黃光製程問題全解析 主流觸控螢幕製作工藝

    北京時間11月19日消息，中國觸控螢幕網訊， 目前作為最為主流的觸控螢幕製作工藝，黃光製程被普遍應用在觸控螢幕廠商的生產過程中。其實黃光製程在生產過程中，操作人員會遇到各種各樣的問題，本文將就根據生產過程中遇到的問題及解決辦法整理成集，以供參考。

    本文來自：http://www.51touch.com/touchscreen/news/dynamic/201411/19-32966.html

　　PHOTO 流程?

　　答：上光阻→曝光→顯影→顯影后檢查→CD量測→Overlay量測

　　何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種？

　　答：Photoresist（光阻）.是一種感光的物質，其作用是將Pattern從光罩（Reticle）上傳遞到Wafer上的一種介質。其分為正光阻和負光阻。

　　何為正光阻?

　　答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之後，感光部分的性質會改變，並在之後的顯影過程中被曝光的部分被去除。

　　何為負光阻?

　　答：負光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之後，感光部分的性質被改變，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來的顯影過程中會被留下，而沒有被感光的部分則被顯影過程去除。

　　什么是曝光？什么是顯影？

　　答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成後的圖形處理，以將圖形清晰的顯現出來的過程。

　　何謂 Photo?

　　答：Photo=Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。

　　Photo主要流程為何?

　　答：Photo的流程分為前處理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，顯影，Hard Bake等。

　　何謂PHOTO區之前處理?

　　答：在Wafer上塗布光阻之前，需要先對Wafer表面進行一系列的處理工作，以使光阻能在後面的塗布過程中能夠被更可靠的塗布。前處理主要包括Bake，HDMS等過程。其中通過Bake將Wafer表面吸收的水分去除，然後進行HDMS工作，以使Wafer表面更容易與光阻結合。

　　何謂上光阻?

　　答：上光阻是為了在Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴（Nozzle）被噴塗在高速旋轉的Wafer表面，並在離心力的作用下被均勻的塗布在Wafer的表面。
　何謂Soft Bake?

　　答：上完光阻之後，要進行Soft Bake，其主要目的是通過Soft Bake將光阻中的溶劑蒸發，並控制光阻的敏感度和將來的線寬，同時也將光阻中的殘餘內應力釋放。

　　何謂曝光?

　　答：曝光是將塗布在Wafer表面的光阻感光的過程，同時將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過程。

　　何謂PEB（Post Exposure Bake）?

　　答：PEB是在曝光結束後對光阻進行控制精密的Bake的過程。其目的在於使被曝光的光阻進行充分的化學反應，以使被曝光的圖形均勻化。

　　何謂顯影?

　　答：顯影類似於洗照片，是將曝光完成的Wafer進行成象的過程，通過這個過程，成象在光阻上的圖形被顯現出來。

　　何謂Hard Bake?

　　答：Hard Bake是通過烘烤使顯影完成後殘留在Wafer上的顯影液蒸發，並且固化顯影完成之後的光阻的圖形的過程。

　　何為BARC?何為TARC?它們分別的作用是什么？

　　答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被塗布在光阻下面的一層減少光的反射的物質，TARC則是被塗布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。

　　何謂 Iline？

　　答：曝光過程中用到的光，由Mercury Lamp（汞燈）產生，其波長為365nm，其波長較長，因此曝光完成後圖形的解析度較差，可應用在次重要的層次。

　　何謂 DUV？

　　答：曝光過程中用到的光，其波長為248nm，其波長較短，因此曝光完成後的圖形解析度較好，用於較為重要的製程中。

　　I-line與DUV主要不同處為何?

　　答：光源不同，波長不同，因此應用的場合也不同。I-Line主要用在較落後的製程（0.35微米以上）或者較先進位程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV則用在先進位程的Critical layer上。

　　何為Exposure Field?

　　答：曝光區域，一次曝光所能覆蓋的區域

　　何謂 Stepper? 其功能為何?

