磁控濺射鍍膜設備的工作原理要從一開始的「濺射現象」說起。人們由起初發覺「濺射現象」發展至「濺射鍍膜」此間歷經了相當長的發展時間，濺射現象早在19世紀50年代的法拉第氣體放電實驗就已經發現了。不過當時還只將此現象作為一種避免範疇的研究，認為這種現象是有害的。直到20世紀，才有人證明了沉積金屬是陰極被正離子轟擊才濺射出來的物質。20世紀60年代時濺射製取的鉭膜出現。到了1965年出現同軸圓柱磁控濺射裝置和三級濺射裝置，20世紀70年代，平面磁控濺射鍍膜設備被研發出來，實現了高速低溫濺射鍍膜，使濺射鍍膜一日千裡，進展飛快。
磁控濺射鍍膜設備的磁控濺射靶是採用靜止電磁場，而磁場是曲線型的，對數電場用於同軸圓柱形靶；均勻電場用於平面靶；S-槍靶則位於兩者間。各部分的原理是一樣的。
電子受電場影響而加速飛向基材，在此過程中跟氬原子觸發碰撞。如果電子本身足夠30eV的能量的話，則電離出Ar同時產生電子。電子依舊飛向基材，而Ar受電場影響會移動到陰極（也就是濺射靶），同時用一種高能量轟擊靶的表面，也就是讓靶材發生濺射。
在這些濺射粒子中，中性的靶分子或原子會沉積在基片上而成膜；而二次電子在加速飛向基材時，在磁場的洛侖茲力影響之下，呈現螺旋線狀與擺線的複合形式在靶表面作一系列圓周運動。該電子不但運動路徑長，還是被電磁場理論束縛在靠近靶表面的等離子體區域範圍內。於此區內電離出大量的Ar對靶材進行轟擊，所以說磁控濺射鍍膜設備的沉積速率高。
伴隨碰撞頻次的增多，電子能量會逐漸變弱，電子也慢慢遠離靶面。低能電子會沿著磁力線來回振蕩，直至電子能量快耗盡的時候，受電場影響而終會沉積於基材上。
因為該電子的能量較弱，所以傳給基材的能量較低，基材的溫升作用不大。位於磁極軸線處的電場跟磁場相互間平行，第二類電子將直接飛向基片。但是，在磁控濺射鍍膜設備中，磁極軸線處離子電流密度低，所以對於第二類包括電子數據很少，讓基片溫升效果較差。
磁控濺射鍍膜設備的基本原理是通過磁場使電子運動的方向改變，通過對電子的運動路徑的延長及區域範圍束縛，來增加電子的電離概率，更好地使電子的能量利用更有效。這便是磁控濺射技術的「高速」和「低溫」的特性機理。設備始於1974年時J. chapin的研發成果，當時磁控濺射鍍膜設備一經研發，其相較於別的鍍膜工藝顯得優越性較為突出，設備適用範圍極廣，可在任何基材上鍍上任何物料的膜層。