全新的方法。

據介紹,納米級金剛石針可具有超大的彈性變形,局部彎曲彈性應變達到9%以上,提供了調節金剛石能帶的另一種可能。但上述應變嘗試往往局限於小樣本體積內,而彎曲導致應變分布不均勻。本次研究在室溫下對長度約1微米,寬度約100—300納米的高質量單晶金剛石橋結構進行精細微加工,並在單軸拉伸載荷下實現了樣品整體範圍內均勻超大彈性應變。為展示應變金剛石器件概念,團隊還加工並實現了微橋金剛石陣列的彈性應變。並進一步通過計算可實現單晶金剛石多達2eV的帶隙降低,極其有利於微電子應用。

相關公司方面,據主題庫金剛石(線) 板塊顯示,

四方達:國內複合超硬材料細分行業龍頭企業,是目前國內產品品種及規格齊全、規模優勢明顯的複合超硬材料企業,產品質量達到國際先進水平。

黃河旋風:目前國內規模領先、品種最齊全、產業鏈最完整的超硬材料供應商,在人造金剛石產業鏈上所涉及的製品、設備和其它輔助原料等均具有自主研發能力。

*免責聲明:文章內容僅供參考,不構成投資建議

*風險提示:股市有風險,入市需謹慎

相關焦點

  • 金剛石晶片關鍵技術獲得突破:從根本上改變金剛石的能帶結構
    來自哈爾濱工業大學的韓傑才院士團隊,與香港城市大學、麻省理工學院等單位合作,在金剛石單晶領域取得重大科研突破。
  • 晶片之痛掣肘中國,半導體材料中金剛石有哪些用武之地?
    掣肘中國  2020年5月16日,美國商務部工業與安全局(BIS)突然宣布,將全面限制華為購買採用美國軟體和技術生產的半導體,包括美國以外被列入管制清單的生產設備,在為華為和海思生產代工前,都要獲得美國允許。
  • 石墨烯晶圓亮相後,金剛石晶片迎來技術突破,國產晶片找到新賽道
    文/BU 審核/子揚 校正/知秋本文首發於百家號,禁止抄襲轉載目前,我國在矽基晶片領域,無論是材料、設備,還是製造、封測等方面,都有著明顯的落後。為了改變這一境況,一方面中國半導體企業奮起直追,一方面不斷探索可替代的新材料。
  • 石墨烯晶圓突破後,又出現「金剛石晶片」?尹志堯說的沒錯
    國產石墨烯晶圓突破晶片是半導體行業最為核心的科技產物,也是我們國內最想掌握的關鍵技術。因為先進晶片的設計和生產工藝,往往代表著一個國家整體的科技水平。而且目前國內的晶片行業受到了外界不利因素的幹擾,只有讓國產晶片實現崛起,才能擁有主動權。大家都知道,現有的晶片採用的基本上都是矽基半導體材料,所以又被稱為矽基晶片。
  • 金剛石單晶重大突破:從根本上改變金剛石的能帶結構
    打開APP 金剛石單晶重大突破:從根本上改變金剛石的能帶結構 問舟 發表於 2021-01-11 10:21:30 來自哈爾濱工業大學的韓傑才院士團隊
  • 本土IC領域又一關鍵技術獲得突破!
    來源:張國斌 在集成電路領域,除了設計和製造外,晶圓測試技術也非常關鍵,隨著5G以及毫米波通信技術興起,該領域晶片測量面臨很大挑戰,因此發展全新的非破壞高分辨微波場近場成像技術對晶片的功能和失效分析至關重要,這個領域需要創新新的測試技術,這也成為本土IC有望突破的一個點。
  • 半導體被寫入「十四五」!中國先進半導體材料及輔助材料發展戰略...
    自半導體材料誕生以來,從 Si、Ge 到 GaAs、InP,再到 SiC、GaN,可以看出,半導體相關技術和產業的發展都是圍繞主要材料製備、器件工藝需要和晶片來進行的,並逐漸發展為一個完整的材料體系。基於此,在不斷完善我國 Si 基材料體系的同時,要及時把握各種新型化合物半導體材料的技術突破和產業化應用的機會,構建自主可控的新型半導體材料體系。
  • 復工復產推進超硬材料產品優化 豫金剛石潛行第三代半導體
    豫金剛石主要產品是人造金剛石單晶(普通單晶)和大單晶金剛石,這種超硬材料廣泛應用於機械石材、電子電器、光學器件及寶石加工、半導體矽切片等傳統應用,以及珠寶首飾、藝術品、國防軍工、航天航空、裝備製造、電子技術、醫療器械等新興應用領域。在半導體行業主要用於晶片的切割研磨,具有廣闊的應用前景。雖然公司並無第三代半導體相關業務收入,但公司在此領域一直有研發投入,布局較早。
  • 國際碳材料大會——金剛石論壇在滬召開
    站在新基建政策紅利的「風口」,本屆國際碳材料大會——金剛石論壇重點聚焦在導熱散熱、培育鑽石、半導體器件、超精密加工等領域,探討在新形勢下,金剛石如何立足當下,與時俱進;如何抓住機遇,迎接挑戰;如何突破難點,把握未來。
  • 深度思考:晶片製造到底哪裡卡了脖子?
    然而,由於矽材料的帶隙較窄、電子遷移率和擊穿電場較低,Si 在光電子領域和高頻高功率器件方面的應用受到諸多限制,在高頻下工作性能較差,不適用於高壓應用場景,光學性能也得不到突破。矽基半導體晶片快速提級提質已幾乎走到盡頭。  目前,尋找和轉向新材料替代的呼聲越發高漲。