　　答：一種曝光機，其曝光動作為Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去

　　何謂 Scanner? 其功能為何?

　　答：一種曝光機，其曝光動作為Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field.
　何為象差？

　　答：代表透鏡成象的能力,越小越好.

　　Scanner比Stepper優點為何？

　　答：Exposure Field大，象差較小

　　曝光最重要的兩個參數是什么？

　　答：Energy（曝光量）, Focus（焦距）。如果能量和焦距調整的不好，就不能得到要求的解析度和要求大小的圖形，主要表現在圖形的CD值超出要求的範圍。因此要求在生產時要時刻維持最佳的能量和焦距，這兩個參數對於不同的產品會有不同。

　　何為Reticle?

　　答：Reticle也稱為Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到晶片上。

　　何為Pellicle?

　　答：Pellicle是Reticle上為了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（Particle）落在光罩的圖形面上的一層保護膜。

　　何為OPC光罩？

　　答：OPC （Optical Proximity Correction）為了增加曝光圖案的真實性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。

　　何為PSM光罩？

　　答：PSM （Phase Shift Mask）不同於Cr mask, 利用相位幹涉原理成象，目前大都應用在contact layer以及較小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加圖形的解析度。

　　何為CR Mask？

　　答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1幹涉成像,主要應用在較不Critical 的layer

　　光罩編號各位代碼都代表什么？

　　答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表產品號，00代表Special code,156代表layer,A代表客戶版本，後一個A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV（如果是J,則代表I-line）,A代表ASML機臺（如果是C，則代表Canon機臺）

　　光罩室同時不能超過多少人在其中？

　　答：2人，為了避免產生更多的Particle和靜電而損壞光罩。

　　存取光罩的基本原則是什么？

　　答：（1） 光罩盒打開的情況下，不準進出Mask Room,最多只準保持2個人（2） 戴上手套（3） 輕拿輕放

　　如何避免靜電破壞Mask？

　　答：光罩夾子上連一導線到金屬桌面，可以將產生的靜電導出。
　　光罩POD和FOUP能放在一起嗎？它們之間至少應該保持多遠距離？

　　答：不能放在一起，之間至少要有30公分的距離，防止搬動FOUP時碰撞光罩Pod而損壞光罩。

　　何謂 Track?

　　答：Photo製程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer的前、後處理，Coating（上光阻），和Develop（顯影）等過程。

　　In-line Track機臺有幾個Coater槽，幾個Developer槽？

　　答：均為4個

　　機臺上亮紅燈的處理流程？

　　答：機臺上紅燈亮起的時候表明機臺處於異常狀態，此時已經不能RUN貨，因此應該及時Call E.E進行處理。若EE現在無法立即解決，則將機臺掛DOWN。

　　何謂 WEE? 其功能為何?

　　答：Wafer Edge Exposure。由於Wafer邊緣的光阻通常會塗布的不均勻，因此一般不能得到較好的圖形，而且有時還會因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形，因此 將Wafer Edge的光阻曝光，進而在顯影的時候將其去除，這樣便可以消除影響。

　　何為PEB？其功能為何？

　　答：Post Exposure Bake，其功能在於可以得到質量較好的圖形。（消除standing waves）

　　PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負光阻

　　答：目前正負光阻都有，SMIC FAB內用的為負光阻。

　　RUN貨結束後如何判斷是否有wafer被reject？

　　答：查看RUN之前lot裡有多少Wafer,再看Run之後lot裡的WAFER是否有少掉，如果有少，則進一步查看機臺是否有Reject記錄。

　　何謂 Overlay? 其功能為何?

　　答：迭對測量儀。由於集成電路是由很多層電路重迭組成的，因此必須保證每一層與前面或者後面的層的對準精度，如果對準精度超出要求範圍內，則可能造成整個電路不能完成設計的工作。因此在每一層的製作的過程中，要對其與前層的對準精度進行測量，如果測量值超出要求，則必須採取相應措施調整process condition.

