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Nature:北大劉開輝課題組首次實現分米級二維單晶六方氮化硼的製備
,在國際上首次報導利用中心反演對稱性破缺的單晶銅襯底實現分米級二維單晶六方氮化硼的外延製備。規模化的高端器件應用必須基於大面積、高品質的單晶材料,因此二維單晶材料的製備研究具有重要的科學意義和技術價值。利用單晶襯底外延製備大面積、高質量二維單晶材料一直是納米科技領域的熱點研究問題,但其具體實現卻面臨著巨大的挑戰。
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【Angew】蘇大鄒貴付教授合作製備大面積超薄鈣鈦礦單晶薄膜
目前,研究報導的鈣鈦礦單晶薄膜生長方法主要通過化學氣相沉積和溶液空間限制法,然而,所製備的薄膜厚度往往較厚,相應的器件性能也沒有多晶薄膜的器件高,因此,生長超薄大面積鈣鈦礦單晶薄膜至關重要。由於鈣鈦礦本徵對稱的晶體結構以及正八面體網格之間緊密的化學鍵連接,以及各低指數表面之間差異非常小的表面能,各向異性生長大面積超薄鈣鈦礦單晶薄膜仍然充滿挑戰。
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美科學家成功利用半導體製造工藝製備出大面積柔性單晶鈣鈦礦薄膜
由加州大學聖地牙哥分校Sheng Xu教授課題組牽頭的國際聯合研究團隊基於商業化的半導體平板印刷工藝開發出新的製備方法,成功在柔性襯底上製備出了厚度精確可控的大面積(0.25 cm2)柔性單晶鈣鈦礦薄膜,相應電池器件獲得了19%的高效率,且具備了優異的機械柔韌性和長程穩定性,表現出了良好的商業化應用潛力。
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蘇州大學鄒貴付、尹萬健教授合作製備大面積超薄鈣鈦礦單晶薄膜
近日,蘇州大學鄒貴付教授和尹萬健教授從成核生長動力學角度,採用溶液過程動力學誘導晶面各向異性生長策略,製備了大面積超薄鈣鈦礦單晶薄膜。作者指出,各向異性生長鈣鈦礦薄膜需要考慮成核、生長以及誘導各向異性生長三個階段,並設計了相應的實驗合成方案,實現了該薄膜的各向異性生長。
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大尺寸柔性單晶鈣鈦礦薄膜技術
,用於任意襯底上製備單晶雜化鈣鈦礦薄膜,同時並精確控制其厚度(從約600nm到100μm),面積(最大約5.5cm×5.5cm),以及厚度方向上的組成成分梯度(從MAPbI3到MAPb0.5Sn0.5I3)。
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科學網—旋塗新方法可製備高性能電子薄膜
本報訊 近日,美國密蘇裡科技大學的研究者發現了一種製備薄膜的新方法,用這種方法生產的薄膜性能優異,可用於製造太陽能電池
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北大ACS Nano:通過CVD方法製備大規模鈣鈦礦單晶薄膜
編輯推薦:具有出色光物理性質的單晶鈣鈦礦被認為是光電設備的理想材料。然而,通過氣相外延生長具有高光學增益的大規模鈣鈦礦單晶膜(SCF)的增長仍然具有挑戰性。本文展示了一種在藍寶石襯底上製造大規模薄CsPbBr3 SCF(300 nm)的簡便方法。
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ACS Nano:單晶金屬薄膜和高質量石墨烯的集成晶圓級生長
Burton(共同通訊作者)等合作報導了一種使用標準的冷壁化學氣相沉積(CVD)反應器將單晶金屬催化劑的製備方法與石墨烯生長方法組合在一起的工藝流程。在商業化的多晶Cu箔和c面藍寶石晶圓之間採用三明治結構,並顯示出在有限的間隙中近距離的真空升華可以得到高生長速率的Cu(111)外延單晶薄膜。這種布置可實現晶圓級規模製備,並抑制了反應器被Cu汙染。
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新製造方法:讓單晶鈣鈦礦器件更具可行性
導讀據美國加州大學聖地牙哥分校官網近日報導,該校納米工程師開發出一種將鈣鈦礦製作成單晶薄膜的新方法。與目前最先進的多晶形式相比,這種鈣鈦礦在太陽能電池和光學設備中使用時效率更高。有機-無機混合鈣鈦礦太陽能電池(圖片來源:UNIST)創新近日,美國加州大學聖地牙哥分校的納米工程師開發出一種將鈣鈦礦製作成單晶薄膜的新方法
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世界最大尺寸、晶面指數最全的單晶銅箔庫實現可控制備
單晶銅的電阻和交流阻抗更低,在電力傳輸領域以及電子工業領域有非常廣闊的市場前景;單晶銅柔韌性更好,在柔性電子線路領域潛力巨大;同時單晶銅是獲得特殊結構和功能的二維材料單晶薄膜和有機分子單晶薄膜可控制備的關鍵襯底。然而,當前商業化單晶金屬一般是通過切割塊體單晶鑄錠獲得,成本昂貴且尺寸小,無法精準製備出各種高指數晶面。
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世界最大尺寸、晶面指數最全的單晶銅箔庫實現可控制備
單晶銅具有單一取向,材料內部不存在晶界、缺陷密度非常低,表現出優異的電學、熱學和催化性能。單晶銅的電阻和交流阻抗更低,在電力傳輸領域以及電子工業領域有非常廣闊的市場前景;單晶銅柔韌性更好,在柔性電子線路領域潛力巨大;同時單晶銅是獲得特殊結構和功能的二維材料單晶薄膜和有機分子單晶薄膜可控制備的關鍵襯底。
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應用於雷射器陣列的大面積高光學增益的CsPbBr3單晶薄膜
單晶鈣鈦礦相比於多晶鈣鈦礦具有更少的缺陷濃度,更長的載流子遷移率,可以進一步提高器件性能。目前,大面積且具有高光學增益的單晶鈣鈦礦薄膜的製備仍然存在挑戰。因此,本文提出了一個在c面藍寶石襯底上製備大面積CsPbBr3單晶薄膜的簡便方法。
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新突破:現在能讓石墨烯,變成單層單晶!