  • 半導體光電子晶片突破關鍵瓶頸
    半導體光電子晶片突破關鍵瓶頸 澎湃新聞 發表於 2020-04-07 17:22:59 你能否想像通過巧妙的安排,使得許多支足球隊同時在同一個球場上訓練陣型而互不幹擾
  • 迎來新突破!北大碳基晶片研發成功,碳納米管成第3代半導體材料
    矽材料作為第一代半導體材料,本身擁有很多優點,比如存儲儲量大(沙子到處都有),製作和提煉工藝成熟,狀態穩定,但是根據摩爾定律的發展,半導體晶片約每隔18-20個月性能就會提升一倍,內部的電晶體數量也要增加一倍,矽基晶片發展到現在已經突破了5nm工藝,預計在未來的幾年內,臺積電的2nm
  • 最新突破!金剛石可拉伸,變身晶片時更「聽話」
    哈爾濱工業大學與香港城市大學、麻省理工學院等單位合作,在金剛石單晶領域取得重大科研突破,首次通過納米力學新方法,通過超大均勻的彈性應變調控,從根本上改變金剛石的能帶結構,為實現下一代金剛石基微電子晶片提供了一種全新的方法。1月1日,相關論文在線發表在國際著名學術期刊《科學》(Science)上。
  • 第三代半導體固態紫外光源材料及器件關鍵技術
    第三代半導體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)、碳化矽(Silicon Carbide, SiC)、氧化鋅(Zinc Oxide, ZnO)、氮化鋁(Aluminum Nitride, AlN)和金剛石等寬禁帶半導體材料。
  • 「高密度存儲與磁電子材料關鍵技術」取得突破
    「十二五」期間,863計劃新材料技術領域支持了 「高密度存儲與磁電子材料關鍵技術」主題項目。近日,科技部高新司在北京組織專家對該主題項目進行了驗收。    該項目開展了與CMOS工藝兼容的阻變與電極材料組合體系研究,研發的TaOx阻變存儲器;晶片製造基於中芯國際集成電路製造有限公司8英寸0.13µm標準邏輯生產工藝線,晶片級讀取時間達到十納秒級,寫操作電壓滿足0.13µm或0.11µm技術代標準邏輯工藝IO承受電壓;研發了低熱導率的新型超晶格相變材料,研發了非對稱環狀微電極結構相變存儲器單元,製備出了相變存儲器陣列;開展了磁性隧道結等磁電子材料研究
  • 科學家突破晶片材料極限,讓高性能半導體材料「軟」下來
    中國晶片的尷尬局面,一定程度上也有晶片材料的「鍋」。近日剛剛上榜《麻省理工科技評論》2020 年度全球 「35 歲以下科技創新 35 人」 榜單(TR35)的王思泓告訴 DeepTech,晶片製備過程中離不開材料,其涉及到的材料還非常廣。從矽的晶圓加工,再到晶片光刻時用的光刻膠、薄膜沉積需要的靶材等,都屬於材料範疇。
  • 晶片領域半導體材料獲大突破 概念股梳理
    晶片領域半導體材料獲大突破,概念股全梳理,龍頭已出爐(名單) 摘要 【重磅利好!晶片領域半導體材料獲大突破 概念股全梳理】昨天,北京元芯碳基集成電路研究院舉辦媒體發布會,該院中國科學院院士、北京大學教授彭練矛和張志勇教授帶領的團隊,經過多年研究與實踐,解決了長期困擾碳基半導體材料製備的瓶頸,如材料的純度、密度與面積問題。(數據寶)   碳基半導體材料製備取得突破,早盤多隻概念股漲停。
  • 北大突破碳基晶片量產關鍵技術!我國晶片可望「換道超車」
    《科學》雜誌評價:該成果突破了長期以來阻礙碳納米管電子學發展的瓶頸,首次在實驗上顯示了碳納米管器件和集成電路相對於傳統技術的性能優勢,顯示了碳納米管電子學在其他材料中鮮有的優勢,為推進碳基半導體技術的實用化和規模工業化奠定了基礎。
  • 半導體材料膠體金剛石問世!
    打開APP 半導體材料膠體金剛石問世!若要構建可用的PBC,需要把這些材料當成模具,從而形成瑞士奶酪一樣的「反蛋白石」結構——在當前晶體包含粒子的地方形成空洞。 為了解釋PBC和半導體這類材料的物理性質,想像你正在一片犁出溝的土地上奔跑,如果你的步長和溝的間距一致,你可以選擇兩個速度中的一個:每次踩在溝的頂部,這樣跑得比較快;每次踏在泥濘的溝裡,這樣跑得比較慢。
  • 化合物半導體材料或成新一代半導體發展的重要關鍵
    傳統矽半導體因自身發展侷限和摩爾定律限制,需尋找下一世代半導體材料,化合物半導體材料是新一代半導體發展的重要關鍵嗎? 化合物半導體材料的高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性,恰好符合未來半導體發展所需,終端產品趨勢將由 5G 通訊、車用電子與光通訊領域等應用主導。