　　何謂 ADI CD?

　　答：Critical Dimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過後，它的圖形也被複製在Wafer上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測量CD的值來確定process的條件是否合適。

　　何謂 CD-SEM? 其功能為何?

　　答：掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器，通常可以用於測量CD以及觀察圖案。

　　PRS的製程目的為何？

　　答：PRS （Process Release Standard）通過選擇不同的條件（能量和焦距）對Wafer曝光，以選擇最佳的process condition。

　　何為ADI？ADI需檢查的項目有哪些？

　　答：After Develop Inspection，曝光和顯影完成之後，通過ADI機臺對所產生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect

　　何為OOC, OOS，OCAP？

　　答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan

　　當需要追貨的時候，是否需要將ETCH沒有下機臺的貨追回來？

　　答：需要。因為通常是process出現了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有ETCH的貨追回來，否則ETCH之後就無法挽回損失。

　　PHOTO ADI檢查的SITE是每片幾個點？

　　答：5點，Wafer中間一點，周圍四點。

　　PHOTO OVERLAY檢查的SITE是每片幾個點？

　　答：20

　　PHOTO ADI檢查的片數一般是哪幾片？

　　答：#1，#6，#15，#24; 統計隨機的考慮

　　何謂RTMS，其主要功能是什么？

　　答：RTMS （Reticle Management System） 光罩管理系統用於trace光罩的History,Status,Location,and Information以便於光罩管理

　　PHOTO區的主機臺進行PM的周期？

　　答：一周一次

　　PHOTO區的控片主要有幾種類型

　　答：（1） Particle :作為Particle monitor用的晶片,使用前測前需小於10顆（2） Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用晶片,其平坦度要求非常高（3） Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer（4） CD :做為photo區daily monitor CD穩定度的wafer（5） PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer（6） PDM :做為photo defect monitor的wafer

　　當TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？

　　答：有少量光阻

　　當TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？

　　答：有少量光阻

　　WAFER SORTER有讀WAFER刻號的功能嗎？

　　答：有

　　光刻部的主要機臺是什么? 它們的作用是什么?

　　答：光刻部的主要機臺是: TRACK（塗膠顯影機）, Sanner（掃描曝光機）

　　為什么說光刻技術最象日常生活中的照相技術

　　答：Track 把光刻膠塗附到晶片上就等同於底片,而曝光機就是一臺最高級的照相機. 光罩上的電路圖形就是"人物". 通過對準,對焦,打開快門, 讓一定量的光照過光罩, 其圖像呈現在晶片的光刻膠上, 曝光後的晶片被送回Track 的顯影槽, 被顯影液浸泡, 曝光的光刻膠被洗掉, 圖形就顯現出來了.

　　光刻技術的英文是什么

　　答：Photo Lithography

　　常聽說的.18 或點13 技術是指什么?

　　答：它是指某個產品,它的最小"CD" 的大小為0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每個晶片上可做的晶片數量越多, 難度也越大.它是代表工藝水平的重要參數.

　　從點18工藝到點13 工藝到點零9. 難度在哪裡?

　　答：難度在光刻部, 因為圖形越來越小, 曝光機解析度有限.

　　曝光機的NA 是什么?

　　答：NA是曝光機的透鏡的數值孔徑;是光罩對透鏡張開的角度的正玹值. 最大是1; 先進的曝光機的NA 在0.5 ---0.85之間.

　　曝光機解析度是由哪些參數決定的?

　　答：解析度=k1*Lamda/NA. Lamda是用於曝光的光波長;NA是曝光機的透鏡的數值孔徑; k1是標誌工藝水準的參數, 通常在0.4--0.7之間.

　　如何提高曝光機的解析度呢?

　　答：減短曝光的光波長, 選擇新的光源; 把透鏡做大,提高NA.

　　現在的生產線上, 曝光機的光源有幾種, 波長多少?