科學家們研究了一個真正的單層,即大面積石墨烯薄膜覆蓋在大面積銅箔上。改進了化學氣相沉積(CVD)生長方法,消除了石墨烯生長在銅箔上的所有碳雜質。這種均勻「完美」的單層單晶石墨烯有望被用作超高解析度透射電鏡成像和光學設備的超薄支撐材料。
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麻省理工研發出半導體薄膜製作新方法
麻省理工研發出半導體薄膜製作新方法 胡薇 發表於 2018-10-28 09:29:12 麻省理工的工程師們開發出一種新的技術,這種技術除了矽以外還可以使用其他一系列特殊材料製成超薄半導體薄膜
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Light | 鈮酸鋰單晶薄膜在集成光學領域的應用
特別是商業化LiNbO3單晶薄膜(LNOI)技術的實現,使LNOI成為集成光學領域中的研究熱點,並取得了一系列重大研究成果。目前研究比較多的有磷化銦、矽(SOI)、氮化矽和鈮酸鋰等四大光子基質材料。由於鈮酸鋰同時具有優秀的電光性能和二階非線性變頻性能,使其成為一種非常有競爭力的集成光學材料。尤其是鈮酸鋰單晶薄膜(LNOI)製備技術的突破以及鈮酸鋰刻蝕技術的發展,已經引發了集成光學領域的一次革命。
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自上而下法:製備單晶鈣鈦礦太陽能電池
utm_campaign=SCIREP_USG_JRCN_RL_solar_sciencenet_article_4th_July 《科學報告》發表的一項研究Top-down approaches towards single crystal perovskite solar cells展示了通過自上而下法來生產可低溫加工的單晶鈣鈦礦太陽能電池。
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鈣鈦礦單晶 柔性?
當前研究較多是多晶材料,但與之相比,單晶雜化鈣鈦礦材料的缺陷和晶界更少,具有更優的光生載流子輸運能力和穩定性。因此,鈣鈦礦單晶薄膜的製備一直是材料研究的熱點話題。不過,在製備過程中控制單晶鈣鈦礦的形貌和組成非常困難,低成本、滿足現有工業標準的製備過程更是未見報導,這些都制約了單晶鈣鈦礦材料的進一步發展。
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金屬所大尺寸單晶石墨烯的化學氣相沉積法製備及其無損轉移取得...
目前製備高質量石墨烯的方法主要有膠帶剝離法、碳化矽或金屬表面外延生長法和化學氣相沉積法(CVD),前兩種方法效率低,不適於大量製備,而迄今由CVD法製備的石墨烯一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。石墨烯中晶界的存在會嚴重降低其質量和性能,因此大尺寸單晶石墨烯的製備對於石墨烯基本物理性質的研究及其在電子學等方面的應用具有極其重要的意義。
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研究生院「高效薄膜矽/單晶矽太陽能電池及其製備方法」通過鑑定平
9月14日上午,北京市科學技術委員會組織了由研究生院物理科學學院光電子薄膜實驗室完成的「高效薄膜矽/單晶矽太陽能電池及其製備方法」科技成果鑑定會。成果的第一完成人朱美芳教授在鑑定會上作了技術研究報告,並出示了查新報告及測試報告的結果。
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長春光機所光子實驗室研製出一種高靈敏度鈣鈦礦單晶-石墨烯複合垂直結構光電探測器
,採用空間限域反溫度結晶方法,合成了具有極低表面缺陷密度的MAPbBr3薄單晶,並將該高質量的薄單晶與高載流子遷移率的單層石墨烯結合,製備出了高效的垂直結構光電探測器。甲基銨滷化鉛鈣鈦礦(CH3NH3PbX3, X=Cl, Br, I)是近年來興起的一種鈣鈦礦材料,因其具有直接帶隙、寬光譜響應、高吸收係數、高載流子遷移率、長載流子擴散係數等優點,逐漸成為製備光電探測器的前沿熱點材料。