　　答：有三種: 高壓汞燈光譜中的365nm 譜線, 我們也稱其為I-line; KrF 雷射器, 產生248 nm 的光; ArF 雷射器, 產生193 nm 的光;

　　下一代曝光機光源是什么?

　　答：F2 雷射器. 波長157nm

　　我們可否一直把波長縮短,以提高解析度? 困難在哪裡?

　　答：不可以. 困難在透鏡材料. 能透過157nm 的材料是CaF2, 其晶體很難生長. 還未發現能透過更短波長的材料.

　　為什么光刻區採用黃光照明？

　　答：因為白光中包含365nm成份會使光阻曝光,所以採用黃光; 就象洗像的暗房採用暗紅光照明.

　　什么是SEM

　　答：掃描電子顯微鏡（Scan Electronic Microscope）光刻部常用的也稱道CD SEM. 用它來測量CD

　　如何做Overlay 測量呢?

　　答：晶片（Wafer）被送進Overlay 機臺中. 先確定Wafer的位置從而找到Overlay MARK. 這個MARK 是一個方塊 IN 方塊的結構.大方塊是前層, 小方塊是當層;通過小方塊是否在大方塊中心來確定Overlay的好壞.

　　生產線上最貴的機器是什么

　　答：曝光機;5-15 百萬美金/臺

　　曝光機貴在哪裡?

　　答：曝光機貴在它的光學成像系統 （它的成像系統由15 到20 個直徑在200 300MM 的透鏡組成.波面相位差只有最好象機的5%. 它有精密的定位系統（使用雷射工作檯）

　　雷射工作檯的定位精度有多高?

　　答：現用的曝光機的雷射工作檯定位的重複精度小於10nm

　　曝光機是如何保證Overlay<50nm

　　答：曝光機要保證每層的圖形之間對準精度<50nm. 它首先要有一個精準的雷射工作檯, 它把wafer移動到準確的位置. 再就是成像系統,它帶來的圖像變形<35nm.

　　在WAFER 上, 什么叫一個Field?

　　答：光罩上圖形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一塊（這一塊就叫一個Field）,雷射工作檯把WAFER 移動一個Field的位置，再曝一次光，再移動再曝光。 直到覆蓋整片WAFER。 所以，一片WAFER 上有約100左右Field.

　　什么叫一個Die?

　　答：一個Die也叫一個Chip;它是一個功能完整的晶片。 一個Field可包含多個Die;

　　為什么曝光機的綽號是「印鈔機」

　　答：曝光機 很貴；一天的折舊有3萬-9萬人民幣之多;所以必須充份利用它的產能,它一天可產出1600片WAFER。

　　Track和Scanner內主要使用什么手段傳遞Wafer：

　　答：機器人手臂（robot）, Scanner 的ROBOT 有真空（VACCUM）來吸住WAFER. TRACK的ROBOT 設計獨特, 用邊緣HOLD WAFER.

　　可否用肉眼直接觀察測量Scanner曝光光源輸出的光

　　答：絕對禁止;強光對眼睛會有傷害

　　為什么黃光區內只有Scanner應用Foundation（底座）

　　答：Scanner曝光對穩定性有極高要求（減震）

　　近代光刻技術分哪幾個階段?

　　答：從80』S 至今可分4階段:它是由曝光光源波長劃分的;高壓水銀燈的G-line（438nm）, I-line（365nm）; excimer laser KrF（248nm）, ArF laser（193nm）

　　I-line scanner 的工作範圍是多少?

　　答：CD >0.35um 以上的圖層（LAYER）

　　KrF scanner 的工作範圍是多少?

　　答：CD >0.13um 以上的圖層（LAYER）

　　ArF scanner 的工作範圍是多少?

　　答：CD >0.08um 以上的圖層（LAYER）

　　什么是DUV SCANNER

　　答：DUV SCANNER　是 指所用光源為Ｄeep Ultra Voliet, 超紫外線．即現用的248nm,193nm Scanner

　　Scanner在曝光中可以達到精確度宏觀理解：

　　答：Scanner 是一個集機，光，電為一體的高精密機器；為控制iverlay<40nm,在曝光過程中，光罩和Wafer的運動要保持很高的同步性．在250nm/秒的掃描曝光時，兩者同步位置<10nm．相當於兩架時速1000公裡／小時的波音747飛機前後飛行，相距小於10微米

　　光罩的結構如何？

　　答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光）．在製造光罩時，用電子束或雷射在鉻膜上寫上電路圖形（把部分鉻膜刻掉，透光）．在距鉻膜5mm 的地方覆蓋一極薄的透明膜（叫pellicle），保護鉻膜不受外界汙染.

　　在超淨室（cleanroom）為什么不能攜帶普通紙

　　答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會產生大量微小塵埃（particle）．進cleanroom 要帶專用的Cleanroom Paper.

　　如何做CD 測量呢?

　　答：晶片（Wafer）被送進CD SEM 中. 電子束掃過光阻圖形（Pattern）.有光阻的地方和無光阻的地方產生的二次電子數量不同; 處理此信號可的圖像.對圖像進行測量得CD.

　　什么是DOF

　　答：DOF 也叫Depth Of Focus, 與照相中所說的景深相似. 光罩上圖形會在透鏡的另一側的某個平面成像, 我們稱之為像平面（Image Plan）, 只有將像平面與光阻平面重合（In Focus）才能印出清晰圖形. 當離開一段距離後, 圖像模糊. 這一可清晰成像的距離叫DOF

　　曝光顯影后產生的光阻圖形（Pattern）的作用是什么？

　　答：曝光顯影后產生的光阻圖形有兩個作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應，被吃掉．去除光阻後，就會有電路圖形留在晶片上．另一作用是充當例子注入的模板．

　　光阻種類有多少？

　　答：光阻種類有很多．可根據它所適用的曝光波長分為I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻

　　光阻層的厚度大約為多少？

　　答：光阻層的厚度與光阻種類有關．I-line光阻最厚，0.7um to 3um. KrF光阻0.4-0.9um. ArF光阻0.2-0.5um.

　　哪些因素影響光阻厚度？

　　答：光阻厚度與晶片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉速度有關，越快越薄，與光阻粘稠度有關．

　　哪些因素影響光阻厚度的均勻度？

　　答：光阻厚度均勻度與晶片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉加速度有關，越快越均勻，與旋轉加減速的時間點有關．

　　當顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理

　　答：大量清水衝洗眼睛，並查閱顯影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet）,把它提供給醫生，以協助治療

　　FAC

　　根據工藝需求排氣分幾個系統?

　　答：分為一般排氣（General）、酸性排氣（Scrubbers）、鹼性排氣（Ammonia）和有機排氣（Solvent） 四個系統。

　　高架 地板分有孔和無孔作用?

　　答：使循環空氣能流通 ，不起塵，保證潔淨房內的潔淨度; 防靜電；便於HOOK-UP。

　　離子發射系統作用

　　答：離子發射系統，防止靜電

　　SMIC潔淨等級區域劃分

　　答：Mask Shop class 1 & 100Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000

　　什么是製程工藝真空系統（PV）

　　答：是提供廠區無塵室生產及測試機臺在製造過程中所需的工藝真空;如真空吸筆、光阻液塗布、吸晶片用真空源等。該系統提供一定的真空壓力（真空度大於 80 kpa）和流量，每天24小時運行

　　什么是MAU（Make Up Air Unit）,新風空調機組作用

　　答：提供潔淨室所需之新風，對新風溼度，溫度，及潔淨度進行控制，維持潔淨室正壓和溼度要求。

　　House Vacuum System 作用

　　答：HV（House Vacuum）系統提供潔淨室製程區及迴風區清潔吸取微塵粒子之真空源，其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內的真空吸孔，打開運轉電源。此系統之運用可減低清潔時的汙染。

　　Filter Fan Unit System（FFU）作用

　　答：FFU系統保證潔淨室內一定的風速和潔淨度，由Fan和Filter（ULPA）組成。

　　什么是Clean Room 潔淨室系統

　　答：潔淨室系統供應給製程及機臺設備所需之潔淨度、溫度、溼度、正壓、氣流條件等環境要求。

　　Clean room spec:標準

　　答：Temperature 23 °C ± 1°C（Photo:23 °C ± 0.5°C）Humidity 45%± 5%（Photo:45%± 3% ）Class 100Overpressure +15paAir velocity 0.4m/s ± 0.08m/s

　　Fab 內的safety shower的日常維護及使用監督由誰來負責

　　答：Fab 內的 Area Owner（若出現無水或大量漏水等可請廠務水課（19105）協助）

　　工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機臺維護時，要注意不能有酸或有機溶劑（如IPA等）進入純水回收系統中，這是因為：

　　答：酸會導致conductivity（導電率）升高，有機溶劑會導致TOC升高。兩者均會影響並降低純水回收率。

　　若在Fab 內發現地面有水滴或殘留水等，應如何處理或通報

　　答：先檢查是否為機臺漏水或做PM所致，若為廠務系統則通知廠務中控室（12222）

　　機臺若因做PM或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等應首先如何通報

　　答：通知廠務主系統水課的值班（19105）

　　廢水排放管路中酸鹼廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質的管路?

　　答：酸鹼廢水/高密度聚乙烯（HDPE）濃硫酸/鋼管內襯鐵福龍（CS-PTFE）廢溶劑/不琇鋼管（SUS）

　　若機臺內的drain管有接錯或排放成分分類有誤，將會導致後端的主系統出現什么問題?

　　答：將會導致後端處理的主系統相關指標處理不合格，從而可能導致公司排放口超標排放的事故。

　　公司做水回收的意義如何?

　　答：（1） 節約用水，降低成本。重在環保。 （2） 符合ISO可持續發展的精神和公司環境保護暨安全衛生政策。

　　何種氣體歸類為特氣（Specialty Gas）?

　　答：SiH2Cl2

　　何種氣體由VMB Stick點供到機臺?

　　答：H2

　　何種氣體有自燃性?

　　答：SiH4

　　何種氣體具有腐蝕性?

　　答：ClF3

　　當機臺用到何種氣體時，須安裝氣體偵測器?

　　答：PH3

　　名詞解釋 GC, VMB, VMP

　　答：GC- Gas Cabinet 氣瓶櫃VMB- Valve Manifold Box 閥箱，適用於危險性氣體。VMP- Valve Manifold Panel 閥件盤面，適用於惰性氣體。

　　標準大氣環境中氧氣濃度為多少？工作環靜氧氣濃度低於多少時人體會感覺不適？

　　答：21%19%

　　什么是氣體的 LEL? H2的LEL 為多少？

　　答：LEL- Low Explosive Level 氣體爆炸下限H2 LEL- 4%.

　　當FAB內氣體發生洩漏二級警報（既Leak HiHi），氣體警報燈（LAU）會如何動作？FAB內工作人員應如何應變？

　　答：LAU紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從ERC廣播命令，立刻疏散。

　　化學供應系統中的化學物質特性為何?

　　答：（1） Acid/Caustic 酸性/腐蝕性（2） Solvent有機溶劑（3） Slurry研磨液

　　有機溶劑櫃的安用保護裝置為何?

　　答：（1） Gas/Temp. detector;氣體/溫度偵測器（2） CO2 extinguisher;二氧化碳滅火器

　　中芯有那幾類研磨液（slurry）系統?

　　答：（1） Oxide （SiO2） （2） Tungsten （W）鵭

　　設備機臺總電源是幾伏特?

　　答：208V OR 380V

　　欲從事生產/測試/維護時,如無法就近取得電源供給,可以無限制使用延長線嗎?

　　答：不可以

　　如何選用電器器材?

　　答：使用電器器材需採用通過認證之正規品牌

　　機臺開關可以任意分/合嗎?

　　答：未經確認不可隨意分/合任何機臺開關,以免造成生產損失及人員傷害.

　　欲從事生產/測試/維護時,如無法就近取得電源供給,也不能無限制使用延長線,對嗎?

　　答：對

　　假設斷路器啟斷容量為16安培導線線徑2.5mm2,電源供應電壓單相220伏特,若使用單相5000W電器設備會產生何種情況?

　　答：斷路器跳閘

　　當供電局供電中斷時,人員仍可安心待在FAB中嗎?

　　答：當供電局供電中斷時,本廠因有緊急發電機設備,配合各相關監視系統,仍然能保持FAB之Safety,所以人員仍可安心待在FAB中.

　　ETCH

　　何謂蝕刻（Etch）?

　　答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的製程。

　　蝕刻種類:

　　答：（1） 幹蝕刻（2） 溼蝕刻

　　蝕刻對象依薄膜種類可分為:

　　答：poly,oxide, metal

　　半導體中一般金屬導線材質為何?

　　答：鵭線（W）/鋁線（Al）/銅線（Cu）

　　何謂 dielectric 蝕刻（介電質蝕刻）?

　　答：Oxide etch and nitride etch

　　半導體中一般介電質材質為何?

　　答：氧化矽/氮化矽

　　何謂溼式蝕刻

　　答：利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除

　　何謂電漿 Plasma?

　　答：電漿是物質的第四狀態.帶有正,負電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負離子,中性分子,活性基及發散光子等,產生電漿的方法可使用高溫或高電壓.

　　何謂乾式蝕刻?

　　答：利用plasma將不要的薄膜去除

　　何謂Under-etching（蝕刻不足）?

　　答：係指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應被去除的薄膜仍有殘留

　　何謂Over-etching（過蝕刻 ）

　　答：蝕刻過多造成底層被破壞

　　何謂Etch rate（蝕刻速率）

　　答：單位時間內可去除的蝕刻材料厚度或深度

　　何謂Seasoning（陳化處理）

　　答：是在蝕刻室的清淨或更換零件後，為要穩定製程條件，使用仿真（dummy） 晶圓進行數次的蝕刻循環。

　　Asher的主要用途:

　　答：光阻去除

　　Wet bench dryer 功用為何?

　　答：將晶圓表面的水份去除

　　列舉目前Wet bench dry方法:

　　答：（1） Spin Dryer （2） Marangoni dry （3） IPA Vapor Dry

　　何謂 Spin Dryer

　　答：利用離心力將晶圓表面的水份去除

　　何謂 Maragoni Dryer

　　答：利用表面張力將晶圓表面的水份去除

　　何謂 IPA Vapor Dryer

　　答：利用IPA（異丙醇）和水共溶原理將晶圓表面的水份去除

　　測Particle時,使用何種測量儀器?

　　答：Tencor Surfscan

　　測蝕刻速率時,使用何者量測儀器?

　　答：膜厚計,測量膜厚差值

　　何謂 AEI

　　答：After Etching Inspection 蝕刻後的檢查

　　AEI目檢Wafer須檢查哪些項目:

　　答：（1） 正面顏色是否異常及刮傷 （2） 有無缺角及Particle （3）刻號是否正確

　　金屬蝕刻機臺轉非金屬蝕刻機臺時應如何處理?

　　答：清機防止金屬汙染問題

　　金屬蝕刻機臺asher的功用為何?

　　答：去光阻及防止腐蝕

　　金屬蝕刻後為何不可使用一般硫酸槽進行清洗?

　　答：因為金屬線會溶於硫酸中

　　"Hot Plate"機臺是什么用途?

　　答：烘烤

　　Hot Plate 烘烤溫度為何?

　　答：90~120 度C

　　何種氣體為Poly ETCH主要使用氣體?

　　答：Cl2, HBr, HCl

　　用於Al 金屬蝕刻的主要氣體為

　　答：Cl2, BCl3

　　用於W金屬蝕刻的主要氣體為

　　答：SF6

　　何種氣體為oxide vai/contact ETCH主要使用氣體?

　　答：C4F8, C5F8, C4F6

　　硫酸槽的化學成份為:

　　答：H2SO4/H2O2

　　AMP槽的化學成份為:

　　答：NH4OH/H2O2/H2O

　　UV curing 是什么用途?

　　答：利用UV光對光阻進行預處理以加強光阻的強度

　　"UV curing"用於何種層次?

　　答：金屬層

　　何謂EMO?

　　答：機臺緊急開關

　　EMO作用為何?

　　答：當機臺有危險發生之顧慮或已不可控制,可緊急按下

　　溼式蝕刻門上貼有那些警示標示?

　　答：（1） 警告.內部有嚴重危險.嚴禁打開此門 （2） 機械手臂危險. 嚴禁打開此門 （3） 化學藥劑危險. 嚴禁打開此門

　　遇化學溶液洩漏時應如何處置?

　　答：嚴禁以手去測試漏出之液體. 應以酸鹼試紙測試. 並尋找洩漏管路.

　　遇 IPA 槽著火時應如何處置??

　　答：立即關閉IPA 輸送管路並以機臺之滅火器滅火及通知緊急應變小組

　　BOE槽之主成份為何?

　　答：HF（氫氟酸）與NH4F（氟化銨）.

　　BOE為那三個英文字縮寫 ?

　　答：Buffered Oxide Etcher 。

　　有毒氣體之閥櫃（VMB）功用為何?

　　答：當有毒氣體外洩時可利用抽氣裝置抽走,並防止有毒氣體漏出

　　電漿的頻率一般13.56 MHz,為何不用其它頻率?

　　答：為避免影響通訊品質,目前只開放特定頻率,作為產生電漿之用,如380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等

　　何謂ESC（electrical static chuck）

　　答：利用靜電吸附的原理, 將 Wafer 固定在極板 （Substrate） 上

　　Asher主要氣體為

　　答：O2

　　Asher機臺進行蝕刻最關鍵之參數為何?

　　答：溫度

　　簡述TURBO PUMP 原理

　　答：利用渦輪原理,可將壓力抽至10-6TORR

　　熱交換器（HEAT EXCHANGER）之功用為何？

　　答：將熱能經由介媒傳輸,以達到溫度控制之目地

　　簡述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理？

　　答：藉由氦氣之良好之熱傳導特性,能將晶片上之溫度均勻化

　　ORIENTER 之用途為何？

　　答：搜尋notch邊,使晶片進反應腔的位置都固定,可追蹤問題

　　簡述EPD之功用

　　答：偵測蝕刻終點;End point detector利用波長偵測蝕刻終點

　　何謂MFC？

　　答：mass flow controler氣體流量控制器;用於控制 反應氣體的流量

　　GDP 為何?

　　答：氣體分配盤（gas distribution plate）

　　GDP 有何作用？

　　答：均勻地將氣體分布於晶片上方

　　何謂 isotropic etch?

　　答：等向性蝕刻;側壁側向蝕刻的機率均等

　　何謂 anisotropic etch?

　　答：非等向性蝕刻;側壁側向蝕刻的機率少

　　何謂 etch 選擇比?

　　答：不同材質之蝕刻率比值

　　何謂AEI CD?

　　答：蝕刻後特定圖形尺寸之大小,特徵尺寸（Critical Dimension）

　　何謂CD bias?

　　答：蝕刻CD減蝕刻前黃光CD

　　簡述何謂田口式實驗計劃法?

　　答：利用混合變因安排輔以統計歸納分析

　　何謂反射功率?

　　答：蝕刻過程中,所施予之功率並不會完全地被反應腔內接收端所接受,會有部份值反射掉,此反射之量,稱為反射功率

　　Load Lock之功能為何?

　　答：Wafers經由loadlock後再進出反應腔,確保反應腔維持在真空下不受粉塵及溼度的影響.

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